桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9926A Dual N-channel 20V, TSSOP-8 MOSFET 双 N-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low on-resistance and maximum DC current capability 低導通電阻和最大直流電流能力 Super high density cell design 超高元胞密度設計 RDS(ON)<25mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)<40mΩ@VGS=2.5V ▉Applications 應用 Power Management in Note book 筆記本電源管理 Portable Equipment 便攜式設備 Battery Powered System 電池電源系統 DC/DC Converter 直流/直流变换 Load Switch 負載開關應用 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS 20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +8 V Drain Current (continuous)漏極電流-連續 ID 5.0 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM 20 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) (at TC = 70°C) 2 1.6 W Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 78 ℃/W Thermal Resistance Junction-Case 熱阻 RΘJC 40 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9926A ▉Electrical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =250uA,VGS=0V) BVDSS 20 — — V VGS(th) 0.5 — 1.0 V IDSS — — 1 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — 24 35 25 40 mΩ VSD — — 1.2 V Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= 20V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=5A,VGS=4.5V) (ID=3A,VGS=2.5V) Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=1.7A,VGS=0V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) CISS — 600 — pF COSS — 90 — pF Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容 (VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz) CRSS — 40 — pF Qgs — 1.2 — nC Qgd — 1.9 — nC td(on) — 8 — ns Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V) Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V) Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V) tr — 10 — ns td(off) — 18 — ns Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V) tf — 5 — ns 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9926A ■TYPICAL CHARACTERISTIC CURVE(PER DIE) 典型特性曲线 Fig 1: Output Characteristics Figure 3: On-Resistance vs. Temperature Figure 5: Gate-Charge Characteristics Figure 2: Transfer Characteristics Figure 4: Capacitance vs. Gate-Source Voltage Figure 6: Safe Operating Area 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9926A ■DIMENSION 外形封裝尺寸