N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS80N70F 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson（@Vgs=10V） Qg 封装 Package 85 A 70 V 8.5 mΩ 76 nC 产品用途 z用 于 高 功 率 DC/DC 转换和功 率开关 z 直流电机控制和 D 类放大器 APPLICATIONS z High power DC/DC converters and switch mode power supply z DC Motor control and Class D Amplifier 产品特性 z 低栅极电荷 z 低Crss z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 FEATURES z Low gate charge z Low Crss z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 印 Order codes Marking Package JCS80N70CF-O-C-N-B JCS80N70CF TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.15 g(typ) JCS80N70SF-O-S-N-A JCS80N70SF TO-263 否 NO 卷盘 Reel 1.37 g(typ) JCS80N70SF-O-S-N-B JCS80N70SF TO-263 否 NO 条管 Tube 1.37 g(typ) 版本：201407C 记 封 装 无卤素 Halogen Free 包 装 器件重量 订 货 型 号 Packaging Device Weight 1/9 JCS80N70F R 绝对最大额定值 项 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 目 符 Parameter 号 Symbol 数 值 Value 单 位 JCS80N70CF/SF Unit 70 V 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 连续漏极电流 Drain Current-continuous ID T=25℃ T=100℃ 85 A 68 A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） IDM 340 A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±20 V 单脉冲雪崩能量（注 2） EAS Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 980 mJ 雪崩电流（注 1） Avalanche Current(note 1) 85 A EAR 20.8 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery Dv/dt （note 3） dv/dt 4.9 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25 ℃ -Derate above 25℃ 150 W 1.1 W/℃ 最高结温及存储温度 Operating and StorageTemperature Range TJ，TSTG -55～+175 ℃ 引线最高焊接温度 Maximum LeadTemperature for Soldering Purposes TL 300 ℃ B B B B B B B B B 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy B IAR B （note 1） B B B B B B B B B B B B B *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201407C 2/9 JCS80N70F R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 符 Parameter 号 Symbol 测试条件 最大 典型 最 大 单 位 Tests conditions Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/Δ ID=1mA, referenced to 25℃ TJ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS B ID=250μA, VGS=0V B 70 - - V B - 0.08 - V/℃ VDS=70V,VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=70V, - - 10 μA nA B B B B B B B B B B B B B B B 正向栅极体漏电流 IGSSF Gate-body leakage current, forward B B B B B B TC=125℃ B B B VDS=0V, VGS =20V - - 100 VDS=0V, VGS =-20V - - -100 nA 2.0 - B 反向栅极体漏电流 IGSSR Gate-body leakage current, reverse B B B B B B B B 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) B B 静态导通电阻 RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance B 正向跨导 Forward Transconductance gfs B VDS = VGS , ID=250μA B VGS =10V , ID=40A B B B B B B B B B B - VDS = 10V , ID=40A（note 4） B B B B 4.0 7.4 8.5 V mΩ 68 - S - 4400 - pF - 480 - pF - 240 - pF B 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 版本：201407C B VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ B B B B B B B B B B B 3/9 JCS80N70F R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time - 18 ns - 54 ns td(off) - 55 ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 35 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - 76 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - 18 - nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd - 25 - nC B VDD=35V,ID=40A,RG=25Ω （note 4，5） B B B B B B B B B B B B B B VDS =35V , ID=40A VGS =10V （note 4，5） B B B B B B B B B B B 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM B B 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr B B B VGS=0V, B B IS=40A B B B VGS=0V, IS=40A dIF/dt=100A/μs (note 4) B B B B B B B - - 85 A - - 340 A - - 1.2 V - 58 - ns - 183 - μC B B B 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 符 Parameter 最大 Max 号 Symbol 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 单 位 Unit JCS80N70CF/SF Rth(j-c) 0.60 ℃/W 结到环境的热阻 Rth(j-A) Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=10mH, IAS=14A, RG=25 Ω,起始结温TJ=25℃ B B B B B B 2：L=10mH, IAS=14A, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ B 3：ISD ≤100A,di/dt ≤100A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 B B B B B B 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ B B B B 3：ISD ≤100A,di/dt ≤100A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ B TJ=25℃ B B B B B 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 5：基本与工作温度无关 版本：201407C B 4/9 JCS80N70F R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Transfer Characteristics On-Region Characteristics VGS 12V 10V 8V 7V 6V Bottom 5V VGS=8V Top 240 300 VGS=7V 240 180 VGS=6V ID [A] I D [A] 180 120 120 VGS=5V 60 0 Notes： 1.250μs pulse test 2.VDS=40V 60 Notes: 1. 250μs pulse test 2. TC=25℃ 0 5 10 0 15 0 2 4 6 8 10 VGS [V] V DS [V] On-Resistance Variation vs. Drain Current and Gate Voltage Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature 100 0.040 80 0.030 150℃ I DR [A] 0.025 40A 0.020 60 40 0.015 25℃ 0.010 Notes： 250μs pulse test 0.005 0.000 2 4 6 8 10 12 14 20 0 0.4 VGS=0V 0.5 0.6 0.7 VGS [V] 0.8 3 4.5x10 3 4.0x10 1.1 1.2 VDS=15V VDS=34V 10 VDS=55V VGS Gate Source Voltage[V] Ciss = Cgs +Cgd (Cds =shorted) Coss = Cds +Cgd Crss = Cgd 3 1.0 Gate Charge Characteristics 12 3 5.5x10 5.0x10 0.9 V S D [V] Capacitance Characteristics Capacitance [pF] RDSON [Ω] 0.035 8 3 3.5x10 3 3.0x10 6 3 2.5x10 3 2.0x10 4 3 1.5x10 3 1.0x10 2 2 5.0x10 0.0 -1 10 版本：201407C 0 10 1 10 VDS Drain-Source Voltage [V] 0 0 10 20 30 40 50 Qg Toltal Gate Charge [nC] 60 70 80 5/9 JCS80N70F R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation vs. Temperature On-Resistance Variation vs. Temperature 2.00 1.15 1.75 RDS(on)(Normalized) BVDSS(Normalized) 1.10 1.05 1.00 Notes： 1. VGS=0V 2. ID=250μA 0.95 0.90 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 1.50 1.25 1.00 Notes： 1. VGS=10V 2. ID=40A 0.75 175 0.50 -100 -50 0 50 Tj [℃ ] 100 150 200 Tj [ ℃ ] Maximum Safe Operating Area For JCS80N70CF/SF Maximum Drain Current vs. Case Temperature 3 10 90 2 10 70 ID Drain Current [A] ID Drain Current [A] 80 10μs 100μs 1ms 10ms 100ms 60 50 DC 40 1 10 30 Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=150℃ 3 Single Pulse 0 10 20 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 0 10 1 10 0 25 2 10 10 VDS Drain-Source Voltage [V] 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃] Transient Thermal Response Curve D = 0 .5 0 .1 0 .2 N 1 2 3 0 .1 0 .0 5 θ JC (t) Thermal Response 1 Z 0 .0 2 P o te s : Z θ J C(t)= 0 .6 0 ℃ /W M a x D u ty F a c to r , D = t1 /t2 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t) DM 0 .0 1 1 E -5 t1 s in g le p u ls e 0 .0 1 1 E -4 1 E -3 t2 0 .0 1 0 .1 1 10 t1 S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ] 版本：201407C 6/9 R JCS80N70F 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201407C 单位 Unit：mm 7/9 R JCS80N70F 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-263 版本：201407C 单位 Unit：mm 8/9 N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 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