ISAHAYA RT2P12M

RT2P12M
エミッタコモン2素子内蔵
複合抵抗入りトランジスタ
概 要
外形図
単位:mm
2.1
RT2P12M は、抵抗入りトランジスタ RT1P436 を2素子内蔵し
りセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が可能となります。
●スーパーミニパッケージ(5ピン)に RT1P436 を2素子内蔵
●セットの小型化、高密度実装が可能
0.65
2.0
特 長
②
0.65
①
③
⑤
0.2
1.25
た複合抵抗入りトランジスタです。このトランジスタのご使用によ
④
用 途
0.13
0∼0.1
0.65
0.9
インバータ回路、スイッチング回路、インターフェイス回路、ドライバ回路
⑤
RTr1
R1
RTr2
R2
①
電極接続
①:ベース1
②:エミッタ(共通)
③:ベース2
④:コレクタ2
⑤:コレクタ1
④
R1
R2
②
JEITA:SC-88A
JEDEC:−
③
最大定格(Ta=25℃)
(RTr1、RTr2 共通)
記 号
項
目
定
格
値
単位
VCBO
コレクタ・ベース間電圧
-50
V
VEBO
エミッタ・ベース間電圧
-6
V
VCEO
コレクタ・エミッタ間電圧
-50
V
IC
コレクタ電流
-100
mA
I CM
せん頭コレクタ電流
-200
mA
PC
コレクタ損失(トータル)
150
mW
Tj
接合部温度
+150
℃
Tstg
保存温度
-55∼+150
℃
マーク図
⑤
④
P H
①
②
③
RT2P12M
エミッタコモン2素子内蔵
複合抵抗入りトランジスタ
電気的特性(Ta=25℃)
(RTr1、RTr2 共通)
記 号
項
目
測
定
条
件
規
最小
格
標準
値
最大
-50
単位
V(BR)CBO
コレクタ・エミッタ降伏電圧
I C=-100μA,RBE=∞
V
ICBO
コレクタしゃ断電流
VCB=-50V,I E =0
hFE
直流電流増幅率
VCE=-5V,I C=-10mA
VCE(sat)
コレクタ・エミッタ飽和電圧
I C=-10mA,I B=-0.5mA
-0.1
-0.3
V
VI(ON)
入力オン電圧
VCE=-0.2V,I C=-5mA
-0.8
-1.4
V
VI(OFF)
入力オフ電圧
VCE=-5V,I C=-100μA
R1
入力抵抗
R2/R1
抵抗比率
fT
利得帯域幅積
-0.1
80
-
-0.4
-0.6
3.3
4.7
6.1
10
12
8
VCE=-6V,I E=10mA
V
150
入力オン電圧−コレクタ電流
直流電流増幅率−コレクタ電流
VCE=-5V
直流電流増幅率 hFE
入力オン電圧 VI(ON)(V)
1000
VCE=-0.2V
-1
-0.1
-10
コレクタ電流 I
mA)
C(
-100
コレクタ電流−入力オフ電圧
-1000
VCE=-5V
コレクタ電流 I
μA)
C(
100
10
-1
-100
-10
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
入力オフ電圧 VI(OFF)(V)
-2
-1
-10
コレクタ電流 I
mA)
C(
kΩ
MHz
標準特性(Tr1、Tr2)
-10
μA
-100
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2002 年 11 月作成