N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 BS170 HBS170 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用，小型马达驱动，大功率 MOSFET 栅极驱动等。 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………… -55~150℃ 1―漏 极 D VDSS——漏极—源极电压…………………………………60V 2―栅 极 G VDGR —— 漏极—栅极电压(RGS≤1MΩ) ……………………………… 60V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压………………………………… ±20V ID——漏极电流（Tc=25℃）…………………………………500mA PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………0.83W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 BVDSS IDSS IGSSF VGS （ th ） RDS（on） gfs Ciss Coss Crss T（on） T（off） 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 正向跨导 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 断开延迟时间 明 最小值 典型值 最大值 60 0.5 10 3.0 5 0.8 320 24 17 7 1 40 30 10 10 10 单 位 V µA nA V Ω mS pF pF pF ns ns 测 试 条 件 ID=100µA，VGS=0 VDS=25V，VGS=0 VGS=15V，VDS=0 VDS=VGS，ID=1mA VGS=10V，ID=200mA VDS=10V，ID=200mA VDS=10V ， VGS=0 ， f=1MHz VDD=25V，ID=200mA， VGS=10V，RG=25Ω N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HBS170 对应国外型号 BS170 █ 典型特性曲线 图 1. 导通特性 图 2. 图 3. 导通电阻-结温 图 4. 导通电阻-漏极电流、结温 图 5. 转移特性 图 6. 栅极开启电压-结温 2 导通电阻-栅极电压、漏极电流 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HBS170 对应国外型号 BS170 █ 典型特性曲线 图 7. 图 9. 图 11. 击穿电压-结温 图 8. 电容特性 二极管正向电压-电流、结温 图 10. 开关时间测试电路 图 12. 3 栅极电荷特性 开关时间波形 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HBS170 █ 典型特性曲线 图 13. 图 14. 最大安全工作区 瞬态热阻 4 对应国外型号 BS170