JCS1L60C/F

N 沟道增强型场效应晶体管
R
JCS1L60C/F
产品特性
◆1.0A,600V,RDS=12 Ω
@VGS=10V
5.9nC)
◆低 Crss(典型值 3.6pF)
◆开关速度快
◆产品全部经过雪崩测试
◆高抗 dv/dt 能力
◆低栅极电荷(典型值
概述
JCS1N60C/F 是 N 沟道增强型场效应晶体管,采用
平面条形的 VDMOS 技术制造。利用该技术可以减小最
低导通电阻,提高开关特性,提高产品在雪崩击穿和
串并模式下承受高能量脉冲的能力。
该器件适用于高效率开关电源供应器。
器件
封装
JCS1L60C
TO-220
JCS1L60F
TO-220F
绝对最大额定值(除特殊标注外,Tc=25℃)
项
目
最大漏极-源极直流电压
连续漏极电流
符
号
数
JCS1L60C
VDSS
ID
值
JCS1L60F
单
600
位
V
T=25℃
1.0
1.0*
A
T=100℃
0.6
0.6*
A
3
3*
A
最大脉冲漏极电流(注 1)
IDM(注 1)
最大栅源电压
VGSS
±30
V
单脉冲雪崩能量(注 2)
EAS(注 2)
50
mJ
雪崩电流(注 1)
IAR(注 1)
1.0
A
重复雪崩能量
EAR(注 1)
3.4
mJ
5.5
V/ns
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3) dv/dt(注 3)
耗散功率
最大结温及存储温度
引线最大焊接温度
PD TC=25℃
-高于 25℃递减
34
17
W
0.27
0.13
W/℃
TJ,TSTG
-55~+150
℃
TL
300
℃
*漏极电流由最大结温限制
版本:607A
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R
电特性
项
目
符 号
测试条件
最小值 典型值
最大值
单位
关态特性
漏-源击穿电压
BVDSS
击穿电压温度特性
ΔBVDSS/ΔTJ ID=250μA, 相对 25℃
零栅压下漏极漏电流
IDSS
ID=250μA, VGS=0V
600
-
-
V
-
0.65
-
V/℃
VDS=600V,VGS=0V, TC=25℃
-
-
10
μA
VDS=480V,
-
-
100
μA
TC=125℃
正向栅极体漏电流
IGSSF
VDS=0V,
VGS =30V
-
-
100
nA
反向栅极体漏电流
IGSSR
VDS=0V,
VGS =-30V
-
-
-100
nA
阈值电压
VGS(th)
VDS = VGS ,
2.0
-
4.0
V
静态导通电阻
RDS(ON)
VGS =10V , ID=0.5A
-
9.7
12.0
Ω
正向跨导
gfs
VDS = 40V , ID=0.5A(注 4)
-
0.97
-
S
输入电容
Ciss
-
165
215
pF
输出电容
Coss
-
18
25
pF
反向传输电容
Crss
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
-
3.6
4.7
pF
VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω
(注 4,5)
-
14
40
ns
-
45
100
ns
通态特性
ID=250μA
动态特性
开关特性
延迟时间
td(on)
上升时间
tr
延迟时间
td(off)
-
25
60
ns
下降时间
tf
-
35
80
ns
栅极电荷总量
Qg
-
5.9
7.7
nC
栅-源电荷
Qgs
-
1.0
-
nC
栅-漏电荷
Qgd
-
2.7
-
nC
VDS =480V ,
ID=4A
VGS =10V (注 4,5)
漏-源二极管特性及最大额定值
正向最大连续电流
IS
-
-
1
A
正向最大脉冲电流
ISM
-
-
3
A
-
-
1.4
V
-
180
-
ns
-
0.47
-
μC
正向压降
VSD
VGS=0V,
反向恢复时间
trr
VGS=0V,
IS=4.0A
dIF/dt=100A/μS
(注 4)
反向恢复电荷
版本:607A
Qrr
IS=4.0A
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R
热特性
项
目
符 号
JCS1L60C JCS1L60F 单位
结到框架的热阻
Rth(j-c)
3.67
7.48
℃/W
结到环境的热阻
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃/W
注 1:脉冲宽度由最大结温限制
注 2:L=92mH, IAS=1A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃
注 3:ISD ≤1A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃
注 4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
注 5:基本与工作温度无关
版本:607A
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R
特征曲线
10-1
ID[A]
ID[A]
VGS
最高: 15V
10.0
100
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
100
备注:
1.250us 脉冲测
试
2.VDS=40V
最低 5.0
备注:
1.250us 脉冲测试
2.TC=25℃
10-2
-1
0
10
10-1
1
10
10
2
4
VGS [V]
VDS [V]
图1
10
8
6
通态特性
图2
转移特性
60
]
I[
DR A
RDS(on)[ Ω]
50
40
100
备注:
1.250us 脉
冲测试
2.VGS=0V
30
20
10
0
0
备注:TJ=25℃
0.3
0.6
0.9 1.2
1.5 1.8 2.1
10-1
0.2
2.4 2.7
0.4
0.6
图4
图 3 导通电阻与栅电压和漏电
流间的关系
(DS 短路)
电容[
Coss=Cds+Cgf
Crss=Cgf
]
V[
GS V
Ciss=Cgs+Cgf
200
1.0
1.2
1.4
VSD [V]
ID[A]
300
0.8
12
10
8
体二极管正向特性
VDS=120V
VDS=300V
VDS=480V
6
备
注
:
1.VGS=0V
2.f=1MHZ
]
pF
100
0
10-1
100
VDS [V]
图 5 电容特性
版本:607A
101
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Qg[nC]
图 6 栅电荷特性
4/11
JCS1L60C/F
R
特征曲线 (续)
3.0
1.2
倍]
R[
DS
[倍]
BVDSS
1.1
1.0
备注:
1. VGS=0V
2.ID=250uA
0.9
0.8
-100
-50
0
50
100
150
2.5
2.0
1.5
0.5
0.0
-100
200
-50
0
50
100
150
200
TJ[℃]
TJ[℃]
图 8 导通电阻温度特性
图 7 击穿电压温度特性
此区域由 RDS(on)限定
101
此区域由 RDS(on)限定
D
[
I ]
D
[
I ]
101
备注:
1. VGS=10V
2.
ID=0.5A
1.0
A
A
100
10-1
100
10-1
备注:
4. Tc=25℃
5. Tj=150℃
6. 单脉冲
10-2 0
10
1
10
10
2
3
10
VDS[V]
图 9-1JCS1L60C 最大安全工作区
版本:607A
10-2
100
备注:
1. Tc=25℃
2. Tj=150℃
3. 单脉冲
101
102
103
VDS[V]
图 9-2JCS1L60F 最大安全工作区
5/11
JCS1L60C/F
R
特征曲线 (续)
1.0
D
[
I ]
0.8
0.6
A
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
TC[℃]
图 10 最大漏极电流
101
1.ZΘjc(t)=3.67℃/W
100
最大
2.占空比 D=t1/t2
ZΘjc(t)
热响应
3.TJM-TC=PDM* ZΘjc(t)
10-1
单脉冲
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
t1,方波脉冲持续时间[s]
图 11-1
JCS1L60C 瞬态热响应曲线
101
100
1.ZΘjc(t)=7.48℃/W
最大
2.占空比 D=t1/t2
ZΘjc(t)
热响应
3.TJM-TC=PDM* ZΘjc(t)
10-1
单脉冲
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
t1,方波脉冲持续时间[s]
图 11-2 JCS1L60F 瞬态热响应曲线
版本:607A
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R
栅极电荷测试电路及波形
电荷
阻性负载开关特性测试电路及波形
非钳位感性负载开关特性测试电路及波形
版本:607A
7/11
JCS1L60C/F
R
体二极管峰值 dv/dt 测试电路及波形
驱动
dv/dt 由 RG 控制
ISD 由脉冲周期控制
D=脉冲宽度/脉冲周期
驱动
体二极管正向电流
体二极管反向电流
体二极管恢复 dv/dt
体二极管正向压降
版本:607A
8/11
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R
封装尺寸
封装尺寸(单位:毫米)
符号
版本:607A
最小值
典型值
最大值
符号
最小值
典型值
最大值
9/11
R
版本:607A
JCS1L60C/F
10/11
R
JCS1L60C/F
注 意 事 项
1. 吉林华微电子股份有限公司的产品销售分为直销和销售代理,无论哪种方式,
订货时请与公司核实。
2. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司本部联系。
3. 在电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值,否则会影响整机的可靠性。
4. 为了生产出与用户需求相匹配的产品,当有其他要求或建议时请以传真或电
话的方式与公司本部联系。
5. 本说明书如有版本变更不另外告知。
联系方式
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公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号,邮编:132013
总机:86-432-4678411
传真:(0432)4665812
网址:www.hwdz.com.cn
市场营销部
吉林:
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
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传真: (0432)4671533
版本:607A
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