iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 1/13 APPLIKATIONSHINWEISE Einstellung des Laserstroms Sollen DC-Ströme bis 150 mA oder Pulsströme bis etwa 700 mA geschaltet werden, so reicht die Verwendung eines Kanals (Beispiel 1). Der Eingang ENx des nicht benötigten Kanals sollte auf GND gelegt und AGNDx offen gelassen werden. Höhere Ströme oder mehrere Stromstärken können durch Verwendung beider Kanäle erreicht werden (Beispiele 2 und 3). Beispiel 1: Schalten eines Stromes von 100 mA 1. 100 mA < 150 mA | ein Kanal genügt 2. nur CEin- und Ausschalten" | auf RK kann verzichtet werden (RK = 0 S) 3. aus Bild 1 (s. a. Datenblatt Bild 2 - 4) benötigte Spannung V(Cl) für RK = 0 S bei I(LDK) = 100 mA ablesen: 1.75 V Bild 1: Bestimmung V(CI) für Beispiel 1 Pulsstrom von 100 mA Bild 2: Signalverlauf zu Beispiel 1 Pulsstrom von 100 mA Wird die in Bild 3 gezeigte Schaltung verwendet und am Pin Cl eine Spannung von 1.75 V angelegt, so kann durch eine vorgegebene Pulsfolge an einem der beiden ENx-Pins (der andere muß auf GND gelegt werden) der Laserdiodenstrom zwischen typisch 0 mA und 100 mA geschaltet werden. Bild 3: Beschaltung des iC-HK für Beispiel 1 Pulsstrom von 100 mA iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 2/13 Beispiel 2: 1. 2. 3. 4. Umschalten zwischen zwei Strompegeln von 50 mA und 250 mA mehr als zwei Strompegel | beide Kanäle werden benötigt der niedrigere Strom von 50 mA wird durch den einen, die restlichen 200 mA Pulsstrom durch den anderen Kanal erzeugt wie in Bild 4 gezeigt (s. a. Datenblatt Bild 3) zu I(LDK) = 200 mA einen RK-Wert auswählen und das zugehörige V(Cl) bestimmen, z. B. RK = 2 S und V(Cl) = 2.75 V wiederum wie in Bild 4 gezeigt zu I(LDK) = 50 mA und V(Cl) = 2.75 V den zugehörigen Wert von RK bestimmen: 20 S Bild 4: Bestimmung V(Cl) für Beispiel 2 und 3 Bild 5: Signalverlauf zu Beispiel 2 Wird bei der in Bild 6 gezeigten Schaltung am Pin CI eine Spannung von 2.75 V angelegt, für RK1 ein 20Sund für RK2 ein 2S-Widerstand eingesetzt und EN1 auf VDD gelegt, so ergibt sich ein Laserdiodenstrom, der vom Signal an EN2 zwischen 50 mA und 250 mA umgeschaltet wird. Bild 6: Beschaltung des iC-HK für Beispiel 2 iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 3/13 Beispiel 3: 1. 2. 3. 4. Umschalten eines Stromes zwischen 0 mA, 100 mA, 200 mA und 300 mA mehr als zwei Strompegel | beide Kanäle werden benötigt 100 mA werden durch den einen, 200 mA durch den anderen Kanal und 300 mA durch beide Kanäle zusammen erzeugt ähnlich wie in Beispiel 2 werden für I(LDK) = 200 mA RK1 zu 3 S und V(Cl) zu 3 V gewählt aus Bild 3 des Datenblatts zu I(LDK) = 100 mA und V(Cl) = 3 V den zugehörigen Wert von RK2 ablesen: ca. 9 S Bild 7: Signalverlauf zu Beispiel 3 in vier Stufen überlagerte Pulsströme Wird bei der in Bild 8 gezeigten Schaltung am Pin CL eine Spannung von 3 V angelegt und für RK1 ein Widerstand von 3 S, für RK2 ein Widerstand von 9 S eingesetzt, so läßt sich u. a. der in Bild 7 gezeigte Stromverlauf erzielen. Bild 8: Beschaltung des iC-HK für Beispiel 3 in vier Stufen überlagerte Pulsströme iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 4/13 Regelung der Laserleistung in Verbindung mit dem iC-WK Mit dem iC-HK läßt sich der Diodenstrom steuern, d. h. das IC arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle. Einflüsse wie Erwärmung der Laserdiode, Alterung und Reflektion durch Aufsatzlinsen können aber das Verhältnis Laserleistung/Laserstrom verändern, so dass die abgegebene Laserleistung vom eingestellten Sollwert abweicht. Um dies zu verhindern, muß die Laserleistung überwacht und der Laserstrom entsprechend nachgeregelt werden. Dies kann durch den Einsatz des Lasertreibers iC-WK erfolgen, der zudem durch die integrierte Anlaufschaltung die Laserdiode beim Einschalten der Versorgungsspannung schützt. Bei Verwendung von Laserdioden mit integrierten Monitordioden (alle Pin-Konfigurationen sind möglich) kann der iC-WK die abgegebene Laserleistung überwachen und die Spannung am Pin Cl derart regeln, dass der Mittelwert des Monitorstromes Imav konstant bleibt und somit immer eine annähernd gleiche mittlere optische Laserleistung abgegeben wird. Die Frequenz der Pulsfolge muß dabei über etwa 100 kHz liegen, damit iC-WK eine korrekte Mittelwertregelung durchführen kann und nicht während eines Pulses nachregelt. Es ist unbedingt dafür Sorge zu tragen, dass beim Einschalten der Versorgungsspannung bereits ein Pulssignal an ENx vorliegt! Ansonsten regelt iC-WK das Potenzial an CI aufgrund des fehlenden Monitorstromes bis an den Anschlag hoch, was zu einer Zerstörung der Laserdiode führen kann, wenn erst zu diesem Zeitpunkt das Pulsen einsetzt. Beispiel 4: Schalten eines Stromes von 100 mA mit Mittelwertregelung durch iC-WK VCC LDA TRANSIENTEN SCHUTZ MDK MDA - LDK + VREF 0.5V 1 VDD CI CI D LDK EN1 NQ R iC-WK ÜBERSTROMABSCHALTUNG EN2 FEEDBACKMONITOR ÜBERTEMP. GND AGND AGND1 AGND2 GND Bild 9: Geregelte Laserleistung durch Laserschalter iC-HK in Verbindung mit Lasertreiber iC-WK Aus dem Datenblatt der verwendeten Laserdiode wird der typische Monitorstrom (Imhi) bestimmt, der sich bei der gewünschten Laserleistung ergibt. Da der iC-WK den Mittelwert des Monitorstromes regelt, muss dieser aus dem Tastverhältnis ermittelt werden: Imav = Imhi × thi / T Der Wert von RM errechnet sich aus der internen Referenzspannung des iC-WK (Kenn-Nr. 101 der iC-WK-Spezifikation: typisch 500 mV) zu Bild 10: Pulsschema zu Beispiel 4 geregelte Laserleistung durch iC-WK RM = 500 mV / Imav Der iC-WK verändert die Spannung V(CI) bis sich ein Monitorstrom entsprechend der Vorgabe von Imav einstellt. iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 5/13 Der iC-WK verfügt über den größten Aussteuerbereich wenn bei einem Strom I(LDK) von etwa 45 mA die Spannung an Pin CI gegen Pin GND des iC-WK ungefähr 1.7 V beträgt (minimal 1.1 V, maximal 2.2 V - begrenzt durch Endstufensättigung bzw. Stromabschaltung). Die Spannung zwischen Pin VCC und Pin GND des iC-WK muss ausreichend hoch sein, so dass die 45 mA in LDK nicht zur Sättigung der Endstufe führen. Die Spannung von 1.7 V an CI führt bei RKx = 0 S zu einem Strom in den Pin LDK des iC-HK von ca. 150 mA pro Kanal. Für größere Laserströme kann die Spannung an Cl erhöht werden, indem der Pin GND des iC-WK virtuell angehoben wird. Dies kann über eine Diode (DGND) oder einen Widerstand (RGND) zwischen GND des iC-WK und Systemmasse geschehen. Die Flußspannung der ausgewählten Diode Vfw(DGND) sollte dabei möglichst gut folgender Bedingung genügen: Vfw(DGND) . V(CI) - 1.7 V Der Widerstand RGND muß so dimensioniert werden, dass gilt: RGND . ( V(CI) - 1.7 V ) / 45 mA In der Regel werden die Widerstände RKx für diesen Fall nicht benötigt. Allerdings kann für Laserdioden, die mit sehr kleinen Strömen arbeiten, wegen der vom iC-WK gelieferten minimalen Spannung an CI die Verwendung von RKx-Widerständen notwendig sein. Für die Dimensionierung der Widerstände können analog zu Beispiel 1 die Bilder 2 bis 4 aus dem Datenblatt herangezogen werden. Desweiteren kann der Einsatz der Widerstände RKx sinnvoll sein, um einen Überstromschutz zu implementieren (siehe Seite 8 ff. ‘Überstromabschaltung/Laserstrombegrenzung’). Die Wahl der Kapazität Cl hängt in erster Linie von der Pulsfrequenz ab. Der iC-WK würde bei zu kleiner Kapazität Cl innerhalb der Taktperiode nachregeln und es könnte keine Mittelwertregelung stattfinden. Da der iC-WK die Lichtstärke mittels Einstellung des Potenzials am CI-Pin regelt, könnte dies beim iC-WK eine Überstrom-Abschaltung oder im schlimmsten Falle einen Laserschaden verursachen, weil die Spannung am Pin CI bei der Wiedereinschaltung sehr hoch sein könnte. Die Kapazität CI muß deshalb ausreichend groß sein, damit das Potenzial während der Pulspause annähernd stabil bleibt. Als Anhalt für die Dimensionierung von Cl dient folgende Formel: Bild 11: Restwelligkeit an CI in Abhängigkeit von Cl $ (100 µA / f) / )V(CI) Im Hierbei steht )V(Cl) für die erlaubte Restwelligkeit an CI und f für die Pulsfrequenz. Die zulässige Restwelligkeit ist abhängig vom verwendeten Laserdiodentyp. Typischerweise beträgt diese 2 mV. Bei Dioden mit extrem steiler Kennlinie muß die zulässige Restwelligkeit verringert werden. Bei niedriger Pulsfrequenz (unter ca. 100 kHz), bei hohen Laserströmen oder bei sehr hochohmigem Widerstand RM kann es passieren, dass die Spannung an MDA während eines Lichtpulses über etwa 0.7 V ansteigt, wodurch der Überstromschutz des iC-WK anspricht und dieser permanent abschaltet. In diesen Fällen ist eine zu RM parallele Kapazität CM zu empfehlen. Um beim Anschalten des Systems Oberschwingungen am Pin Cl zu vermeiden, die gefährliche Überströme am Laser verursachen könnten, muß CM so dimensioniert werden, dass die Zeitkonstante des MDA-Knotens etwa 1/10 der Zeitkonstante der CI-Regelung beträgt: 700mV 500mV V(MDA) 700mV 500mV V’(MDA) Lichtleistung Laser CM . 1 / (10 × f × RM) Sollte der Einsatz von CM notwendig sein, muß die Kapazität Cl ebenfalls größer dimensioniert werden, Bild 12: Spannungsverlauf an MDA mit (V(MDA)) und ohne (V’(MDA)) Kondensator CM iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 6/13 um einer Schwingneigung des Systems entgegen zu wirken. Bei einer mit dem Tastverhältnis thi/T von 1:10 mit f = 100 kHz zu schaltenden 5mW-Laserleistung ergibt sich für einen bestimmten Diodentyp ein Imhi von 0.1 mA, d. h. der mittlere Diodenstrom wird zu Imav = 10 µA. Also muß RM zu etwa 50 kS gewählt werden, Cl zu 50 nF. Bei 100 kHz ist die Verwendung von CM sinnvoll. Der Wert ergibt sich zu 20 pF. Das nebenstehende Oszillogramm zeigt einen möglichen Verlauf der optischen Laserleistung in Abhängigkeit der Versorgungsspannung und der Eingänge EN1 und EN2. Bild 13: Optische Laserleistung bei Beispiel 4 Beispiel 5: Umschalten zwischen zwei Lichtpegeln (50 mA und 250 mA) mit Mittelwertregelung durch iC-WK VCC LDA TRANSIENTEN SCHUTZ MDK MDA - LDK + VREF 0.5V 1 CI VDD CI D LDK EN1 NQ R iC-WK ÜBERSTROMABSCHALTUNG EN2 FEEDBACKMONITOR ÜBERTEMP. GND AGND AGND1 AGND2 GND Bild 14: Umschalten zwischen zwei Lichtpegeln mit Mittelwertregelung durch iC-WK Wird einer der beiden ENx-Eingänge (hier EN1) auf VDD gelegt, so ist der entsprechende Kanal dauerhaft eingeschaltet und liefert somit einen DC- bzw. Biasstrom. Über den zweiten ENx-Eingang (hier EN2) wird der andere Kanal gepulst. An LDK addieren sich der Bias- und der Pulsstrom. Im Bild 15 ist ein Oszillogramm mit einem möglichen Verlauf der optischen Laserleistung sowie der Spannungen an CI und MDA in Abhängigkeit von der Versorgungsspannung sowie den Eingangssignalen an EN1 und EN2 dargestellt. Die Dimensionierung der Widerstände RK1 und RK2 sowie des Sollwertes von V(Cl) erfolgt auf dem gleichen Wege wie in Beispiel 2 gezeigt. Bild 15: Optische Laserleistung bei Beispiel 5 iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 7/13 Der iC-WK regelt den Mittelwert des Monitorstromes. Deshalb muß dieser aus dem hohen und dem niedrigen Monitorstrom sowie dem Tastverhältnis ermittelt werden: Imav = Imhi × thi / T + Imlo × tlo / T Für ein Stromverhältnis k = Imhi / Imlo ergibt dies Imav = Imlo × (tlo + k thi) / T bzw. Imav = Imhi / k × (tlo + k thi) / T Bild 16: Pulsschema für Beispiel 5 Leistungsregelung für Puls- und Biasstrom Der Widerstand RM errechnet sich wiederum aus RM = 500 mV / Imav Da der iC-WK sich in einem optimalen Arbeitspunkt befindet, wenn die Spannung zwischen seinen Pins CI und GND bei etwa 1.7 V liegt, muß mit Hilfe des Widerstandes RGND oder einer Diode DGND das Massepotenzial des iC-WK gegenüber der Systemmasse angehoben werden. Für die Dimensionierung von RGND gilt typisch RGND = ( V(CI) - 1.7 V ) / 45 mA Bei Einsatz einer Diode DGND sollte diese so gewählt werden, dass für ihre Flußspannung V fw(DGND) gilt: Vfw(DGND) = V(CI) - 1.7 V iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 8/13 Überstromabschaltung durch permanente Abschaltung des iC-WK Um die Laserdiode vor Überströmen zu schützen, kann zusätzlich die in Bild 17 aufgezeigte Beschaltung vorgenommen werden. Hierbei wird der iC-WK permanent abgeschaltet und ein Überstrom dauerhaft verhindert. VCC LDA TRANSIENTEN SCHUTZ MDK MDA - LDK + VREF 0.5V 1 VDD CI CI D LDK EN1 iC-WK NQ R ÜBERSTROMABSCHALTUNG EN2 FEEDBACKMONITOR ÜBERTEMP. GND AGND AGND1 AGND2 GND Bild 17: Überstromschutz durch permanente Abschaltung des iC-WK Liegt beim Laserstrom Iop die Überstromschwelle Iopmax um einen gewissen Prozentsatz über dem gewollten hi-Pegel Iophi, so gilt dies auch für jeden der Teilströme aus den beiden Kanälen. Zur Überwachung des gesamten Laserstromes reicht also die Überwachung eines einzelnen Kanals aus. Aufgrund der geringen Anforderungen an den Schalttransistor Q1 empfiehlt sich die Überwachung des Kanals mit der geringeren Pulsfrequenz. Die Schwelle, an der die Abschaltung bzw. Begrenzung aktiv werden soll, liegt bei Bild 18: Pulsschema für Überstromabschaltung Ioplomax = Ioplo × Iopmax / Iophi Hieraus läßt sich der notwendige RKx des Biaskanales bestimmen zu RKx = UBE / Iopmax Mit Hilfe der Bilder 2 bis 4 aus dem Datenblatt können dann auch die Werte für den anderen RKx und die Spannung V(CI) bestimmt werden. Übersteigt bei zu hohem Laserstrom der Spannungsabfall an RKx den Wert von UBE(Q1), wird der Transistor Q1 durchgeschaltet und senkt dadurch das Potenzial am Pin GND des iC-WK und somit auch die Spannung an CI. Dies versucht der iC-WK auszugleichen, was zu einer erhöhten Stromaufnahme in den Pin LDK und der Aktivierung der Überstromabschaltung führt, die den iC-WK permanent abschaltet. iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 9/13 Laserstrombegrenzung ohne Abschaltung des iC-WK Eine andere Möglichkeit, einen Überstromschutz zu realisieren, zeigt Bild 19. Bei steigendem Strom durch RK1 steuert die an diesem Widerstand abfallende Spannung den Transistor Q1 auf, was die Spannung an CI verringert und somit den Laserstrom reduziert. iC-WK wird dabei nicht abgeschaltet. VCC LDA TRANSIENTEN SCHUTZ MDK MDA - LDK + VREF 0.5V 1 VDD CI CI D LDK EN1 NQ R iC-WK ÜBERSTROMABSCHALTUNG EN2 FEEDBACKMONITOR ÜBERTEMP. GND AGND AGND1 AGND2 GND Bild 19: Laserstrombegrenzung ohne Abschaltung des iC-WK Achtung: Durch die direkte Rückkopplung des gesteuerten Stroms durch RKx auf die Steuerspannung an CI besteht eine hohe Schwingungsneigung, der durch experimentelle Einstellung der beteiligten Bauelemente entgegen gewirkt werden muß. Hinweis: Zu beachten ist die starke Abhängigkeit der Laserkennlinie von der Temperatur bei den meisten Laserdioden. Dies gilt insbesondere für den Threshold-Strom (Ith) und den Wirkungsgrad. Um Beschädigungen der Laserdioden zu vermeiden ist für eine geeignete Kühlung der Diode zu sorgen und/oder eine Überstromschutzschaltung wie oben dargestellt einzusetzen. Bild 20: Zusammenhang Laserarbeitspunkt und Temperatur iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 10/13 Layout-Hinweise iC-HK kann in einem sehr breiten Bereich von CW-Anwendungen bis hin zu Anwendungen mit mehr als 150 MHz eingesetzt werden. Hierfür wurden sehr schnelle Schalter integriert, die passend abgeblockt werden müssen, um Schwingungen zu vermeiden. Aus diesem Grunde ist eine kleine Abblockkapazität am iC-WK zwischen Pin 2 (CI) und 3 (AGND) erforderlich sowie am Pin 4 (CI) des iC-HK (s. Bild 19). Eventuell hilft auch eine Vergrößerung der Kapazität CLDA, um einer Schwingungsneigung entgegen zu wirken. Sollte die Verbindung zwischen Laserdiode und iC-HK (LDK Pin 7) induktiv belastet sein, so ist eine kleine Kapazität CLD parallel zur Laserdiode zu empfehlen, um Stromspikes zu vermeiden. Bei höheren Pulsfrequenzen ist es sinnvoll, getrennte Massen einzuführen, wobei die eine Masse für den GNDAnschluss des iC-WK zu verwenden ist, eine für den GND-Anschluss des iC-HK und eine für den Kondensator C1 und die Kanalwiderstände RKx. Bauteil typischer Wert Bemerkung CVCC 100nF Abblockkondensator Versorgungsspannung iC-WK CVDD 100nF Abblockkondensator Versorgungsspannung iC-HK CLDA 1µF Siebkondensator für die Laserdiodenversorgung CLD 2.2nF ESD-Schutz Laserdiode, Siebung bei induktivem Lastkreis CI 47nF.. Mittelwertbildung für V(CI)-Regelung durch iC-WK CM Glättungskapazität für Potenzial an MDA, muß berechnet werden C1 22pF Glättungskapazität für Potenzial an CI LED Vfw < V(VCCWK) V(GNDWK) -1V Last und Potenzialeinstellung für Ausgangsstufe des iC-WK DGND Vfw .V(CI) - 1.7V Anhebung der Masse des iC-WK zur Erhöhung der Steuerspannung V(CI) RGND 0S .. 100S Anhebung der Masse des iC-WK zur Erhöhung der Steuerspannung V(CI) RM 200S .. 50kS Vorgabe Monitorstrom (Mittelwert) RK1 0S .. Vorgabe Kanalstrom 1 RK2 0S .. Vorgabe Kanalstrom 2 RCI 1kS Entkoppelung Pin CI am iC-WK und Pin CI am iC-HK bei Laserstrombegrenzung bzw. Überstromabschaltung iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 11/13 SCHALTUNGSBEISPIELE 1 GND iC-WK LDK 8 1 GND 2 R CI LDK iC-WK 8 LED 2 R CI LDA LED 7 CI 100nF J1 + 3 CLDA CI 1µF 100nF AGND 6 CLDA 3 +3.5..5V VCC 0.5V MDA 6 VCC MD LD +3.5..5V CVCC 0.5V 50k RM 200 5 1µF - AGND CVCC 100nF MDK 7 J1 + - 50k RM 200 4 LDA P-Typ 100nF MD LD 4 MDK 1 EN1 MDA 5 CI 8 VDD 7 M-/N-Typ 1 EN1 EN1 CI 8 EN1 iC-HK 2 AGND1 iC-HK VDD 7 2 AGND1 CVDD 100nF 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 CVDD getrenne Masseführung 100nF 0V Bild 21: Minimalschaltung für M- oder N-TypLaserdiode; Brücke J1 notwendig bei I(LDK) > 70 mA 1 LDK GND iC-WK 6 4 AGND2 EN2 5 1 LDA 2 CLDA CI 1µF 100nF R CI VCC MDK MDA 5 1 EN1 CI 8 0V 8 7 CLDA 3 1µF J1 - AGND +3.5..5V 0.5V CVCC 6 VCC +3.5..5V CVCC 50k RM 200 100nF 4 LDK LDA + 6 AGND 0.5V iC-WK - 50k RM 200 getrenne Masseführung LED 7 J1 + GND DGND RGND alternativ R CI 100nF EN1 GND 8 CI 3 LDK Bild 22: Minimalschaltung für P-Typ-Laserdiode; Brücke J1 notwendig bei I(LDK) > 70 mA LED 2 3 100nF 4 MDK MDA 5 1 EN1 CI 8 2 AGND1 VDD 7 MD LD MD LD EN1 Puls iC-HK iC-HK 2 AGND1 VDD 7 RK1 CVDD RK1 CVDD 100nF 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 100nF getrenne Masseführung 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 getrenne Masseführung 0V 0V Bias RK2 RK2 EN2 Bild 23: Schaltung zum Umschalten des Laserstroms zwischen zwei Stromstärken (z. B. 50 mA und 220 mA) Bild 24: Schaltung zum Umschalten des Laserstroms zwischen verschiedenen Stromstärken, virtuelle GND-Anhebung für iC-WK über RGND oder DGND iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 12/13 1 LDK GND 8 iC-WK DGND RGND alternativ 2 RCI 1k LDA 7 2 CI CLDA CI 100nF 1µF 100nF J1 3 6 5 CI 8 EN1 2 AGND1 4 MDK 1 EN1 MDA 5 CI 8 VDD 7 7 2 AGND1 RK1 CVDD 100nF 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 CVDD getrenne Masseführung 100nF 0V Bias Q1 RK2 1 GND iC-WK DGND LDK 8 LDA 7 LED alternativ 2 R CI CI CLDA 100nF 3 1µF J1 + - AGND 6 VCC +3.5..5V CVCC 0.5V 50k RM 100nF CM 200 4 MDK MDA 5 MD LD CLD 2.2nF EN1 1 EN1 CI 8 VDD 7 iC-HK 2 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 getrenne Masseführung 0V Bias RK2 Bild 25: wie Bild 24; Laserstrombegrenzung durch Überwachung im Biasstrompfad und Eingriff in V(CI) RGND MD LD iC-HK RK1 Q1 +3.5..5V CVCC 100nF 22nF VDD 6 VCC Puls C1 iC-HK 1µF - AGND 0.5V MD LD Puls 7 50k RM 200 100nF EN1 LDA J1 CVCC MDA 8 CLDA 3 +3.5..5V VCC 0.5V 1 R CI + AGND MDK iC-WK - 50k RM 200 4 LDK GND LED alternativ R CI + EN1 1 DGND RGND LED AGND1 RK1 CVDD 100nF 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 getrenne Masseführung 0V RK2 EN2 Bild 27: wie Bild 24; Beschaltungsmöglichkeiten als Gegenmaßnahmen bei Schwingungen im System (experimentell auf den einzelnen Aufbau abzustimmen) Bild 26: wie Bild 24; Überstromabschaltung durch Überwachung im Biasstrompfad und permanente Abschaltung des iC-WK iC-HK 155MHz-LASERSCHALTER Ausgabe 30.08.01, Seite 13/13 1 RGND GND iC-WK DGND LDK 8 LED 2 R CI LDA 7 CI CLDA 100nF 3 1µF J1 + 6 AGND VCC +3.5..5V CVCC 0.5V 50k CM 100nF RM 200 4 MDK MDA 5 MD LD CLD 2.2nF 1 EN1 EN1 CI 8 VDD 7 Puls iC-HK 2 AGND1 RK1 CVDD 100nF Q1 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 CI 8 getrenne Masseführung ½Bias RK2 EN3 1 EN1 2 AGND1 VDD 7 3 LDK GND 6 4 AGND2 EN2 5 Dither iC-HK RK1 CVDD 2.2nF ½Bias RK2 Bild 28: Verwendung von zwei iC-HK zur Erhöhung des Biasstroms und zum Dithering 0V