PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSP94 H A94 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压控制应用 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率………………………625mW 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C VCBO——集电极—基极电压………………………………-400V VCEO——集电极—发射极电压……………………………-400V V EBO ——发射极—基极电压………………………………-6V I C ——集电极电流………………………………………-300mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 BVCBO 集电极—基极击穿电压 -400 V IC=-100μA，IE=0 BVCES 集电极—发射极击穿电压 -400 V IC=-100μA，VBE=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 -6 V IE=-10μA，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 -100 nA VCB=-300V, IE=0 IEBO 发射极—基极截止电流 -100 nA VEB=-4V, IC=0 ICES 集电极—发射极截止电流 -1 μA VCE=-400V，VBE=0 hFE 直流电流增益 VCE（sat）1 集电极—发射极饱和电压 VCE（sat）2 VCE=-10V, IC=-1mA 40 60 件 VCE=-10V, IC=-10mA 300 45 VCE=-10V, IC=-50mA 40 VCE=-10V, IC=-100mA -0.5 V IC=-10mA, IB=-1mA -0.75 V IC=-50mA, IB=-5mA VBE(sat) 基极—发射极饱和电压 -0.75 V IC=-10mA IB=-1mA Cob 共基极输出电容 7 pF VCB=-20V, IE=0，f=1MHz