GSME GM2321

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM2321
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
BVDSS
-20
V
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
VGS
+10
V
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
ID
-2.8
A
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
IDM
-10
A
Total Device Dissipation
總耗散功率
TA=25℃環境溫度爲 25℃
PD
550
mW
Junction 結溫
TJ
150
℃
Storage Temperature 儲存溫度
Tstg
-55to+150
℃
■DEVICE
2321
=A1
GM2321
GM
2321=
MARKING 打標
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GM2321
■ELECTRICAL
CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Drain-Source Breakdown Voltage
漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V)
BVDSS
-20
—
—
V
Gate Threshold Voltage
栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS)
VGS(th)
-0.5
—
-1.5
V
Diode Forward Voltage Drop
内附二極管正向壓降(IS= -0.75A,VGS=0V)
VSD
—
—
-1.5
V
Zero Gate Voltage Drain Current
零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -16V)
(VGS=0V, VDS= -16V, TA=55℃)
IDSS
—
—
-1
-10
uA
Gate Body Leakage
栅極漏電流(VGS=+10V, VDS=0V)
IGSS
—
—
+100
nA
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= -2.8A,VGS= -4.5V)
RDS(ON)
—
—
100
mΩ
Static Drain-Source On-State Resistance
静态漏源導通電阻(ID= -2A,VGS= -2.5V)
RDS(ON)
—
—
120
mΩ
Input Capacitance 輸入電容
(VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz)
CISS
—
600
—
pF
Output Capacitance 輸出電容
(VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz)
COSS
—
120
—
pF
Turn-ON Time 开启時間
(VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω)
t(on)
—
8
—
ns
Turn-OFF Time 关断時間
(VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω)
t(off)
—
60
—
ns
Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%
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■DIMENSION
外形封裝尺寸