N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET R JCS3205C 主要参数 封装 Package MAIN CHARACTERISTICS 110 A ID 55 V VDSS Rdson（@Vgs=10V） 8 mΩ 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z UPS 电源 z High 产品特性 FEATURES z Low gate charge z Low Crss (typical 197pF ) z Fast switching z 100% avalanche tested z Improved dv/dt capability z RoHS product z 低栅极电荷 z 低 Crss (典型值 197pF) z 开关速度快 z 产品全部经过雪崩测试 z 高抗 dv/dt 能力 z RoHS 产品 efficiency switch mode power supplies z UPS 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking JCS3205C-O-C-N-B 版本：201103A 记 JCS3205C 封 装 Package TO-220C 无卤素 Halogen Free 否 NO 包 装 Packaging 条管 Tube 器件重量 Device Weight 2.15 g(typ) 1/8 JCS3205C R 绝对最大额定值 项 A B S O L U T E R A T IN G S (Tc=25℃) 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 单 位 Value Unit 55 V 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 连续漏极电流 Drain Current ID T=25℃ T=100℃ 110* A 80* A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） IDM 390* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±20 V 2970 mJ -continuous 单脉冲雪崩能量（注 2） EAS Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） IAR 60 A 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） EAR 20 mJ 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） dv/dt 5.0 V/ns 200 W 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 1.29 W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ 最高结温及存储温度 TJ，TSTG Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201103A 2/8 JCS3205C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to 25℃ TJ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=60A 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 25V, ID=60A（note 4） 43 ID=250μA, VGS=0V 55 - - - V - V/℃ VDS=55V,VGS=0V, TC=25℃ - - 10 μA VDS=44V, - - 10 μA VGS =20V - - 100 nA VGS =-20V - - -100 nA 2.0 - 4.0 V - - 8 mΩ - - S TC=125℃ 通态特性 On-Characteristics 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 版本：201103A VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 3101 pF - 749 pF - 197 pF 3/8 JCS3205C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time VDD=28V,ID=60A,RG=25Ω （note 4，5） - 17 - ns - 122 - ns td(off) - 57 - ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 72 - ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - - 118 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs - - 24 nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd - - 48 nC VDS =44V , ID=60A VGS =10V （note 4，5） 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain -Source Diode Forward Current IS - - 110 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 390 A 1.3 V 正向压降 Drain-Source Diode Forward Voltage VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=60A - VGS=0V, IS=60A dIF/dt=100A/μs (note 4) - 425 - ns - 4.31 - μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 最大 单 位 Symbol Max Unit 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 0.74 ℃/W 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 62.5 ℃/W 注释： Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 1：Pulse width limited by maximum junction 2：L=0.15mH, IAS=60A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始 结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 temperature 2：L=0.15mH, IAS=60A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤60A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 版本：201103A 4/8 JCS3205C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Transfer Characteristics On-Region Characteristics 1000 1000 VGS 15V 10V 9V 8V 7V 6.5V 6V 5.5V Bottom 5V 25℃ 100 ID [A] I D [A] Top 175℃ 100 10 10 Notes: 1.250μs pulse test 2.VDS=40V Notes: 1. 250μs pulse test 2. TC=25℃ 1 0.1 1 10 1 100 4 6 8 10 12 VGS [V] V DS [V] Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Capacitance Characteristics 1000 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 3 5x10 Capacitance [pF] IDR [A] 100 150 ℃ 10 25 ℃ Notes: 1. 250μs pulse test 2. VGS=0V 1 3 4x10 Ciss 3 3x10 Coss 3 2x10 3 1x10 Crss 0 0.1 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0 3.0 10 VSD [V] Gate Charge Characteristics 1 10 V D S Drain-Source Voltage [V] Maximum Safe Operating Area 12 3 VDS=44V VDS=28V 10 10μs VDS=11V 8 ID Drain Current [A] VGS Gate Source Voltage[V] 10 2 10 6 4 100μs Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 1ms 10ms 1 10 Note: 1 TC=25 ℃ 2 TJ=150 ℃ 3 Single Pulse 2 0 0 0 10 20 30 40 50 Qg Toltal Gate Charge [nC] 版本：201103A 60 70 10 0 10 1 2 10 10 VDS Drain-Source Voltage [V] 5/8 JCS3205C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Maximum Drain Current vs. Case Temperature 120 ID Drain Current [A] 100 80 60 40 20 0 25 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃] Transient Thermal Response Curve D = 0 .5 0 .1 0 .2 N 1 2 3 0 .1 0 .0 5 o te s : Z θ J C (t)= 0 .7 4 ℃ /W M a x D u ty F a c to r , D = t1 /t2 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t) 0 .0 2 Z θ JC (t) Thermal Response 1 0 .0 1 P 0 .0 1 DM t1 s in g le p u ls e 1 E -5 1 E -4 1 E -3 0 .0 1 t2 0 .1 1 10 t1 S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ] 版本：201103A 6/8 R JCS3205C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201103A 单位 Unit：mm 7/8 JCS3205C R 注意事项 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 NOTE 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 版本：201103A MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 8/8