PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 KSA928A H928S █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………750mW V CBO ——集电极—基极电压………………………………-30V 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B V CEO ——集电极—发射极电压……………………………-30V V EBO ——发射极—基极电压………………………………-5V IC——集电极电流………………………………………-2A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 符 号 说 明 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 最小值 典型值 最大值 -30 -30 -5 -100 -100 320 -2 -1 100 120 48 █ 分档及其标志 O Y 100—200 160—320 单 位 V V V nA nA V V MHz pF 测 试 条 件 IC=-100μA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=-1.5A, IB=-30mA VCE=-2V, IC=-500mA VCE=-2V, IC=-500mA VCB=-10V,IE=0 f=1MHz