N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 IRF730 HFI730 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-262 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度……………………………………… -55~150℃ 1 T j ——结温………………………………………………………… 150℃ 1―栅 极 G 2―漏 极 D V D S S ——漏极—源极电压…………………………………………400V 3―源 极 S VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS=20KΩ) …………………………… 400V VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V I D ——漏极电流（T c =25℃）…………………………………………5.5A IDM——漏极电流（脉冲）（注 1）………………………………………22A P D ——耗散功率（T c =25℃）………………………………………73W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS（th） RDS（on） gFS Ciss Coss Crss Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 正向跨导 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 最小值 典型值 最大值 400 25 ±100 4.0 1.0 2.0 2.9 1000 100 26 40 120 180 110 33 4.3 11 5.5 1.5 1.71 单 位 V μA nA V Ω S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W *注 1：漏极电流受最大结温限制。注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% 测 试 条 件 ID=250μA，VGS=0 VDS=400V，VGS=0 VGS=±30V，VDS=0 VDS=VGS，ID=250μA VGS=10V，ID=3A VDS=40V，ID=3A（注 2） VDS=25V，VGS=0，f=1MHz VDD=200V，ID=5.5A（峰 值），RG=25Ω（注 2） VDS=320V, VGS=10V， ID=5.5A（注 2） IS=5.5A，VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFI730 对应国外型号 IRF730 █ 典型特性曲线 图 1 导通特性 图 1 导通特性 图 3 导通电阻随漏电流和温度 的变化关系 图 5 电容特性 图 2 转移特性 图 4 二极管正相压降随源极电流和温 度的变化关系 图 6 栅极存储电荷特性 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFI730 对应国外型号 IRF730 █ 典型特性曲线 图 8 导通电阻随温度的变化关系 图 7 击穿电压随温度的变化关系 图 9 安全工作区 图 10 最大漏电流随管壳温度的变化关系 图 11 瞬态热阻 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFI730 █ 典型特性曲线 栅极存储电荷测试电路与波形图 开关时间测试电路及波形图 雪崩（EAS）能量测试电路及波形图 对应国外型号 IRF730 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFI730 █ 典型特性曲线 二极管峰值电压上升率（dV/dt）测试电路及波形图 对应国外型号 IRF730