TOREX XA6105

XA6105 シリーズ
JTR0218-001
2009/08/26
電圧検出器(VDF=1.6V∼5.0V)
■概要
XA6105 シリーズは、高精度、低消費電流を実現した CMOS プロセスのウォッチドッグ機能付き電圧検出器です。
内部は基準電圧源、遅延回路、コンパレータ、出力ドライバー回路から構成されています。
遅延回路を内蔵しているため外付け部品なしで遅延時間を持った信号を出力します。出力タイプは VDFL（検出時
Ｌレベル）と VDFH(検出時 H レベル)の二種類です。
XA6105 シリーズでウォッチドッグ機能を使用しない場合はウォッチドッグ端子をオープンで使用できます。その
際、内部カウンターはウォッチドッグタイムアウト時間前にクリアされます。
検出電圧はレーザートリミングにより 1.6V~5.0V まで、0.1V ステップで設定可能です。
ウォッチドッグタイムアウト時間は 6.25ms から 1.6s まで 6 種類選択できます。
解除遅延時間は 3.13ms から 1.6s まで７種類選択できます。
アミューズメント
■代表標準回路
■特長
検出電圧範囲
ヒステリシス幅
動作電圧範囲
検出電圧温度特性
出力形態
ウォッチドッグ端子
:
:
:
:
:
:
1.6V∼5.0V±2％（0.1V ステップ）
VDF×5％（TYP.)
1.0V∼6.0V
±100ppm/℃（TYP.）
Nch オープンドレイン出力、または CMOS 出力
ウォッチドッグ入力。ウォッチドッグ時間内に
H 又は L に維持されるとリセット出力端子に
リセット信号を出力。
解除遅延時間
: 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms,
25ms, 3.13ms が選択可能。（TYP）
ウォッチドッグ
: 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms,
タイムアウト時間
6.25ms が選択可能。
（TYP）
VDFL（検出時 LOW レベル）、VDFH（検出時 HIGH レベル）
パッケージ
: SOT-25
環境への配慮
: EU RoHS 指令対応、鉛フリー
■代表特性例
消費電流−入力電圧特性例
XA6105(2.7V 品)
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品）
30
Supply Current:　ISS (μA)
■ 用途
25
20
Ta=25℃
15
Ta=85℃
10
5
Ta=-40℃
0
0
1
2
3
4
5
Input Voltage:　VIN (V)
6
1/22
XA6105 シリーズ
■端子配列
●SOT-25 PKG
SOT-25
（TOP VIEW）
■端子説明
●SOT-25 PKG
端子番号
端子名
機能
1
RESETB
リセット出力端子（VDFL：検出時 Low レベル）
2
VSS
グランド端子
4
WD
ウォッチドッグ端子
5
VIN
電源入力端子
3
RESET
リセット出力端子（VDFH：検出時 High レベル）
XA6105
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XA6105
シリーズ
■製品分類
●セレクションガイド
シリーズ名
ウォッチドッグ
マニュアル
機能
リセット機能
VDFL(RESETB)
VDFH(RESET)
○
×
Nch オープンドレイン出力
CMOS 出力
XA6105
リセット出力タイプ
●品番ルール
XA61①②③④⑤⑥⑦⑧-⑨(*1)
記号
内容
シンボル
①
ヒステリシス幅
0
VDF×5％（TYP）
②
ウォッチドッグ機能、及びリセット出力タイプ
5
上記セレクションガイド参照
A
3.13ms（TYP）
B
25ms（TYP）
C
50ms（TYP）
③
④
解除遅延時間
ウォッチドッグタイムアウト時間
D
100ms（TYP）
E
200ms（TYP）
F
400ms（TYP）
H
1.6s（TYP）
１
6.25ms（TYP）
2
50ms（TYP）
3
100ms（TYP）
4
200ms（TYP）
5
400ms（TYP）
6
⑤⑥
⑦⑧-⑨
検出電圧
パッケージ形状
テーピング仕様
(*2)
詳細内容
ヒステリシス付き
1.6s（TYP）
16∼50
例:4.5V 品→⑤=4、⑥=5
MR-G
SOT-25 (ハロゲン＆アンチモンフリー)
注意点：解除遅延時間≦ウォッチドッグタイムアウト時間にて設定して下さい。
例：XA6105D427MR 又は XA6105D327MR。
(*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。
(*2) エンボステープポケットへのデバイス挿入方向は定まっております。標準とは別に逆挿入を要望される場合は弊社営業に相談ください。
(標準：⑦R-⑨、逆挿入：⑦L-⑨)
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XA6105 シリーズ
■ブロック図
●XA6105 シリーズ
■絶対最大定格
項
出力電圧
許容損失
4/22
目
Ta=25℃
記
号
定
格
VIN
VSS-0.3∼7.0
入力電圧
MRB
VSS-0.3∼VIN+0.3≦7.0
WD
VSS-0.3∼7.0
出力電流
IOUT
20
CMOS 出力
RESET
VSS-0.3∼VIN+0.3≦7.0
Nch オープンドレイン出力
RESETB
VSS-0.3∼7.0
SOT-25
Pd
250
動作周囲温度
Ta
-40∼+85
保存温度
Tstg
-55∼+125
単
位
V
mA
V
mW
℃
XA6105
シリーズ
■ 電気的特性
●XA6105 シリーズ一覧表 1
項
目
記
検出電圧
1
Ta=25℃
号
測
定
条
格
件
規
MIN
TYP
VDFL
VDF(T)
VDF(T)
VDFH
×0.98
ヒステリシス幅＊
VHYS
消費電流
ISS
動作電圧
VIN
WD 端子=オープン
値
VDF(T)
×1.02
VDF
VDF
VDF
×0.02
×0.05
×0.08
VIN=VDF(T)×0.9V
5
11
VIN=VDF(T)×1.1V
10
16
VIN=6.0V
12
1.0
単位
測定回路
V
1
V
1
μA
2
V
1
MAX
18
6.0
Nch VDS=0.5V
VDFL 出力電流
IRBOUT
（RESETB）
VIN=1.0V
0.15
0.5
VIN=2.0V（VDFL(T)>2.0V の時）
2.0
2.5
VIN=3.0V（VDFL(T)>3.0V の時）
3.0
3.5
VIN=4.0V（VDFL(T)>4.0V の時）
3.5
4.0
3
mA
Pch VDS=0.5V
VIN=6.0V
-1.1
-0.8
4
(CMOS 出力の場合)
Nch VDS=0.5V
VIN=6.0V
VDFＨ出力電流
3
4.9
Pch VDS=0.5V
（RESET）
温度特性
4.4
IROUT
△VDF /
（△Ta・VDF）
解除遅延時間
（VDF≦1.8V）
解除遅延時間
（VDF≧1.9V）
TDR
TDR
-0.08
-0.02
VIN=2.0V（VDFH(T)>2.0V の時）
-0.50
-0.30
VIN=3.0V（VDFH(T)>3.0V の時）
-0.75
-0.55
VIN=4.0V（VDFH(T)>4.0V の時）
-0.95
-0.75
-40℃≦Ta≦85℃
±100
VIN=1.0V
VIN を 1.0V→2.0V に変化、VIN が解除電圧に達
し、リセット出力端子が解除するまでの時間
mA
4
ppm
/℃
2.00
3.13
5.00
18
25
31
37
50
63
75
100
125
150
200
250
300
400
500
1200
1600
2000
2.00
3.13
5.00
18
25
31
VIN を 1.0V→VDF×1.1V に変化、VIN が解除電
37
50
63
圧に達し、リセット出力端子が解除するまでの
75
100
125
時間
150
200
250
300
400
500
1200
1600
2000
1
ms
5
ms
5
＊1：XA6105（ヒステリシス付き）
。
(注 1)VDF(T):設定検出電圧値。
(注 2)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL(検出時 L レベル)、VDFH（検出時 H レベル)の両方の条件を含む。
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XA6105 シリーズ
■ 電気的特性
●XA6105 シリーズ一覧表 2
項
目
記
Ta=25℃
号
測
定
条
件
規
MIN
格
値
TYP
MAX
3
30
単位
測定回路
μｓ
5
μA
3
ms
6
ms
6
ns
7
VIN=6.0V→1.0V に変化、VIN が検出電圧に
検出遅延時間
TDF
達し、リセット出力端子が検出するまでの時
間。(WD=オープン)
VDFL/VDFH CMOS
出力リーク電流
VDFL Nch オープン
ドレイン出力リーク電流
WD タイムアウト時間
（VDF≦1.8V）
WD タイムアウト時間
（ VDF≧1.9V ）
Ileak
Ileak
TW D
VIN=6V,RESETB=6V
VIN=6V,RESET=0V
(VDFL）
VIN=6V,RESETB=6V
0.01
0.1
4.25
6.25
8.25
37
50
63
VIN を 1.0V→2.0V に変化、リセット出力端子が
75
100
125
解除してから検出するまでの時間（WD=VSS）
150
200
250
VIN を 1.0V→VDF×1.1V に変化、リセット出力
TW D
0.01
(VDFH)
端子が解除してから検出するまでの時間
（WD=VSS）
VIN=6V,WD 端子に 6V→0V のパルス印加
300
400
500
1200
1600
2000
4.25
6.25
8.25
37
50
63
75
100
125
150
200
250
300
400
500
1200
1600
2000
WD 最小パルス幅
TWDIN
WD H レベル電圧
VWDH
VIN=VDF×1.1V∼6V
VIN×0.7
6
V
7
WD L レベル電圧
VWDL
VIN=VDF×1.1V∼6V
0
VIN×0.3
V
7
WD 入力電流
IWD
19
μA
8
μA
8
WD 入力抵抗
RWD
880
ｋΩ
8
300
12
VIN=6V,VWD=6V(ピーク時の平均電流)
VIN=6V,VWD=0V(ピーク時の平均電流)
-19
-12
VIN=6V,VWD=0V
315
500
RWD=VIN/|IWD|
(注 1)VDF(T):設定検出電圧値。
(注 2)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL（検出時 L レベル）
、VDFH（検出時 H レベル）の両方の条件を含む。
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XA6105
シリーズ
■動作説明
XA6105 シリーズは、VIN 端子に接続された R1,R2,R3 によって分割された電圧と内部基準電源の電圧をコンパレータで比較し、そ
の出力信号でウォッチドッグロジック、ディレイ回路、出力ドライバを駆動します。VIN 端子電圧を徐々に下げていき VIN 端子電圧
が検出電圧に達すると、VDFL タイプはリセット出力端子に H→L レベル信号を出力し、VDFH タイプはリセット出力端子に L→H レ
ベル信号を出力します。
＜リセット出力端子の出力信号＞
＊VDFL タイプの場合
VDFL は検出時 L レベル。
VIN 端子電圧が検出電圧以下に達した場合、リセット出力端子は H→L レベル信号を出力します。
VIN 端子電圧が解除電圧に達してからも、解除遅延時間(TDR)の間、リセット出力端子は L レベルを維持します。又ウォッチドッグ
タイムアウト時間内に WD 端子へ立ち上がり又は立ち下り信号が入力されない場合、解除遅延時間(TDR)の間リセット出力端子は L
レベルを維持しその後 H レベル信号を出力します。
＊VDFH タイプの場合
VDFH は検出時 H レベル。
VIN 端子電圧が検出電圧以下に達した場合、リセット出力端子は L→H レベル信号を出力します。
VIN 端子電圧が解除電圧に達してからも、解除遅延時間(TDR)の間、リセット出力端子は H レベルを維持します。又ウォッチドッグ
タイムアウト時間内に WD 端子へ立ち上がり又は立ち下り信号が入力されない場合、解除遅延時間(TDR)の間リセット出力端子は H
レベルを維持しその後 L レベル信号を出力します。
＜ヒステリシス＞
内部コンパレータが H レベル信号を出力した場合、R3 に並列接続されている Nch トランジスタが ON し、ヒステリシス回路が動
作します。ヒステリシスの電圧幅は検出電圧と解除電圧の差より求まり、以下の計算式となります。
VDF(検出電圧)=(R1+R2+R3)×Vref/(R2+R3)
VDR(解除電圧)=(R1+R2)×Vref/(R2)
VHYS(ヒステリシス幅)=VDR-VDF (V)
VDR> VDF
＊VDF は VDFL（検出時 L レベル）、VDFH（検出時 H レベル）の両方の条件を含む。
＊R1,R2,R3,Vref についてはブロック図を参照して下さい。
XA6105 のヒステリシス幅は、VDF×0.05V となります（TYP.）。
＜WD 端子＞
マイクロプロセッサの異常動作や暴走を検出するためにウォッチドッグタイマーを使用します。ウォッチドッグタイムアウト時間
内にマイクロプロセッサからの立ち上がり又は立ち下り信号が入力されない場合、リセット出力端子は解除状態から検出状態とな
り、解除遅延時間(TDR)の間検出状態を維持し、その後再び解除状態になります（機能表参照下さい）
。解除状態に戻りますとウォ
ッチドッグ内部のタイマーはリスタートされます。
ウォッチドッグタイムアウト時間(TWD)は 1.6,400m,200m,100m,50m,6.25ms の 6 種類を選択できます。
＜解除遅延時間＞
VIN 端子電圧が解除電圧に達する又は、ウォッチドッグタイムアウト時間内に WD 端子へ立上り又は立下り信号が入力されない場
合にウォッチドッグ内部のタイマーがリスタートされるまでの検出状態の時間が解除遅延時間(TDR)です。
解除遅延時間(TDR)は 1.6,400m,200m,100m,50m,25m,3.13ms の 7 種類を選択できます。
＜検出遅延時間＞
VIN 端子電圧が、検出電圧まで低下しリセット出力端子が検出状態になるまでの時間が、検出遅延時間(TDF)です。
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XA6105 シリーズ
■タイミングチャート
VIN
VDR Level
VDF Level
VIN Pin Wave Form
Hysterisis Range
Min.Operating Voltage
GND
TWD>TWDIN
WD
WD Pin Wave Form
TWD
TWD
TWD
GND
RESETB Pin Wave Form(VDFL)
VDR Level
VDFL Level
Min.Operating Voltage
GND
VDR Level
VDFH Level
Min.Operating Voltage
GND
RESET Pin Wave Form(VDFH)
Unstable
TDR
TDR
TDR
TDR
*TDF
VIN
6.0V
VIN Pin Wave Form
VDFL Level
1.0V
GND
TDF
VIN Level
RESETB Pin Wave Form(VDFL)
VDFL Level
VIN×0.1V
GND
8/22
0.6V
XA6105
シリーズ
■使用方法
1．本 IC のご使用の際には絶対最大定格内でご使用下さい。絶対最大定格値を超えて使用した場合、劣化または破壊する可能性
があります。
2．電源と VIN 端子との間に抵抗を付加した場合、IC 動作時の貫通電流によって VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因となる可
能性がありますのでご注意下さい。また CMOS 出力品の場合、出力電流によっても VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因と
なる可能性がありますのでご注意下さい。
3．IC の安定動作のため VIN 端子入力波形の立ち上がり及び立ち下り時間は、数μs/V 程度以上でご使用下さい。
4．電源ノイズはウォッチドッグ動作の誤動作の原因となることがありますので、VIN-GND 間にコンデンサ(0.22μＦ程度)を挿入
することをお勧めします。
5．ウォッチドッグタイムアウト時間中に誤動作防止のため立ち上がり又は立ち下り信号に対する不感応時間が存在します。不感
応時間は最大で 900μs となっています。
（図参照）
6．CPU へのデータ書き込み時などウッチドッグ端子にエッジ入力が無い場合、スリーステートデバイスを使用してウォッチド
ッグ端子をオープン状態（ハイインピーダンス）にすることによりウォッチドッグ機能を OFF させることが可能です。
P.4 のブロック図の様に WD 端子は内部カウンターのバッファ（LOGIC 部）と WD 入力抵抗（RWD）を直列に介して内部で駆
動しており、ウォッチドッグ入力電流を最小にするため RWD=880kΩ(MAX)となっています。
スリーステートデバイスがハイインピーダンスの際は“スリーステートデバイスのリーク電流×RWD”の電圧降下となります。
その際に WD H レベル/L レベル電圧に達するようにリーク電流の少ないスリーステートデバイスをお使い下さい。
VIN Pin Wave Form
TWD
TWD
GND
WD Pin Wave Form
GND
No reaction time
(MAX 900usec)
No reaction time
(MAX 900usec)
RESETB Pin Wave Form(VDFL)
TDR
TDR
GND
図．不感応時間例
9/22
XA6105 シリーズ
■端子の論理条件
端子名
論理
H
条件
端子名
論理
条件
H
WD≧VWDH を TWD 以上キープした状態
L
WD≦VWDL を TWD 以上キープした状態
L→H
VWDL→VWDH, TWDIN≧300ns
H→L
VWDL→VWDH, TWDIN≧300ns
VIN≧VDF+VHYS
VIN
WD
VIN≦VDF
L
(注 1)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL(検出時 Low レベル)、VDFH(検出時 High レベル)の両方の条件を含む。
VDF：検出電圧
(注 2)
VHYS ：ヒステリシス幅
VWDH：WD H レベル電圧
VWDL：WD L レベル電圧
TWD：WD タイムアウト時間
詳細については、電気的特性を参照して下さい。
■機能表
VIN
WD
H
H
H
L
H
OPEN
H
H→L
H
L→H
L
※1
RESTB※
2
3
検出/解除を繰り返す(H→L→H・・・)
検出/解除を繰り返す(H→L→H・・・)
H
L
L
H
※1：WD の全ての論理を含む（WD=H,L,L→H,H→L,OPEN)
※2：RESETB=H は解除状態を表す。
RESETB=L は検出状態を表す。
※3：RESET=L は解除状態を表す。
RESET=H は検出状態を表す。
10/22
RESET※
XA6105
シリーズ
■測定回路図①
・測定回路1
100ｋΩ
(Not necessary with CMOS output products)
RESETB/
RESET
VIN
V
V
WD
VSS
11/22
XA6105 シリーズ
■測定回路図②
・測定回路5
100ｋΩ
(Not necessary with CMOS output products)
RESETB/
RESET
VIN
Measurement Waveform
WD
VSS
・測定回路7
100ｋΩ
(Not necessary with CMOS output products)
RESETB/
RESET
VIN
Measurement Waveform
TWDIN
WD
VIN×0.7
VIN×0.3
WD
RESETB
（VDFL)
VSS
RESET
（VDFＨ)
12/22
TDR
TWD
TDR
TDR
TWD
TDR
XA6105
シリーズ
■特性例
（1.1）消費電流−入力電圧特性例
30
25
Supply Current:　ISS (μA)
Supply Current:　ISS (μA)
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品）
XA6105（2.7V 品）
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(１.６Ｖ品）
XA6105（1.6V 品）
30
20
Ta=25℃
15
Ta=85℃
10
Ta=-40℃
5
0
25
20
Ta=25℃
15
Ta=85℃
10
Ta=-40℃
5
0
0
1
2
3
4
Input Voltage:　V IN (V)
5
6
0
1
2
3
4
5
Input Voltage:　V IN (V)
6
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(５.０Ｖ品）
XA6105（5.0V 品）
Supply Current:　ISS (μA)
30
25
20
Ta=85℃
15
Ta=25℃
10
5
Ta=-40℃
0
0
1
2
3
4
Input Voltage:　V IN (V)
5
6
（2）検出電圧、解除電圧−周囲温度特性例
XA6105（2.7V 品）
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(２.７Ｖ品）
1.70
Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V)
Detect, Release Voltage: V DF,V DR (V)
XA6105（1.6V 品）
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(１.６Ｖ品）
V DR
1.65
1.60
V DF
1.55
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
2.90
2.80
VDR
2.70
V DF
2.60
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
13/22
XA6105 シリーズ
■特性例
（2）検出電圧、解除電圧−周囲温度特性例
Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V)
XA6105（5.0V 品）
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(５.０Ｖ品）
5.30
5.20
V DR
5.10
5.00
V DF
4.90
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
（3.1）検出電圧、解除電圧−入力電圧特性例（VDFL）
XA6105（2.7V 品）
ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(２.７Ｖ品）
2.0
Detect, Release Voltage:V DFL,V DR(V)
Detect, Release Voltage:VDFL,V DR (V)
XA6105（1.6V 品）
ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(１.６Ｖ品）
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↓：Ｖ ＤＦ側
↑：Ｖ ＤＲ側
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
Input Voltage:　VIN (V)
2
Detect, Release Voltage:VDFL,V DR (V)
XA6105（5.0V 品）
ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(５.０Ｖ品）
6.0
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↓：Ｖ ＤＦ側
↑：Ｖ ＤＲ側
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
14/22
1
2
3
4
5
Input Voltage:　VIN (V)
6
3.0
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↓：Ｖ ＤＦ側
↑：Ｖ ＤＲ側
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
Input Voltage:　V IN (V)
3
XA6105
シリーズ
■特性例
(3.2）検出電圧、解除電圧−入力電圧特性例（VDFH）
XA6105（2.7V 品）
ＸＣ６１０３～ＸＣ６１０７(２.７Ｖ品）
ＸＣ６１０３～ＸＣ６１０７(１.６Ｖ品）
XA6105（1.6V 品）
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↑：Ｖ ＤＦ側
↓：Ｖ ＤＲ側
1.5
1.0
0.5
0.0
0
Detect, Release Voltage:V DR , V DFH(V)
Detect, Release Voltage:V DR , V DFH(V)
Detect, Release Voltage:V DR , V DFH(V)
2.0
1
Input Voltage:　V IN (V)
3.0
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↑：Ｖ ＤＦ側
↓：Ｖ ＤＲ側
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
2
0
1
2
Input Voltage:　V IN (V)
3
ＸＣ６１０３～ＸＣ６１０７(５.０Ｖ品）
XA6105（5.0V 品）
6.0
Rpull:100kΩ
Ta=-40℃
25℃
85℃
↑：Ｖ ＤＦ側
↓：Ｖ ＤＲ側
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
1
2
3
4
5
Input Voltage:　V IN (V)
6
（4）Nch ドライバ出力電流−VDS 特性例
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
20
6
XA6105
Ta=25℃
V IN=2.0V
5
Output Current: IOUT (mA)
Output Current: IOUT (mA)
Ta=25℃
4
3
2
1
VIN=4.0V
16
12
V IN=3.0V
8
4
V IN=1.0V
0
0
0
1
2
V DS (V)
3
0
1
2
3
VDS (V)
4
5
6
15/22
XA6105 シリーズ
■特性例
（5）Nch ドライバ出力電流−入力電圧特性例
XA6105
７
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X
6.0
V DS=0.5V
Ta=-40℃
Output Current: IOUT (mA)
5.0
Ta=25℃
4.0
Ta=85℃
3.0
2.0
1.0
0.0
0
1
2
3
4
5
Input Voltage:　V IN (V)
6
（6）Pch ドライバ出力電流−入力電圧特性例（1）
（7）Pch ドライバ出力電流−入力電圧特性例（2）
ＸＣ６１X１、ＸＣ６１Ｘ３～ＸＣ６１X７
XA6105
XA6105
ＸＣ６１X１、ＸＣ６１Ｘ３～ＸＣ６１X７
-6.0
-2.0
V DS=0.5V
-5.0
Output Current: IOUT (mA)
Output Current: IOUT (mA)
Ta=25℃
V DS=2.0V
-4.0
1.5V
-3.0
1.0V
-2.0
0.5V
-1.0
0.0
-1.6
Ta=-40℃
-1.2
Ta=25℃
-0.8
Ta=85℃
-0.4
0.0
0
1
2
3
4
Input Voltage:　VIN (V)
5
6
0
1
2
3
4
5
Input Voltage:　V IN (V)
6
（8）解除遅延時間−周囲温度特性例
（例
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
XA6105
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
300
TDR=3.13ms
TDR =3.13msec
Release Delay Time　TDR （msec）
5.0
Release Delay Time TDR (ms)
Release Delay Time TDR (ms)
Release Delay Time　TDR （msec）
6.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
200
150
100
50
0
-50
16/22
TDR=100ms
TDR =100msec
250
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
XA6105
シリーズ
■特性例
（8）解除遅延時間−周囲温度特性例
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
3000
Release
Time
TDR (ms)
DR （msec）
ReleaseDelay
Delay
Time　T
DR
=1.6sec
TT
DR
=1.6s
2500
2000
1500
1000
500
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
（9）WD タイムアウト時間−周囲温度特性例
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
XA6105
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
300
WD=6.25ms
T
TWD
=6.25msec
WD Timeout Piriod TWD　（msec）
10
WD Timeout Period TWD (ms)
WD Timeout Piriod TWD　（msec）
WD Timeout Period TWD (ms)
12
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
T
WD=100ms
TWD
=100msec
250
200
150
100
50
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
XA6105
WD Timeout Period TWD
WD
Timeout Piriod TWD(ms)
（msec）
3000
WD=1.6s
TWD
=1.6sec
T
2500
2000
1500
1000
500
0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
17/22
XA6105 シリーズ
■特性例
（11）WD タイムアウト時間−入力電圧特性例
（10）解除遅延時間−入力電圧特性例
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７
XA6105
120
Ta=25℃
Ta=25℃
WD=100mse
=100ms
TTDR
110
WD
(ms)
WD　（msec）
WD Timeout
TimeoutPeriod
Piriod TTWD
Release
TDR DR
(ms)
ReleaseDelay
DelayTime
Time　T
（msec）
120
100
90
80
70
Ta=25℃
Ta=25℃
TTWD
=100mse
WD
=100ms
110
100
90
80
70
60
60
1
2
3
4
5
Input Voltage:　V IN (V)
6
1
7
（12）WD L レベル電圧−周囲温度特性例
2
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
XA6105
WD HighLevel Threshold　Voltage
V WDH(V)
WD LowLevel Threshold Voltage
V WDL(V)
XA6105
ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５
5.0
4.0
V IN=6.0V
2.0
V IN=3.0V
1.0
V IN=1.76V
0.0
-50
18/22
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
7
（13）WD H レベル電圧−周囲温度特性例
6.0
3.0
3
4
5
6
Input Voltage:　V IN (V)
100
6.0
5.0
4.0
V IN=6.0V
3.0
V IN=3.0V
2.0
1.0
V IN=1.76V
0.0
-50
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature: Ta (℃)
100
XA6105
シリーズ
■外形寸法図
●SOT-25
(unit : mm)
2.9±0.2
+0.1
0.4 -0.05
5
4
1
2
0.2MIN
1.6
+0.2
-0.1
2.8±0.2
0～0.1
3
+0.1
0.15 -0.05
(0.95)
1.3MAX
1.1±0.1
1.9±0.2
19/22
XA6105 シリーズ
■ マーキング 1
○マーキング文字は以下の仕様にて作製しております。
①.マーキング方式:
ガラスマスク方式
②.文書書体:
ヘルベチカ・メディウム・コンデンス部分修正
③.寸法、位置:
下記に示します。
④.モールド樹脂は、黒色を仕様し、表面状態は梨地とします。
■SOT25 4 桁マーキング
B C B C B C B
1
2
F
D
3
A
1234
20/22
シンボル
4
E
5
寸法(mm)
A
0.8±0.2
B
0.48±0.2
C
0.15±0.1
D
2.37±0.2
E
（0.4）
F
（0.075）
1 2　3 4 はマーキングを表し
※左記図内　各製品のマーク仕様内、①②③④に対応する。
XA6105
シリーズ
■マーキング 2
①
②
③ ④
SOT-25
（TOP VIEW）
①製品シリーズを表す。
③検出電圧を表す。
シンボル
品名表記例
4
XA6105＊＊＊＊＊＊
②解除遅延時間、ウォッチドッグタイムアウト時間を表す。
シンボル
解除遅延時間
品名表記例
検出電圧
品名表記例
Ｆ
1.6
XA6105＊＊16＊＊
Ｈ
1.7
XA6105＊＊17＊＊
Ｋ
1.8
XA6105＊＊18＊＊
Ｌ
1.9
XA6105＊＊19＊＊
Ｍ
2.0
XA6105＊＊20＊＊
2.1
XA6105＊＊21＊＊
6.25ms
XA6105Ａ1＊＊＊＊
Ｎ
3.13ms
50ms
XA6105Ａ2＊＊＊＊
Ｐ
2.2
XA6105＊＊22＊＊
3.13ms
100ms
XA6105Ａ3＊＊＊＊
Ｒ
2.3
XA6105＊＊23＊＊
XA6105Ａ4＊＊＊＊
Ｓ
2.4
XA6105＊＊24＊＊
400ms
XA6105Ａ5＊＊＊＊
Ｔ
2.5
XA6105＊＊25＊＊
0
3.13ms
1
2
3
ウォッチドッグ
タイムアウト時間
シンボル
3.13ms
200ms
4
3.13ms
5
3.13ms
1.6s
XA6105Ａ6＊＊＊＊
Ｕ
2.6
XA6105＊＊26＊＊
6
25ms
50ms
XA6105Ｂ2＊＊＊＊
Ｖ
2.7
XA6105＊＊27＊＊
XA6105Ｂ3＊＊＊＊
Ｘ
2.8
XA6105＊＊28＊＊
XA6105Ｂ4＊＊＊＊
Ｙ
2.9
XA6105＊＊29＊＊
7
8
25ms
100ms
25ms
200ms
9
25ms
400ms
XA6105Ｂ5＊＊＊＊
Ｚ
3.0
XA6105＊＊30＊＊
A
25ms
1.6s
XA6105Ｂ6＊＊＊＊
0
3.1
XA6105＊＊31＊＊
B
50ms
50ms
XA6105Ｃ2＊＊＊＊
1
3.2
XA6105＊＊32＊＊
XA6105Ｃ3＊＊＊＊
2
3.3
XA6105＊＊33＊＊
C
50ms
100ms
D
50ms
200ms
XA6105Ｃ4＊＊＊＊
3
3.4
XA6105＊＊34＊＊
E
50ms
400ms
XA6105Ｃ5＊＊＊＊
4
3.5
XA6105＊＊35＊＊
XA6105Ｃ6＊＊＊＊
5
3.6
XA6105＊＊36＊＊
F
50ms
1.6s
H
100ms
100ms
XA6105Ｄ3＊＊＊＊
6
3.7
XA6105＊＊37＊＊
K
100ms
200ms
XA6105Ｄ4＊＊＊＊
7
3.8
XA6105＊＊38＊＊
L
100ms
400ms
XA6105Ｄ5＊＊＊＊
8
3.9
XA6105＊＊39＊＊
4.0
XA6105＊＊40＊＊
M
100ms
1.6s
XA6105Ｄ6＊＊＊＊
9
P
200ms
200ms
XA6105Ｅ4＊＊＊＊
Ａ
4.1
XA6105＊＊41＊＊
R
200ms
400ms
XA6105Ｅ5＊＊＊＊
Ｂ
4.2
XA6105＊＊42＊＊
4.3
XA6105＊＊43＊＊
S
200ms
1.6s
XA6105Ｅ6＊＊＊＊
Ｃ
T
400ms
400ms
XA6105Ｆ5＊＊＊＊
Ｄ
4.4
XA6105＊＊44＊＊
U
400ms
1.6s
XA6105Ｆ6＊＊＊＊
Ｅ
4.5
XA6105＊＊45＊＊
V
1.6s
1.6s
XA6105Ｈ6＊＊＊＊
Ｆ
4.6
XA6105＊＊46＊＊
Ｈ
4.7
XA6105＊＊47＊＊
Ｋ
4.8
XA6105＊＊48＊＊
Ｌ
4.9
XA6105＊＊49＊＊
Ｍ
5.0
XA6105＊＊50＊＊
④ 製造ロットを表す。0∼9、A∼Z 及び反転文字 0∼9、A∼Z を繰り返す。
(但し、G、I、J、O、Q、W は除く。)
21/22
XA6105 シリーズ
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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