桂林斯壯微電子有限責任公司

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM7403
P-channel 30V, DFN3*3 MOSFET PP-溝道場效應管
▉Features 特點
Low gate charge 低柵極電荷密度
Advanced trench technology 優秀溝槽技術
Backside heat sink 背面熱沈
RDS(ON)<8mΩ@VGS=10V
RDS(ON)<11mΩ@VGS=4.5V
▉Applications 應用
DC/DC Converter 直流/直流变换
PWM 脈寬調制應用
▉Internal Schematic
Diagram 內部結構
▉Absolute Maximum
Ratings 最大额定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓
BVDSS
-30
V
Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓
VGS
+25
V
Drain Current (continuous)漏極電流-連續
ID
-20
A
Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲
IDM
-80
A
Total Device Dissipation 總耗散功率
PTOT(at TC = 25°C)
27
W
Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻
RΘJA
75
℃/W
Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度
TJ,Tstg
-55~150
℃
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GM7403
▉Electrical Characteristics
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
Min
符號
最小值
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V)
BVDSS
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS)
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -30V)
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+25V, VDS=0V)
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID=-8A,VGS=-10V)
(ID=-6A,VGS=-4.5V)
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
-30
—
—
V
VGS(th)
-1.7
—
-3
V
IDSS
—
—
-1
uA
IGSS
—
—
+100
nA
—
—
18
36
mΩ
RDS(ON
)
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(ISD=-1A,VGS=0V)
VSD
—
—
-1
V
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz)
CISS
—
1130
—
pF
Common Source Output Capacitance
共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz)
COSS
—
240
—
pF
Reverse Transfer Capacitance 反 向 传 輸 電 容
(VGS=0V, VDS=-15V,f=1MHz)
CRSS
—
155
—
pF
Qgs
—
5.5
—
nC
Qgd
—
3.3
—
nC
Turn-On Delay Time 開启延迟時間
(VDS=-15V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-10V)
td(on)
—
5
—
ns
Turn-On Rise Time 開启上升時間
(VDS=-15V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-10V)
tr
—
2
—
ns
Turn-Off Delay Time 關断延迟時間
(VDS=-15V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-10V)
td(off)
—
16
—
ns
Turn-On Fall Time 開启下降時間
(VDS=-15V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-10V)
tf
—
2
—
ns
Gate Source Charge 栅源電荷密度
(VDS=-15V, ID=-8A, VGS=-10V)
Gate Drain Charge 栅漏電荷密度
(VDS=-15V, ID=-8A, VGS=-10V)
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■DIMENSION 外形封裝尺寸