ETC RT3T66M

RT3T66M
独立2素子内蔵
複合抵抗入りトランジスタ
概 要
外形図
2.1
RT3T66M は、抵抗入りトランジスタ RT1N430 と RT1P430 を内蔵し
単位:mm
1.25
⑥
0.65
②
⑤
③
④
りセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が可能となります。
2.0
特 長
●スーパーミニパッケージ(6ピン)に RT1N430 と RT1P430 を内蔵
●セットの小型化、高密度実装が可能
0.2
①
0.65
た複合抵抗入りトランジスタです。このトランジスタのご使用によ
用 途
0.13
0∼0.1
0.65
0.9
インバータ回路、スイッチング回路、インターフェイス回路、ドライバ回路
PNP 抵抗付きトランジスタ RTrの−符号は省略しております。
⑤
⑥
④
電極接続
①:エミッタ1
②:ベース1
③:コレクタ2
④:エミッタ2
⑤:ベース2
⑥:コレクタ1
R1
RTr1
RTr2
R1
①
②
JEITA:SC-88
JEDEC:−
③
最大定格(Ta=25℃)
(RTr1、RTr2 共通)
記 号
項
目
定
格
値
単位
VCBO
コレクタ・ベース間電圧
50
V
VEBO
エミッタ・ベース間電圧
6
V
VCEO
コレクタ・エミッタ間電圧
50
V
I
C
コレクタ電流
100
mA
CM
せん頭コレクタ電流
200
mA
PC
コレクタ損失(トータル)
150
mW
Tj
接合部温度
I
Tstg
保存温度
+150
℃
-55∼+150
℃
マーク図
6
5
4
T66
1
2
3
RT3T66M
独立2素子内蔵
複合抵抗入りトランジスタ
電気的特性(Ta=25℃)
(RTr1、RTr2 共通)
記 号
項
目
測
定
条
V(BR)CBO
コレクタ・エミッタ降伏電圧
I C=-100μA,RBE=∞
ICBO
コレクタしゃ断電流
VCB=-50V,I E =0
hFE
直流電流増幅率
VCE=-5V,I C=-1mA
VCE(sat)
コレクタ・エミッタ飽和電圧
I C=-10mA,I B=-0.5mA
R1
入力抵抗
fT
利得帯域幅積
件
規
最小
格
値
標準
最大
50
V
0.1
μA
0.1
0.3
V
4.7
6.1
KΩ
100
3.3
VCE=-6V,I E=10mA
-
150
MHz
標準特性(Tr1)
入力オン電圧 - コレクタ電流
直流電流増幅率 - コレクタ電流
10
1000
VCE=0.2V
入力オン電圧 VI(ON) (V)
直流電流増幅率 hFE
VCE=5V
100
0.1
1
10
100
コレクタ電流 - 入力オフ電圧
1000
VCE=5V
100
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.1
1
10
コレクタ電流 Ic (mA)
コレクタ電流 Ic(mA)
コレクタ電流 Ic (uA)
1
0.1
10
1.4
入力オフ電圧 VI(OFF) (V)
1.6
1.8
2
単位
100
RT3T66M
独立2素子内蔵
複合抵抗入りトランジスタ
標準特性(Tr2)
直流電流増幅率-コレクタ電流
入力オン電圧-コレクタ電流
1000
-10
VCE=-5V
直流電流増幅率 hFE
入力オン電圧 VI(ON) (V)
VCE=-0.2V
-1
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
コレクタ電流-入力オフ電圧
コレクタ電流 Ic (uA)
-1000
VCE=-5V
-100
-10
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
-1
-1.2 -1.4 -1.6 -1.8
入力オフ電圧 VI(OFF) (V)
10
-0.1
-1
-10
コレクタ電流 Ic(mA)
コレクタ電流 Ic (mA)
-0
100
-2
-100
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2002 年 11 月作成