ONSEMI MC74VHC573DWR2

MC74VHC573
Octal D-Type Latch with
3-State Output
The MC74VHC573 is an advanced high speed CMOS octal latch
with 3–state output fabricated with silicon gate CMOS technology. It
achieves high speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky
TTL while maintaining CMOS low power dissipation.
This 8–bit D–type latch is controlled by a latch enable input and an
output enable input. When the output enable input is high, the eight
outputs are in a high impedance state.
The internal circuit is composed of three stages, including a buffer
output which provides high noise immunity and stable output. The
inputs tolerate voltages up to 7V, allowing the interface of 5V systems
to 3V systems.
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
High Speed: tPD = 4.5ns (Typ) at VCC = 5V
Low Power Dissipation: ICC = 4µA (Max) at TA = 25°C
High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
Power Down Protection Provided on Inputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 2V to 5.5V Operating Range
Low Noise: VOLP = 1.2V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300mA
ESD Performance: HBM > 2000V; Machine Model > 200V
Chip Complexity: 218 FETs or 54.5 Equivalent Gates
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
20
20
1
SOIC–20 WIDE
DW SUFFIX
CASE 751D
VHC573
AWLYYWW
1
20
VHC
573
ALYW
TSSOP–20
DT SUFFIX
CASE 948E
20
1
1
20
SOIC EIAJ
M SUFFIX
CASE 967
20
1
A
WL
YY
WW
VHC573
AWLYYWW
1
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
PIN ASSIGNMENT
LOGIC DIAGRAM
D0
D1
D2
DATA
INPUTS
D3
D4
D5
D6
D7
LE
OE
2
19
3
18
4
17
5
16
6
15
7
14
8
13
9
12
OE
1
20
VCC
Q0
D0
2
19
Q0
Q1
D1
3
18
Q1
D2
4
17
Q2
D3
5
16
Q3
D4
6
15
Q4
D5
7
14
Q5
D6
8
13
Q6
D7
9
12
Q7
10
11
LE
Q2
Q3
Q4
NONINVERTING
OUTPUTS
Q5
Q6
Q7
11
GND
1
ORDERING INFORMATION
FUNCTION TABLE
INPUTS
OE
LE
D
Q
L
L
L
H
H
H
L
X
H
L
X
X
H
L
No Change
Z
 Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
April, 2000 – Rev. 3
Device
OUTPUT
1
Package
Shipping
MC74VHC573DW
SOIC–WIDE
38 / Rail
MC74VHC573DWR2
SOIC–WIDE
1000 / Reel
MC74VHC573DT
TSSOP–20
75 / Rail
MC74VHC573DTR2
TSSOP–20
2500 / Reel
MC74VHC573M
SOIC EIAJ
40 / Rail
MC74VHC573MEL
SOIC EIAJ
2000 / Reel
Publication Order Number:
MC74VHC573/D
MC74VHC573
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS*
Symbol
Value
Unit
DC Supply Voltage
– 0.5 to + 7.0
V
Vin
DC Input Voltage
– 0.5 to + 7.0
V
Vout
DC Output Voltage
– 0.5 to VCC + 0.5
V
IIK
Input Diode Current
– 20
mA
IOK
Output Diode Current
± 20
mA
Iout
DC Output Current, per Pin
± 25
mA
ICC
DC Supply Current, VCC and GND Pins
± 75
mA
PD
Power Dissipation in Still Air,
500
450
mW
Tstg
Storage Temperature
– 65 to + 150
_C
VCC
Parameter
SOIC Packages†
TSSOP Package†
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high–impedance circuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND (Vin or Vout) VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V CC ).
Unused outputs must be left open.
v
v
* Absolute maximum continuous ratings are those values beyond which damage to the device
may occur. Exposure to these conditions or conditions beyond those indicated may
adversely affect device reliability. Functional operation under absolute–maximum–rated
conditions is not implied.
†Derating — SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
VCC
Parameter
DC Supply Voltage
Min
Max
Unit
2.0
5.5
V
Vin
DC Input Voltage
0
5.5
V
Vout
DC Output Voltage
0
VCC
V
– 40
+ 85
_C
0
0
100
20
ns/V
TA
Operating Temperature
tr, tf
Input Rise and Fall Time
VCC = 3.3V
VCC = 5.0V
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
VCC
V
Test Conditions
VIH
Minimum High–Level
Input Voltage
2.0
3.0 to
5.5
VIL
Maximum Low–Level
Input Voltage
2.0
3.0 to
5.5
VOH
Minimum High–Level
Output Voltage
VOL
Iin
Maximum Low–Level
Output Voltage
Maximum Input
Leakage Current
TA = 25°C
Min
Max
1.50
VCC x 0.7
Min
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
Vin = VIH or VIL
IOH = – 4mA
IOH = – 8mA
3.0
4.5
2.58
3.94
Vin = VIH or VIL
IOL = 50µA
2.0
3.0
4.5
Vin = VIH or VIL
IOL = 4mA
IOL = 8mA
Max
1.50
VCC x 0.7
0.50
VCC x 0.3
Vin = VIH or VIL
IOH = – 50µA
Vin = 5.5 V or GND
Typ
TA = – 40 to 85°C
2.0
3.0
4.5
V
0.50
VCC x 0.3
V
1.9
2.9
4.4
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
3.0
4.5
0.36
0.36
0.44
0.44
0 to 5.5
± 0.1
± 1.0
2
V
2.48
3.80
0.0
0.0
0.0
http://onsemi.com
Unit
V
µA
MC74VHC573
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VCC
V
Test Conditions
TA = 25°C
Min
Typ
TA = – 40 to 85°C
Symbol
Parameter
Max
Unit
IOZ
Maximum Three–State
Leakage Current
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
5.5
± 0.25
Max
Min
± 2.5
µA
ICC
Maximum Quiescent
Supply Current
Vin = VCC or GND
5.5
4.0
40.0
µA
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
TA = 25°C
Symbol
Parameter
tPLH,
tPHL
Maximum Propagation Delay,
LE to Q
tPLH,
tPHL
tPZL,
tPZH
tPLZ,
tPHZ
tOSLH,
tOSHL
Maximum Propagation Delay,
D to Q
Output Enable Time,
OE to Q
Output Disable Time,
OE to Q
Output to Output Skew
Test Conditions
Min
TA = – 40 to 85°C
Typ
Max
Min
Max
Unit
ns
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 15pF
CL = 50pF
7.6
10.1
11.9
15.4
1.0
1.0
14.0
17.5
VCC = 5.0 ± 0.5V
CL = 15pF
CL = 50pF
5.0
6.5
7.7
9.7
1.0
1.0
9.0
11.0
VCC = 3.3 ± 0.3V
CL = 15pF
CL = 50pF
7.0
9.5
11.0
14.5
1.0
1.0
13.0
16.5
VCC = 5.0 ± 0.5V
CL = 15pF
CL = 50pF
4.5
6.0
6.8
8.8
1.0
1.0
8.0
10.0
VCC = 3.3 ± 0.3V
RL = 1kΩ
CL = 15pF
CL = 50pF
7.3
9.8
11.5
15.0
1.0
1.0
13.5
17.0
VCC = 5.0 ± 0.5V
RL = 1kΩ
CL = 15pF
CL = 50pF
5.2
6.7
7.7
9.7
1.0
1.0
9.0
11.0
VCC = 3.3 ± 0.3V
RL = 1kΩ
CL = 50pF
10.7
14.5
1.0
16.5
VCC = 5.0 ± 0.5V
RL = 1kΩ
CL = 50pF
6.7
9.7
1.0
11.0
VCC = 3.3 ± 0.3V
(Note 1.)
CL = 50pF
1.5
1.5
ns
VCC = 5.5 ± 0.5V
(Note 1.)
CL = 50pF
1.0
1.0
ns
10
10
pF
Cin
Maximum Input Capacitance
4
Cout
Maximum Three–State
Output Capacitance (Output
in High–Impedance State)
6
ns
ns
ns
pF
Typical @ 25°C, VCC = 5.0V
CPD
Power Dissipation Capacitance (Note 2.)
pF
29
1. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm – tPLHn|, tOSHL = |tPHLm – tPHLn|.
2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC / 8 (per latch). CPD is used to determine the
no–load dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50 pF, VCC = 5.0V)
TA = 25°C
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
VOLP
Quiet Output Maximum Dynamic VOL
0.9
1.2
V
VOLV
Quiet Output Minimum Dynamic VOL
– 0.9
– 1.2
V
VIHD
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
3.5
V
VILD
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
1.5
V
http://onsemi.com
3
MC74VHC573
TIMING REQUIREMENTS (Input tr = tf = 3.0ns)
TA = – 40
to 85°C
TA = 25°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Typ
Limit
Limit
Unit
Minimum Pulse Width, LE
VCC = 3.3 ± 0.3V
VCC = 5.0 ±0.5V
5.0
5.0
5.0
5.0
ns
tsu
Minimum Setup Time, D to LE
VCC = 3.3 ± 0.3V
VCC = 5.0 ± 0.5V
3.5
3.5
3.5
3.5
ns
th
Minimum Hold Time, D to LE
VCC = 3.3 ± 0.3V
VCC = 5.0 ± 0.5V
1.5
1.5
1.5
1.5
ns
tw(h)
SWITCHING WAVEFORMS
tw
VCC
D
LE
50%
VCC
50%
GND
tPLH
Q
GND
tPHL
tPHL
tPLH
50% VCC
Q
50% VCC
Figure 1.
Figure 2.
VCC
OE
50%
GND
tPZL
Q
tPLZ
50% VCC
VALID
HIGH
IMPEDANCE
D
tsu
VOL +0.3V
tPZH
tPHZ
50% VCC
GND
th
VCC
LE
VOL –0.3V
Q
VCC
50%
50%
GND
HIGH
IMPEDANCE
Figure 3.
Figure 4.
http://onsemi.com
4
MC74VHC573
TEST CIRCUITS
TEST POINT
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
1 kΩ
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
CL*
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
CONNECT TO VCC WHEN
TESTING tPLZ AND tPZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING tPHZ AND tPZH.
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 5.
Figure 6.
EXPANDED LOGIC DIAGRAM
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
2
3
4
5
6
7
8
9
LE
OE
D
Q
LE
19
D
Q
LE
18
D
Q
LE
17
D
Q
LE
16
D
Q
LE
15
D
Q
LE
14
D
Q
LE
13
D
Q
LE
12
11
1
INPUT
Figure 7. Input Equivalent Circuit
http://onsemi.com
5
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
MC74VHC573
PACKAGE DIMENSIONS
20X
0.15 (0.006) T U
TSSOP–20
DT SUFFIX
CASE 948E–02
ISSUE A
K REF
0.10 (0.004)
S
M
T U
S
V
S
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
K
K1
2X
L/2
20
11
J J1
B
–U–
L
PIN 1
IDENT
SECTION N–N
1
10
0.25 (0.010)
N
0.15 (0.006) T U
S
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD
FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD
FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED
0.15 (0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT
EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN
EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM
MATERIAL CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE
DETERMINED AT DATUM PLANE –W–.
M
A
–V–
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
J1
K
K1
L
M
N
F
DETAIL E
–W–
C
G
D
H
DETAIL E
0.100 (0.004)
–T– SEATING
MILLIMETERS
MIN
MAX
6.40
6.60
4.30
4.50
–––
1.20
0.05
0.15
0.50
0.75
0.65 BSC
0.27
0.37
0.09
0.20
0.09
0.16
0.19
0.30
0.19
0.25
6.40 BSC
0_
8_
INCHES
MIN
MAX
0.252
0.260
0.169
0.177
–––
0.047
0.002
0.006
0.020
0.030
0.026 BSC
0.011
0.015
0.004
0.008
0.004
0.006
0.007
0.012
0.007
0.010
0.252 BSC
0_
8_
PLANE
SO–20
DW SUFFIX
CASE 751D–05
ISSUE F
q
A
20
X 45 _
M
E
h
0.25
1
10
20X
B
B
0.25
M
T A
S
B
S
A
L
H
10X
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION SHALL
BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
11
B
M
D
18X
e
A1
SEATING
PLANE
DIM
A
A1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
C
T
http://onsemi.com
6
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.35
2.65
0.10
0.25
0.35
0.49
0.23
0.32
12.65
12.95
7.40
7.60
1.27 BSC
10.05
10.55
0.25
0.75
0.50
0.90
0_
7_
MC74VHC573
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC EIAJ
M SUFFIX
CASE 967–01
ISSUE O
20
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE
MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH
OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
LE
11
Q1
E HE
1
M_
L
10
DETAIL P
Z
D
VIEW P
e
A
c
A1
b
0.13 (0.005)
M
0.10 (0.004)
http://onsemi.com
7
DIM
A
A1
b
c
D
E
e
HE
L
LE
M
Q1
Z
MILLIMETERS
MIN
MAX
–––
2.05
0.05
0.20
0.35
0.50
0.18
0.27
12.35
12.80
5.10
5.45
1.27 BSC
7.40
8.20
0.50
0.85
1.10
1.50
10 _
0_
0.70
0.90
–––
0.81
INCHES
MIN
MAX
–––
0.081
0.002
0.008
0.014
0.020
0.007
0.011
0.486
0.504
0.201
0.215
0.050 BSC
0.291
0.323
0.020
0.033
0.043
0.059
10 _
0_
0.028
0.035
–––
0.032
MC74VHC573
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: [email protected]
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (M–F 1:00pm to 5:00pm Munich Time)
Email: ONlit–[email protected]
French Phone: (+1) 303–308–7141 (M–F 1:00pm to 5:00pm Toulouse Time)
Email: ONlit–[email protected]
English Phone: (+1) 303–308–7142 (M–F 12:00pm to 5:00pm UK Time)
Email: [email protected]
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, England, Ireland
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–[email protected]
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–[email protected]
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–8549
Phone: 81–3–5740–2745
Email: [email protected]
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
http://onsemi.com
8
MC74VHC573/D