NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 ＳＴＣ１２８Ｍ HX128M █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 低压大电流驱动。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92S T s t g——贮存温度………………………………… －55~150℃ T j —— 结 温 … … … … … … … … … … … … … … … … … 1 5 0 ℃ P C ——集电极耗散功率………………………………400mW 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B VCBO ——集电极—基极电压………………………………20V VC E O ——集电极—发射极电压……………………………15V VE B O ——发射极—基极电压………………………………6.5V I C ——集电极电流………………………………………1. 5 A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ＢＶＣＢＯ ＢＶＣＥＯ ＢＶＥＢＯ ＩＣＢＯ ＩＥＢＯ ＨＦＥ ＶＣＥ（ｓａｔ） ｆＴ Ｃｏｂ Ｒｏｎ 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 特征频率 共基极输出电容 通态电阻 最小值 典型值 最大值 ２０ １５ ６．５ １５０ ０．２ ２６０ ５ ０．６ ０．１ ０．１ ０．３ 单 位 Ｖ Ｖ Ｖ μＡ μＡ Ｖ ＭＨｚ ｐＦ Ω 测 试 条 件 ＩＣ＝５０μＡ，ＩＥ＝０ ＩＣ＝１ｍＡ，ＩＢ＝０ ＩＥ＝５０μＡ，ＩＣ＝０ ＶＣＢ＝２０Ｖ， ＩＥ＝０ ＶＥＢ＝６Ｖ， ＩＣ＝０ ＶＣＥ＝１Ｖ， ＩＣ＝１００ｍＡ ＩＣ＝５００ｍＡ， ＩＢ＝５０ｍＡ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝５０ｍＡ ＶＣＢ＝１０Ｖ，ＩＥ＝０，ｆ＝１ＭＨｚ ｆ＝１ＫＨｚ，ＩＢ＝１ｍＡ， ＶＩＮ＝０．３Ｖ