N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 HFF8N60 █ 主要用途 FQPF8N60C █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。 TO-220F █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ 1 1―栅 极 G Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 2―漏 极 D VDSS——漏极—源极电压………………………………………600V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V ID——漏极电流（Tc=25℃）……………………………………7.5A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………48W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 BVDSS 漏—源极击穿电压 IDSS 零栅压漏极电流 IGSS 栅极泄漏电流 最小值 典型值 最大值 600 2.0 单 位 测 试 条 件 V ID=250μA ,VGS=0V 1 μA VDS =600V，VGS=0 ±100 4.0 nA V VGS=±30V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250μA 1.2 Ω VGS=10V, ID =3.75A S VDS = 40V , ID=3.75A VGS(th) 栅—源极开启电压 RDS(on) 漏—源极导通电阻 1.0 gfs 正向跨导 8.7 Ciss 输入电容 输出电容 965 1255 pF 105 135 pF 反向传输电容 12 16 pF 导通延迟时间 16.5 45 nS 上升时间 60.5 130 nS 81 170 nS 64.5 140 nS 28 36 nC VDS =480V Coss Crss td(on) tr td(off) tf 断开延迟时间 下降时间 Qg VDS =25V, VGS=0,f=1MHz VDD =300V, ID =7.5A (峰值) RG= 25 Ω * Qgs 栅极总电荷 栅极—源极电荷 4.5 nC VGS=10V Qgd 栅极—漏极电荷 12 nC ID=7.5A Is 源极—漏极二极管正向电流 7.5 A VSD 源极—漏极二极管导通电压 1.4 V 2.6 ℃/W Rth（j-c） 热阻 *注：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% * IS =7.5A , VGS=0 结到外壳 * N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF8N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF8N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF8N60 █ 特性曲线 对应国外型号 FQPF8N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF8N60 对应国外型号 FQPF8N60C N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFF8N60 对应国外型号 FQPF8N60C