INFINEON T930S

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T930S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
enndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM,VRRM
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
VDSM
ElektrischeT Eigenschaften
= -40°C... T
vj
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
vj max
Tvj = +25°C... Tvj max
1600
1800
2000
1600
1800
2000
1700
1900
2100
2000
VRSM
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85
ITAVM
930 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
ITAVM
1360 A
ITRMS
2130 A
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
20500 A
18000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
vD ≤ 67%VDRM, f = 50 Hz,
iGM = 1,2 A, diG/dt = 1,2 A/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
th
5.Kennbuchstabe / 5 letter
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
2100 10³ A²s
1620 10³ A²s
250 A/µs
(dvD/dt)cr
50 V/µs
500 V/µs
B:
C:
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
2,7 V
Tvj = Tvj max, iT = 3500A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
1,35 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,33 mΩ
Durchlasskennlinie
250A ≤ iT ≤ 4500 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v T = A + B ⋅ i T + C ⋅ ln ( i T + 1) + D ⋅
A=
B=
C=
D=
iT
1,613E+00
1,744E-04
-7,502E-02
1,780E-02
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
max.
250 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25 °C, vD = 12V
VGT
max.
2,2 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V
IH
max.
300 mA
1)
IL
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
max. 1500 mA
iGM = 1,2 A, diG/dt = 1,2 A/µs,
tg = 20 µs
Werte nach DIN IED 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
revision:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC/ 2008-09-15, H.Sandmann
A 46/08
2008-09-15
3.0
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T930S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
v Eigenschaften
=V ,v =V
ThermischeDIN
IEC 60747-6
T = Eigenschaften
25 °C, i = 1,2 A, di /dt =
Mechanische
1,2A/µs
D
DRM
vj
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
GM
i D, i R
max.
200 mA
RRM
tgd
max.
1,4 µs
max.
max.
max.
25 µs
40 µs
50 µs
G
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
th
4.Kennbuchstabe / 4 letter
tq
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
einseitig / single-sides
RthCH
F:
K:
M:
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,021
0,020
0,036
0,035
0,048
0,047
max.
max.
0,004 °C/W
0,008 °C/W
125 °C
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40…+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40…+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
Gewicht
weight
G
16…32 kN
A 2,8 x 0,5
Ø 1,5
A 4,8 x 0,5
typ.
600
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
IFBIP D AEC/ 2008-09-15, H.Sandmann
mm
mm
mm
g
20 mm
f = 50 Hz
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50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T930S
Massbild
1: Anode / Anode
4 5
2: Kathode / Cathode
1
2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
R,t – Werte
Diagramme
Kühlung
/
Diagramme
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
T930S
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,00114
0,00224
0,00487
0,00749
0,00426
-
-
τn [s]
0,00140
0,01500
0,17000
1,05000
5,10000
-
-
Rthn [°C/W]
0,00106
0,00239
0,004
0,00725
0,0116
0,0087
-
τn [s]
0,00130
0,01500
0,160
0,90000
5,8000
44,000
-
Rthn [°C/W]
0,00106
0,00245
0,00499
0,0116
0,0127
0,0142
-
τn [s]
0,00130
0,01500
0,19000
1,7000
10,200
53,500
-
Rthn [°C/W]
Trans. Wärmewid. beidseitig
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,05
c
0,04
Z
thJC
[°C/W]
a
0,03
b
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
1 t [s]
10
100
1000
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T930S
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Durchlasskennlinie
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00204
0,00353
0,00478
0,00678
0,01032
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00106
0,00168
0,00263
0,00445
0,00835
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00200
0,00343
0,00465
0,00660
0,01017
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00103
0,00161
0,00251
0,00425
0,00813
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00202
0,00344
0,00467
0,00663
0,01021
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00104
0,00163
0,00253
0,00428
0,00817
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
5.000
Tvj = Tvj max
4.500
4.000
3.500
iT [A]
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
1,5
1,7
1,9
2,1
2,3
2,5
2,7
2,9
3,1
VT [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Phase Control Thyristor
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