NPN SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 MPSA42 HA42 A1 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压控制应用。（与 HA92 互补） █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ PC——集电极耗散功率……………………………625mW VCBO——集电极—基极电压………………………………300V 1―发射极，E 2―基 极，B 3―集电极，C VCEO——集电极—发射极电压……………………………300V V E B O ——发射极—基极电压………………………………6V I C ——集电极电流………………………………………500mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO ICES HFE VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat) fT 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 集电极—发射极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 特征频率 最小值 典型值 最大值 300 300 6 100 100 1 单 位 V V V nA nA μA 25 40 40 0.5 1.0 0.9 50 V V V MHz 测 试 条 件 IC=100μA，IE=0 IC=1mA，IB=0 IE=100μA，IC=0 VCB=200V, IE=0 VEB=6V, IC=0 VCE=300V, VBE=0 VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=30mA IC=20mA, IB=2mA IC=60mA, IB=6mA IC=20mA， IB=2mA VCE=20V, IC=10mA ， f=100MHz