ＲＴ１Ｐ１４１Ｘシリーズ スイッチング用 シリコンＰＮＰエピタキシァル形 抵抗入りトランジスタ 外形図 特徴 単位：mm ・ﾊﾞｲｱｽ用抵抗を内蔵(R1=10kΩ,R2=10kΩ) ・ｾｯﾄの小型化、高密度実装が可能 ・ｺﾝﾌﾟﾘﾒﾝﾀﾘとして RT1N141X ｼﾘｰｽﾞがあります。 RT1P141C 2.8 0.4 0.95 C (OUT) R1 B (IN) ③ 0～0.1 等価回路 ② 0.65 0.13 1.1 ｲﾝﾊﾞｰﾀ回路、ｽｲｯﾁﾝｸﾞ回路、ｲﾝﾀｰﾌｪｰｽ回路、ﾄﾞﾗｲﾊﾞ回路 ① 1.5 0.8 2.8 1.90 用途 0.95 0.65 JEITA：SC-59 JEDEC：TO-236 類似 R2 電極接続 ①：ベース ②：エミッタ ③：コレクタ E (GND) RT1P141U RT1P141M 2.1 0.425 0.35 1.25 4.0 0.425 0.3 1.0 0.1 ③ 1.0 ② 14.0 ③ ① 13.0MIN ② 0.65 2.0 1.3 ① 0.65 0.32 0.5 0.22 0.5 1.7 1.0 3.0 0.8 7.5MAX 1.5 0.35 RT1P141S 0.45 JEITA：SC-75A JEDEC：－ 電極接続 ①：ベース ②：エミッタ ③：コレクタ 0.4 2.5 0.15 2.5 ① ② ③ 0～0.1 0.7 0.9 0.12 0～0.1 0.55 0.7 2.5 JEITA：SC-70 JEDEC：－ 電極接続 ①：ベース ②：エミッタ ③：コレクタ JEITA：－ JEDEC：－ 電極接続 ①：エミッタ ②：コレクタ ③：ベース ＲＴ１Ｐ１４１Ｘシリーズ スイッチング用 シリコンＰＮＰエピタキシァル形 抵抗入りトランジスタ マーク図 RT1P141C RT1P141M RT1P141U RT1P141S P14 1□□ P1 形名表示 ﾛｯﾄ情報 形名表示 最大定格(Ta=25℃) 記号 ＶＣＢＯ ＶＥＢＯ ＶＣＥＯ ＶIN Ｉ Ｃ Ｉ ＣＭ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ 項目 コレクタ・ベース間電圧 エミッタ・ベース間電圧 コレクタ・エミッタ間電圧 入力電圧 コレクタ電流 せん頭コレクタ電流 コレクタ損失 接合部温度 保存温度 RT1P141U RT1P141M 150 定 格 値 RT1P141C -50 -10 -50 -40 -100 -200 200 +150 -55～+150 RT1P141S 単位 V V V V mA mA mW ℃ ℃ 450 電気特性(Ta=25℃) 記号 Ｖ（ＢＲ）ＣＥＯ Ｉ ＣＢＯ Ｉ EＢＯ ｈＦＥ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＩ（ＯＮ） ＶＩ（ＯＦＦ） Ｒ１ Ｒ２／Ｒ１ ｆＴ 項目 コレクタ・エミッタ降伏電圧 コレクタしゃ断電流 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 コレクタ・エミッタ飽和電圧 入力オン電圧 入力オフ電圧 入力抵抗 抵抗比率 利得帯域幅積 測 定 I C=-100μA，RBE=∞ VCB=-50V，I E =0 VEB=-5V，I C =0 VCE=-5V，I C =-10mA I C =-10mA，I B =-0.5mA VCE=-0.2V，I C =-5mA VCE=-5V，I C =-100μA － － VCE=-6V，I E =10mA 条 件 特 最小 -50 － -192 50 － － -0.8 7.0 0.9 － 性 値 標準 － － -250 － -0.1 -1.5 -1.1 10 1.0 150 最大 － -0.1 -357 － -0.3 -3.0 － 13 1.1 － 単位 V μA μA － V V V kΩ － MHz ＲＴ１Ｐ１４１Ｘシリーズ スイッチング用 シリコンＰＮＰエピタキシァル形 抵抗入りトランジスタ 標準特性(Ta=25℃) 直流電流増幅率－コレクタ電流 コレクタ損失－周囲温度 1000 600 VCE=-5V RT1P141S RT1P141C RT1P141M 400 直流電流増幅率 hFE コレクタ損失 Pc (mW) 500 RT1P141U 300 200 100 10 100 0 0 25 50 75 100 125 150 1 -0.1 175 周囲温度 Ta (℃) 入力オン電圧－コレクタ電流 -100 -1000 VCE=-0.2V VCE=-5V コレクタ電流 IC (μA) 入力オン電圧 VI(on) (V) -10 コレクタ電流－入力オフ電圧 -10 -1 -0.1 -1 -10 -100 コレクタ電流 IC(mA) -1 IC/IB=20 -0.1 -0.01 -1 -10 コレクタ電流 IC(mA) -100 -10 -0.0 -0.5 -1.0 -1.5 入力オフ電圧 VI(off) (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧－コレクタ電流 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) -1 コレクタ電流 IC(mA) -100 -2.0 http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065 長崎県諌早市津久葉町 6-41 安全設計に関するお願い ・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品 の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した 冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の 技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ ハヤ電子は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに 変更することがあります。製品の購入に当たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。 ・本資料に記載された製品は、人命に関わるような状況の下で使用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的 として設計、製造されたものではありません。本資料の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底 中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。 2012年12月作成