桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2007 P-channel 20V, DFN2*2-6 MOSFET P-溝道場效應管 ▉Features 特點 Low gate charge 低柵極電荷密度 Advanced trench technology 優秀溝槽技術 Backside heat sink 背面熱沈 RDS(ON)<45mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)<60mΩ@VGS=-2.5V ▉Applications 應用 Load Switch 負載開關 PWM 脈寬調制應用 Power Management 電源管理 ▉Internal Schematic Diagram 內部結構 ▉Absolute Maximum Ratings 最大额定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 额定值 Unit 單位 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 BVDSS -20 V Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 VGS +10 V Drain Current (continuous)漏極電流-連續 ID -7 A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲 IDM -15 A Total Device Dissipation 總耗散功率 PTOT(at TC = 25°C) 2.7 W Thermal Resistance Junction-Ambient 熱阻 RΘJA 25 ℃/W Junction/Storage Temperature 結溫/儲存溫度 TJ,Tstg -55~150 ℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2007 ▉Electrical Characteristics 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol Min 符號 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID =-250uA,VGS=0V) BVDSS -20 — — V VGS(th) -0.5 — -1.5 V IDSS — — -1 uA IGSS — — +100 nA RDS(ON) — — 45 60 mΩ Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(ISD=-1A,VGS=0V) VSD — — -1 V Forward Transfer Admittance 正向傳輸導納(VDS=-5V,ID=-3.5A) gFS — 8 — S CISS — 600 — pF COSS — 120 — pF CRSS — 80 — pF Qgs — 5.5 — nC Qgd — 3.3 — nC Turn-On Delay Time 開启延迟時間 (VDS=-10V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-4.5V) td(on) — 5 — ns Turn-On Rise Time 開启上升時間 (VDS=-10V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-4.5V) Turn-Off Delay Time 關断延迟時間 (VDS=-10V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-4.5V) Turn-On Fall Time 開启下降時間 (VDS=-10V, RL=1.8Ω, RGEN=3Ω,VGS=-4.5V) tr — 2 — ns td(off) — 16 — ns tf — 2 — ns Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID =-250uA,VGS= VDS) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -16V) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID=-5A,VGS=-4.5V) (ID=-3A,VGS=-2.5V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Common Source Output Capacitance 共源輸出電容(VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Reverse Transfer Capacitance 反 向 传 輸 電 容 (VGS=0V, VDS=-10V,f=1MHz) Gate Source Charge 栅源電荷密度 (VDS=-10V, ID=-3A, VGS=-4.5V) Gate Drain Charge 栅漏電荷密度 (VDS=-10V, ID=-3A, VGS=-4.5V) 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2007 ■DIMENSION 外形封裝尺寸