桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MMBTH10 ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 VCEO 25 Vdc Collector-Base Voltage 集電極基極電壓 VCBO 30 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO 3.0 Vdc Ic 50 mAdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Symbol 符號 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 MMBTH10=3EM Max 最大值 Unit 單位 225 mW 1.8 mW/℃ 556 ℃/W -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MMBTH10 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(VEB=2.0v,IC=0) IEBO — — 100 nA Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCB=25v,IE=0) ICBO — — 100 nA Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓(Ic=100uA) V(BR)CBO 30 — — V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓(Ic=1mA) V(BR)CEO 25 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓(IE=10uA) V(BR)EBO 3 — — V Collector Saturation Voltage 集電極飽和壓降(Ic=4mAdc,IB=0.4mA) VCE(sat) — — 0.5 Vdc HFE 60 — — fT 650 — — MHz Cob — — 0.7 pF DC Current Gain 直流電流增益 (VCE=10v,IC=4mA) Gain Bandwidth Product 增益帶寬乘積(VCE=10v,IC=4mA) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=10v,IE=0,f=1.0MHz) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. MMBTH10 ■DIMENSION 外形封裝尺寸 單位(UNIT)：mm