LTC2952 監視機能付きプッシュボタン PowerPathコントローラ 特長 概要 ■ プッシュボタン・オン/オフ制御 LTC®2952は、 システム電源のプッシュボタン・オン/オフ制御、 理想ダイオードPowerPath™コントローラ、 システム・モニタリン グという3つの主要機能を搭載したパワーマネージメント・デ バイスです。搭載のプッシュボタン入力はシステム電源のオン /オフ制御を行い、 オンおよびオフのデバウンス時間を個別に 調整可能です。 また、割り込み信号を備えたシンプルなマイク ロプロセッサ・インターフェイスにより、パワーダウンの前に適 切なシステム・ハウスキーピングを行うことができます。 DCソース間の低損失な自動切換え 広い動作電圧範囲：2.7V∼28V ■ 低いシャットダウン電流：25μA ■ ■ 保証スレッショルド精度：全温度範囲で モニタされる電圧の 1.5% ■ 調整可能なプッシュボタン・オン/オフ・タイマ ■ シンプルなインターフェイスにより、 マイクロプロセッサを 安全にシャットダウン可能 ■ シャットダウン前のハウスキーピング待機時間を延長可能 ■ リセット遅延時間：200ms、 ウォッチドッグ・タイムアウト：1.6s ■ PB入力に対する±8kVの静電気放電 （人体モデル） ■ 20ピンTSSOPおよび4mm×4mm QFNパッケージ ■ 理想ダイオードPowerPathコントローラは、2個の外付けPチャ ネルMOSFETを順方向電圧降下20mVという低い値に安定 化して、2つのDCソース間で低損失な自動切換えを行います。 高信頼性システムでは、LTC2952のモニタ機能を利用してシ ステムの完全性を確保することができます。 モニタ機能には、 パワーフェール、電圧モニタリング、 マイクロプロセッサ・ウォッ チドッグなどがあります。 アプリケーション デスクトップおよびノートブック・コンピュータ 携帯用計測器 ■ 携帯電話、 PDA、 ハンドヘルド・コンピュータ ■ サーバおよびコンピュータ周辺機器 ■ バッテリ・バックアップ・システム LTC2952は広い電圧範囲で動作するので、様々な入力電源に 対応できます。電圧降下20mVの低い外付けMOSFET安定化 とともに、 スタンバイ電流が非常に低いので、バッテリ駆動の アプリケーションや消費電力重視のアプリケーションの要件 を満たすことができます。 ■ ■ L、LT、LTC、LTM、Linear TechnologyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー社の登録商標で す。PowerPathおよびThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。 その他すべての商標の所有 権は、 それぞれの所有者に帰属します。 標準的応用例 アダプタ/バッテリの自動切り替え機能付きプッシュボタン・コントローラ VIN Si6993DQ 2.5V VOUT LT1767-2.5 SHDN 12V BATTERY Si6993DQ G1 V1 V2 EN VM ** CONSTANT RON 10k 1k 1k 100k PFI LTC2952 365k 511k VS G2 1k 1 CURRENT (A) ADAPTER, 3V TO 25V 理想ダイオードとショットキー・ ダイオードの順方向電圧降下 D2 100k IDEAL DIODE CONSTANT VOLTAGE D3 D1 SCHOTTKY DIODE RST M1 G1STAT M2 PFO µP INT PB ONT *22nF 0 0.50 0.02 FORWARD VOLTAGE (V) KILL 2952 TA01b GND OFFT WDE *68nF *OPTIONAL **SHDN INTERNALLY PULLED UP BY THE LT1767-2.5 2952 TA01 2952fb 1 LTC2952 絶対最大定格 （Note 1、2） 電源電圧 V1、 V2、VS .......................................................... −0.3V～30V 入力電圧 PB ................................................ −6V～最大（V1、 V2、VS）V ONT、OFFT ............................................................ −0.3V～3V M1、M2、PFI、VM、WDE、 KILL ............................... −0.3V～7V 出力電圧 G1、G2、EN ............................... −0.3V～最大（V1、 V2、VS）V G1STAT、 PFO、RST、INT ....................................... −0.3V～7V 入力電流 PB .................................................................. −1mA～100μA 動作温度範囲 LTC2952C............................................................. 0℃～70℃ LTC2952I ..........................................................−40℃～85℃ 保存温度範囲...................................................−65℃～150℃ リード温度（半田付け、10秒）......................................... 300℃ ピン配置 20 19 18 17 16 4 17 VS PFI 5 16 V2 WDE 6 15 G2 PB 7 14 EN RST 8 13 INT PFO 9 ONT 10 VM 1 15 V1 PFI 2 14 VS 21 WDE 3 12 G2 RST 5 11 EN 12 GND 11 OFFT F PACKAGE 20-LEAD PLASTIC TSSOP TJMAX = 125°C, θJA = 90°C/W 13 V2 PB 4 6 7 8 9 10 INT VM GND 18 V1 OFFT 19 G1 3 PFO 2 ONT M1 KILL G1 20 G1STAT M2 1 M1 M2 KILL G1STAT TOP VIEW TOP VIEW UF PACKAGE 20-LEAD (4mm × 4mm) PLASTIC QFN TJMAX = 125°C, θJA = 37°C/W EXPOSED PAD (PIN 21), PCB GND CONNECTION OPTIONAL 発注情報 鉛フリー仕様 テープアンドリール 製品マーキング* パッケージ 温度範囲 LTC2952CF#PBF LTC2952CF#TRPBF LTC2952CF 20-Lead Plastic TSSOP 0°C to 70°C LTC2952IF#PBF LTC2952IF#TRPBF LTC2952IF 20-Lead Plastic TSSOP –40°C to 85°C LTC2952CUF#PBF LTC2952CUF#TRPBF 2952 20-Lead 4mm × 4mm Plastic QFN 0°C to 70°C LTC2952IUF#PBF LTC2952IUF#TRPBF 2952 20-Lead 4mm × 4mm Plastic QFN –40°C to 85°C さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社または弊社代理店にお問い合わせください。 *温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。 テープアンドリールの仕様の詳細については、 http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。 2952fb 2 LTC2952 電気的特性 ●は全動作温度範囲の規格値を意味する。 それ以外はTA = 25℃での値。注記がない限り、V1 = V2 = VS = 2.7V∼28V。 （Note 2、3） SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP VMAX Operating Supply Voltage V1, V2 or VS l 28 V IIN_OFF Quiescent Supply Current Both Ideal Diodes Switched Off (M1 = Open, M2 = 0V) V1 = 2.7V to 28V, V2 = 0V, VS = Open or V2 = 2.7V to 28V, V1 = 0V, VS = Open. Measured Current at V1 or V2. l 24 60 µA V1 = 2.7V to 28V, V2 = 3.5V, VS = Open. Measured Current at V1. l 5 15 µA V1 = 2.7V to 28V, V2 = 3.5V, VS = Open. Measured Current at V2. l 23 50 µA 2.7 MAX UNITS IIN_ON Quiescent Supply Current Both Ideal Diodes Switched On (M1 = 0V, M2 = 0V) V1 = VS = 2.7V to 28V, V2 = 0V or V2 = VS = 2.7V to 28V, V1 = 0V. Measured Combined Current at V1 and VS or V2 and VS. l 65 170 µA V2PREF_TH V2 Preferential Threshold Voltage (M1 = Open, M2 = 0V) (Note 4) V1 = 28V, VS = Open. l 3.3 3.8 V ILEAK V1, V2 and VS Inter Pin Leakage to the Highest Supply V1 = 28V, V2 = VS = 0V; V1 = VS = 0V, V2 = 28V; V1 = V2 = 0V, VS = 28V ±3 µA Ideal Diode Function VFR Ideal Diode PowerPath Forward Regulation Voltage (V1 or V2) – VS, 2.7V ≤ (V1 or V2) ≤ 28V l 10 20 35 mV VRTO Ideal Diode PowerPath Fast Reverse Turn-Off Threshold Voltage (V1 or V2) – VS, 2.7V ≤ (V1 or V2) ≤ 28V ΔIG ≤ –100µA/mV l –20 –35 –64 mV IG(SRC) Gate Turn-Off Current G1 = G2 = VMAX – 1.5V l –2 –5 –10 µA IG(SNK) Gate Turn-On Current V1 = V2 = 2.7V to 28V, VS = (V1 or V2) – 40mV, G1 = G2 = VMAX –1.5V. l 2 5 10 µA IG(FASTSRC) Gate Fast Turn-Off Source Current V1 = V2 = 2.7V to 28V, VS = (V1 or V2) + 0.1V, G1 = G2 = VMAX –1.5V. l –0.5 –2.5 –10 mA IG(FASTSNK) Gate Fast Turn-On Sink Current V1 = V2 = 5V to 28V, VS = (V1 or V2) – 0.1V, G1 = G2 = VMAX – 1.5V. l 0.3 0.7 2 mA VG(ON) Gate Clamp Voltage IGX = 2µA, VX = 8V to 28V, VS = VX – 0.1V Measure VX – VGX l 6 7 8 V VG(OFF) Gate Off Voltage IGX = –2µA, VX = 2.7V to 28V, VS = VX + 0.1V Measure VMAX – VGX l 0.2 0.4 V tG(ON) Gate Turn-On Time VG(OFF) to VGS ≤ –3V, CGATE = 1nF (Note 5), V1 = V2 = 12V 0.1 2.5 10 µs tG(OFF) Gate Turn-Off Time VG(ON) to VGS ≥ –1.5V, CGATE = 1nF (Note 6), V1 = V2 = 12V 0.1 2.5 10 µs Pushbutton Pin (PB) VPB(VOC) PB Open-Circuit Voltage IPB = –1µA l 1 4 6 V IPB PB Input Current VPB(VOC) < VPB ≤ 28V 0V ≤ VPB < VPB(VOC) l l –1 –10 ±1 –25 µA µA VTH_PB PB Input Threshold Voltage PB Falling From High to Low l 0.65 0.77 0.8 V VHYS_PB PB Input Hysteresis l 10 25 150 mV 2952fb 3 LTC2952 電気的特性 ●は全動作温度範囲の規格値を意味する。 それ以外はTA = 25℃での値。注記がない限り、V1 = V2 = VS = 2.7V∼28V。 （Note 2、3） SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Debounce Time Pins (ONT, OFFT) IONT,OFFT ONT/OFFT Pull-Up/Pull-Down Current When Timer Is Active VONT, VOFFT = 0V (Pull-Up), VONT, VOFFT = 1.5V (Pull-Down) l ±1.6 ±2.0 ±2.4 µA tDB,ON/OFF Internal Default On-Time/Off-Time tDB,ON: CONT = Open, Measured Time Between PB Low → EN High, tDB,OFF: Measured Time Between PB Low → INT Low l 18 26 34 ms tONT,OFFT Additional Adjustable Turn-On/TurnOff Time (Note 7) CONT = 1500pF, COFFT = 1500pF l 10 15 20 ms Accurate Comparator Input Pins (VM, PFI, M1, M2, KILL) VTH_VM VM Input Reset Threshold Both Falling and Rising l 0.492 0.500 0.508 V VTH PFI, M1, M2, KILL Input Threshold Voltage Falling l 0.492 0.500 0.508 V VHYS PFI, M1, M2, KILL Input Hysteresis l 5 15 25 mV IIN_LKG VM, PFI, M2, KILL Input Current V = 0.5V l ±0.1 µA IM1_SRC M1 Input Pull-Up Current M1 = 1V l –1.5 –3 –5 µA VM1(VOC) M1 Voltage Open-Circuit l 1 4 6 V IM1_LKG M1 Input Leak Current ±0.1 µA 1.5 V M1 = 6V l Watchdog/Extend Pin (WDE) VWDE(H,TH) Input High Threshold Voltage l VWDE(L,TH) Input Low Threshold Voltage l IWDE(IN,HL) High Low Input Current (Note 8) l IWDE(IN,HZ) Hi-Z Input Current VWDE = 0.7V, 1.1V l 0.3 V ±25 ±10 µA µA Open-Drain Output Pins (G1STAT, INT, RST, PFO) IOUT_LKG Leakage Current VPIN = 5V l ±1 µA VOL Voltage Output Low IPIN = 1mA l 0.4 V High Voltage Open-Drain Output Pin (EN) IEN(LKG) EN Leakage Current VEN = 28V, EN Sink Current Off l ±1 µA VEN(VOL) EN Voltage Output Low IEN = 3mA l 0.4 V V1 = 1.2V and/or V2 = 1.2V, IEN = 100µA l 0.05 0.3 V ms Voltage Monitor/Watchdog Timing tRST Reset Timeout Period l 140 200 260 tWDE Watchdog Timeout Period l 1.1 1.6 2.1 s tWDE(PW MIN) Minimum Period Between Consecutive Edges l 5 10 µs tVM(UV) VM Undervoltage Detect to RST VM Less Than VTH_VM by More Than 1% 150 µs tPFI PFI Delay to PFO PFI More or Less Than VPFI_TH by More Than 1% 150 µs 2952fb 4 LTC2952 電気的特性 ●は全動作温度範囲の規格値を意味する。 それ以外はTA = 25℃での値。注記がない限り、V1 = V2 = VS = 2.7V∼28V。 （Note 2、3） SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS 10 50 250 µs µP Handshake Timing tINT(MIN) INT Minimum Pulse Width Minimum Measured Time PB Rising to INT Rising l tKILL(PW) KILL Minimum Pulse Width Full Swing Pulse From 5V to 0V l 150 500 µs tKILL,ON BLANK KILL On Blanking (Note 9) KILL = 0V, Measured Time Between EN Rising → EN Falling l 270 400 530 ms tKILL, OFF WAIT KILL Wait Time (Note 10) KILL = 1V, COFFT = OPEN, Measured Time Between INT Falling → EN Falling l 270 400 530 ms tEN, LOCKOUT Enable Lockout Time (Note 11) Measured Time Between EN Falling → EN Rising l 270 400 530 ms Note 1：絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可 能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、 デバイスの信頼性と寿命に悪影響 を与える可能性がある。 Note 8：スリーステートのWDEピンへの入力電流は、 このピンが3.3V設定時はプルアップ電流、 Note 2：V1、 V2、VSの中で最も大きいものが内部電源電圧（VMAX） である。 Note 9：ターンオンKILLブランキング時間はENピンが“H”に切り替わった直後の待機時間で、 こ の時間の終了時にKILLの入力を“H”にしてシステムが正常に起動したことを示す必要がある。 そうしないとENピンは即座に“L”に切り替わります。 Note 3：注記がない限り、 ピンに流れ込む電流はプラスで、電圧はすべてGND基準である。 GND設定時はプルダウン電流である。 オープン状態では、 プルアップまたはプルダウンの最大 許容リーク電流は10μAである。 Note 4：V2PREF_THは、 両方の理想ダイオードがオフのときにV2が消費電流の優先ソースになる 最低電圧レベルである。 Note 10：パワーダウン処理中のKILL待機時間は、 ENピンが“L”に切り替わるまでの有効ターン オフ・コマンド直後の待機時間である。 Note 5：VSを （V1またはV2） ＋0.2Vから （V1またはV2）−0.2Vにステップさせてイベントをトリガす る。 ゲート電圧は最初VG（OFF）である。 Note 11：イネーブル・ロックアウト時間は、 ENピンの前の立ち下がりエッジと次の立ち上がり エッジの間の最小待機時間である。 Note 6：VSをVX−0.2VからVX＋0.2Vにステップさせてイベントをトリガする。 ゲート電圧は最初VG にクランプされる。 （ON） Note 7：可変のターンオンおよびターンオフのタイマ時間は、 それぞれ内部デフォルトオンおよ びデフォルトオフのタイマ時間に続く可変デバウンス時間である。 2952fb 5 LTC2952 タイミング図 理想ダイオードの動作：ゲートのターンオン時間およびターンオフ時間 12.2V 12.2V 12V VS 11.8V 12V 12.05V 12.05V 9V VGX VX = 12V 10.5V 5.3V 2952 TD01 tG(ON) tG(OFF) およびKILLがスレッショルドを上回るイネーブル・ロックアウト時間 プッシュボタン・デバウンス時間、KILL待機時間、 PB 0.775V EN 0.5*VPULL-UP 0.5*VPULL-UP INT tDB,ON tONT t < tOFFT tDB,OFF tDB,OFF tOFFT t > tONT tKILL, OFF WAIT tDB,ON tINT(MIN) tEN, LOCKOUT 2952 TD02 KILLがスレッショルドを下回るKILLオン・ブランキング KILL EN 0.5*VPULL-UP tKILL, ON BLANK 0.5*VPULL-UP 2952 TD03 2952fb 6 LTC2952 タイミング図 PFIおよびPFO PFI 0.515V 0.500V 0.5*VPULL-UP 0.5*VPULL-UP PFO tPFI tPFI 2952 TD04 WDEの最小パルス幅 WDE tWDE(PW MIN) 2952 TD05 VM、 WDE、 RST VM WDE DON'T CARE DON'T CARE DON'T CARE DON'T CARE RST tRST 200ms tWDE 1.6s tRST 200ms <tWDE tWDE 1.6s <tRST tRST 200ms <tWDE <tWDE tVM(UV) tRST 200ms <tWDE 2952 TD06 2952fb 7 LTC2952 標準的性能特性 注記がない限り、規格値はTA = 25℃での値。 異なる温度でのIIN-ONと 入力電源電圧 50 110 V1 = VS = VIN, V2 = 0V OR V2 = VS = VIN, V1 = 0V 130°C 100 –45°C –60°C IIN_ON (µA) 25°C 80 70 –45°C 60 20 V1 = VIN, V2 = 0, VS = OPEN OR V2 = VIN, V1 = 0,VS = OPEN M1 = OPEN, M2 = 0V 10 20 25 5 15 INPUT SUPPLY VOLTAGE VIN (V) 0 40 0 5 10 20 25 15 INPUT SUPPLY VOLTAGE VIN (V) 2952 G01 ワーストケースの 電源間リークと温度 3.2 3.1 50 30 3.3 –60°C 3.0 –50 30 20 50 0 25 75 TEMPERATURE (°C) 100 125 2952 G03 ONT/OFFTのプルアップ/ プルダウン電流と温度 PB電流とPB電圧 V2 = VS = 0V, V1 = 28V V1 = VS = 0V, V2 = 28V V1 = V2 = 0V, VS = 28V –25 2952 G02 2.4 V1 = V2 = VS = 28V 0 2.2 –20 IPB (µA) ILEAK (nA) 100 10 IONT, OFFT (µA) IIN_OFF (µA) 30 V1 = 28V, VS = OPEN 3.4 90°C 90 25°C 1000 130°C 90°C 40 10 V2優先スレッショルドと温度 3.5 V2 PREF_TH (V) 異なる温度でのIIN-OFFと 入力電源電圧 –?40 –60 –80 2.0 1.8 –100 1 –50 –25 0 25 50 75 TEMPERATURE (°C) 100 –120 –10 –5 125 2952 G04 0.508 1000 1 10 100 CONT/COFFT (nF) 1000 2952 G07 1.6 –50 30 –25 25 75 50 0 TEMPERATURE (°C) 0.508 0.506 0.506 0.504 0.504 0.502 0.502 0.500 0.494 0.494 25 75 50 0 TEMPERATURE (°C) 100 125 2952 G08 VM入力のリセット・ スレッショルド電圧と温度 0.498 0.496 –25 125 0.500 0.496 0.492 –50 100 2952 G06 KILL、 PFI、 M1、 およびM2の立ち下がり 入力スレッショルド電圧と温度 0.498 100 8 25 VTH_VM (V) 総ターンオン/ターンオフ時間と ONT/OFFTのコンデンサ値 10 0.1 5 10 15 20 PB VOLTAGE (V) 2952 G05 VTH (V) tDB, ON/OFF + tONT, OFFT (ms) 10000 0 0.492 –50 –25 25 75 50 0 TEMPERATURE (°C) 100 125 2952 G09 2952fb LTC2952 標準的性能特性 注記がない限り、規格値はTA = 25℃での値。 異なる入力電圧でのKILLオン・ ブランキング、KILL待機時間、 イネーブル・ロックアウト時間と温度 標準遷移時間とコンパレータ・オーバード ライブ （VM、 KILL、 PFI、 M1、 およびM2） 1 COMPARATOR TRIPS ABOVE CURVE 0.1 0.01 0.01 0.1 1 10 100 260 480 240 440 V1 = V2 = VS = 28V 220 tRST (ms) tKILL, ON BLANK/tKILL, OFFWAIT/tEN, LOCKOUT (ms) TYPICAL TRANSIENT DURATION (ms) 10 異なる入力電圧での リセット・タイムアウト時間と温度 400 V1 = V2 = VS = 2.7V V1 = V2 = VS = 28V 200 V1 = V2 = VS = 2.7V 180 360 160 320 –50 –25 COMPARATOR OVERDRIVE VOLTAGE (% OF VTH) 25 75 50 0 TEMPERATURE (°C) 100 140 –50 125 –25 50 25 75 0 TEMPERATURE (°C) 125 100 2952 G12 2952 G11 2952 G10 異なる入力電圧での ウォッチドッグ時間と温度 プルダウン電流と電源電圧 5.0 1.8 tWDE (s) V1 = V2 = VS = 28V 1.6 V1 = V2 = VS = 2.7V 1.4 –25 25 75 50 0 TEMPERATURE (°C) 100 PIN AT 150mV 4.0 3.0 2.0 0 5 2952 G13 10000 EN AT 150mV 1000 8 6 4 EN AT 50mV 2 0 5 15 20 25 10 SUPPLY VOLTAGE - VMAX (V) 30 2952 G16 25°C –45°C 1.0 –60°C 0 5 2952 G14 30 2.5 異なる温度でのENの電圧出力 L と プルダウン電流 V1 = V2 = VS = 12V 130°C 2.0 100 90°C EN AT 50mV 10 1 1.5 25°C 1.0 –45°C 0.1 0.001 15 20 25 10 PULL DOWN CURRENT (mA) 2952 G15 EN AT 150mV –60°C 0.5 0.01 0 90°C 1.5 0 30 ENプルダウン電流と電源電圧 V1 = V2 = VS = VMAX 130°C 0.5 VEN (VOL) (V) V1 = V2 = VS = VMAX PULLDOWN CURRENT (µA) PULLDOWN CURRENT (mA) 10 ENプルダウン電流と電源電圧 15 20 25 10 SUPPLY VOLTAGE - VMAX (V) V1 = V2 = VS = 12V 2.0 PIN AT 50mV 1.0 0 125 2.5 V1 = V2 = VS = VMAX VOL (V) PULLDOWN CURRENT (mA) 2.0 1.2 –50 異なる温度でのG1STAT、PFO、INT、 およびRSTの電圧出力 L と プルダウン電流 G1STAT、 PFO、 INT、 およびRSTの 0 0.2 1 1.2 1.4 0.4 0.6 0.8 SUPPLY VOLTAGE - VMAX (V) 1.6 2952 G17 0 0 10 30 40 50 60 20 PULL DOWN CURRENT (mA) 70 2952 G18 2952fb 9 LTC2952 ピン機能 （TSSOP/QFN） EN （ピン14/ピン11） ：DC/DCイネーブル出力。 このピンは、 シス テム電源の制御に使用される高電圧オープンドレインのプル ダウン出力です。ENピンは、最初のターンオン・コマンド後に ハイ・インピーダンスになります （ターンオン・コマンドはデジタ ル・オンまたは有効プッシュボタン・オンによる―「アプリケー ション情報」 のセクションを参照）。有効パワーダウン・シーケ ンスが終了したとき、 または有効パワーアップ・シーケンス後 の任意の時点でKILLピンが L にドライブされたとき、ENピ ンは L になります。 このピンは内部プルアップを備えたDC/ DCコンバータのシャットダウン・ピンに直接接続することがで きます。 それ以外は、外部電源へのプルアップ抵抗が必要で す。 このピンの電圧は、 このピンとこのピンがドライブする回路 の両方の絶対最大電圧を超えることはできません。 ：露出パッドはオープン 露出パッド （ピン21、QFNパッケージ） のままにするか、 またはデバイスのグランドに接続することがで きます。 G1 （ピン19/ピン16） ：1次PチャネルMOSFETのゲート・ドライ ブ出力。1次理想ダイオード機能がイネーブルされかつ安定化 されている場合、理想ダイオード・コントローラがこのピンをド ライブし、V1ピンとVSピンの間で20mVの順方向電圧（VFR） を保ちます。VSピンが別の電源でドライブされることによって VSピンの電圧レベルがV1ピンの電圧レベルを上回るか、 また はモード選択入力ピンによって1次理想ダイオード・ドライバ がディスエーブルされると、 このピンはMAX（V1、VS）電圧に プルアップされるので1次Pチャネル・パワー・スイッチをオフし ます。1次理想ダイオード機能を使用しない場合には、 このピン はオープンのままにしてください。 G1STAT （ピン20/ピン17） ：オープンドレインの1次理想ダイオー ドの状態出力。1次Pチャネル・パワー・スイッチがオフの場合、 G1STATピンはオープン状態から強いプルダウン状態になりま す。 このピンを使用して、 マイクロコントローラへの1次理想ダイ オードのパワーパスの状態を通知することができます。 このピン を使用しない場合にはオープンのままにするか、 またはGNDに 接続してください。 G2 （ピン15/ピン12） ：2次PチャネルMOSFETのゲート・ドライ ブ出力。2次理想ダイオード機能がイネーブルされかつ安定化 されている場合、理想ダイオード・コントローラはこのピンをド ライブし、V2ピンとVSピン間で20mVの順方向電圧（VFR） を 保ちます。VSピンが別の電源でドライブされることによってVS ピンの電圧レベルがV2ピンの電圧レベルを上回るか、 または モード選択入力ピンによって2次理想ダイオード・ドライバが ディスエーブルされると、 このピンはMAX（V2、VS）電圧にプ ルアップされるので2次Pチャネル・パワー・スイッチをオフしま す。 2次理想ダイオード機能を使用しない場合、 このピンはオー プンのままにしてください。 GND （ピン12/ピン9） ：デバイスのグランド。 INT （ピン13/ピン10） ：割り込み出力。 このピンは、電源が間も なくシャットダウンすることをシステムに知らせるのに使用さ れるオープンドレインのプルダウン・ピンです。INTピンは、 プッ シュボタン・オフの最初の立ち下がりエッジ後の26msの間、 お よびパワーダウン・シーケンスの間、 L になります。割り込み 信号を使用しない場合、 このピンはオープンのままにするか、 またはGNDに接続してください。 KILL （ピン3/ピン20） ：システム電源のシャットダウン入力。 この ピンを L に設定するとENピンが L になります。M1がスレッ ショルドを上回るモードでは、 このピンを L にすると理想ダイ オードもシャットオフします。 システムがオンしている間、ENピ ンが最初にハイ・インピーダンスになってから400ms（tKILL,ON 経過するまで、 このピンの入力は無視されます。 このピ BLANK） ンには高精度な0.5Vの立ち下がりスレッショルドがあるので、 電圧モニタ入力として使用することができます。 M1 （ピン2/ピン19） ：モード選択入力1。立ち下がりスレッショ ルドが0.5Vでヒステリシスが15mVの高精度コンパレータの 入力。 内部電源（4V） に接続された3μAの内部プルアップがあ ります。M2と一緒に、最適なパワーパスおよびデバイスのオン /オフ制御動作を決定します。M1およびM2の電圧レベルに基 づく構成については、 「 動作」 および「アプリケーション情報」 のセクションを参照してください。 M2 （ピン1/ピン18） ：モード選択入力2。立ち下がりスレッショ ルドが0.5Vでヒステリシスが15mVの高精度コンパレータのハ イ・インピーダンス入力。M1が L の場合、M2は1次（G1）理 想ダイオード機能をイネーブルするかどうかを制御します。M1 が H の場合、M2はデジタル・オン/オフ制御入力として機能 します。 つまり、 このピンの立ち上がりエッジはターンオン・コマ ンドとみなされ、立ち下がりエッジはターンオフ・コマンドとみ なされます。M1およびM2の電圧レベルに基づく構成について は、 「動作」 および 「アプリケーション情報」 のセクションを参照 してください。 OFFT （ピン11/ピン8） ：オフ・タイミング入力。 ターンオフ・デバウ ンス時間を内部設定された26msより延長するには、1msあた り110pFの外付け容量（COFFT） をGNDとの間に接続します。 デバウンス時間を延長する必要がない場合にはオープンのま まにしてください。 ONT （ピン10/ピン7） ：オン・タイミング入力。 ターンオン・デバウ ンス時間を内部設定された26msより延長するには、1msあた り110pFの外付け容量（CONT） をGNDとの間に接続します。 デ バウンス時間を延長する必要がない場合にはオープンのまま にしてください。 2952fb 10 LTC2952 ピン機能 （TSSOP/QFN） PB （ピン7/ピン4） ：プッシュボタン入力。立ち下がりスレッショ V2 （ピン16/ピン13） ：2次入力電源電圧（2.7V∼28V）。 このピ ルドが0.775Vでヒステリシスが25mVのコンパレータの入力。 ンは、内部回路へ電源を供給するとともに2次理想ダイオー PBには、 内部電源（4V） に接続された10μAの内部プルアップ ド・ドライバのアノード入力になります （理想ダイオード・ドライ バのカソード入力はVSピン）。ACアダプタなどの2次電源は通 があります。 このピンはENピンを使用した電源のオン/オフ制 常、 この入力に電力を供給します。 ピンがハイ・インピーダンス 御を行います。ENピンは通常、外付けDC/DCコンバータに接 続されます。PBピンをONTタイミング・コンデンサによって決定 （切断または固有のハイ・ソース・インピーダンス）になる可 能性があるアプリケーションでは、 このピンの容量を最小限 された時間だけ L にすると、ENピンをハイ・インピーダンス に抑えてください。 それ以外の場合は、 オプションの0.1μF∼ にトグルします。 このピンを H にトグルしてから26msの間、再 度 L にすると、INTが L になります。INTピンが L になった 10μFのバイパス・コンデンサをグランドとの間に接続すること 後も、PBピンがOFFTタイミング・コンデンサによって決定され ができます。 た時間 L に保たれると、 システム電源のターンオフのプロセ VM （ピン4/ピン1） ：電圧モニタ入力。 スレッショルドが0.5Vの スが開始されます。 ターンオフ・プロセスの終了時に、ENピン 高精度コンパレータのハイ・インピーダンス入力。WDEピンと は L に設定されます。 プッシュボタン機能を使用しない場合、 一緒にRST出力ピンの状態を制御します。電圧モニタ機能を このピンはオープンのままにしてください。 使用しない場合は、 デバイスのGNDに接続してください。 PFI （ピン5/ピン2） ：パワーフェール入力。立ち下がりスレッショ VS （ピン17/ピン14） ：パワーセンス入力。 このピンは、 内部回路 ルドが0.5Vでヒステリシスが15mVの高精度コンパレータのハ へ電源を供給するとともに理想ダイオード・ドライバのカソー イ・インピーダンス入力。 このピンによってPFO出力ピンの状態 ド入力になります （理想ダイオード・ドライバのアノード入力は を制御します。 パワーフェールのモニタ機能を使用しない場合 V1ピンおよびV2ピン）。 このピンは、最低1個の0.1μFコンデン は、 デバイスのGNDに接続してください。 サでグランドにバイパスしてください。 PFO （ピン9/ピン6） ：パワーフェール出力。 このピンは、PFI入力 WDE（ピン6/ピン3 ） ：ウォッチドッグ/延長入力。 スリーステー が0.5Vを下回ると L になるオープンドレインのプルダウン出 ト入力ピン。RSTピンが L にならないように、1.6秒のウォッ 力です。 パワーフェールのモニタ機能を使用しない場合、 このピ チドッグ・タイムアウト時間内（RST出力がハイ・インピーダン ンはオープンのままにするか、 またはGNDに接続してください。 スの間） に、 このピンで立ち上がりまたは立ち下がりエッジが RST （ピン8/ピン5） ：リセット出力。 このピンはオープンドレイン 生じる必要があります。特定のパワーパスの構成で両方の理 のプルダウン出力です。VM入力が0.5Vを下回ると L になり、 想ダイオード・ドライバがディスエーブルされると、 このピンの VM入力が0.5Vを上回ってから200msの間 L に保たれます。 ウォッチドッグ機能はディスエーブルされます（「アプリケー ウォッチドッグ・タイマ （1.6s） が終了してからも200msの間 L ション情報」のセクションを参照してください）。 シャットダウ になります。電圧モニタ機能を使用しない場合、 このピンは ン・プロセスの最中、400msのtKILL,OFF WAIT時間以内にWDE オープンのままにするか、 またはGNDに接続してください。 ピンに立ち上がりまたは立ち下がりエッジが生じると、ENピン が L に設定されるまで待機時間がさらに400ms延長されま V1 （ピン18/ピン15） ：1次入力電源電圧 （2.7V∼28V） 。 このピン す。電源がシャットダウンするまでマイクロプロセッサができる は、 内部回路へ電源を供給するとともに1次理想ダイオード・ド 限り多くの回数のハウスキーピング機能を行うように、 この延 ライバのアノード入力になります （理想ダイオード・ドライバのカ 長プロセスは無制限に繰り返される可能性があります。 スリー ソード入力はVSピン）。 バッテリなどの1次電源は通常、 この入 ステート・バッファをオープンのままにするか、 またはハイ・イン 力に電力を供給します。 ピンがハイ・インピーダンス （切断または ピーダンス状態にドライブすることによって、 ウォッチドッグ、延 固有のハイ・ソース・インピーダンス） になる可能性があるアプリ 長機能のいずれかあるいは両方をディスエーブルできます。 ケーションでは、 このピンの容量を最小限に抑えてください。 そ れ以外の場合には、 オプションの0.1μF∼10μFのバイパス・コン デンサをグランドとの間に接続することができます。 2952fb 11 LTC2952 ブロック図 SECONDARY SUPPLY TO LOAD V2 PRIMARY SUPPLY VS VIN V2 VS VS V1 + – A2 G2 LINEAR GATE DRIVER AND VOLTAGE CLAMP ANALOG CONTROLLER IDEAL DIODE DRIVER 1 VIN + A1 LDO/BAND GAP LINEAR GATE GATE DRIVER AND VOLTAGE CLAMP STAT ON/OFF ANALOG CONTROLLER REF VCC INTERNAL ENABLE – 0.5V INTERNAL ENABLE CP4 CP5 PUSHBUTTON DETECT CP3 10µA LOGIC + – 0.775V M2 VCC + VCC PB G1STAT 0.775V + KILL 0.5V G1 CP6 + 0.5V 3µA – GATE VS – – IDEAL DIODE DRIVER 2 V1 M1 0.5V 200µS FILTER GND EN PUSH-BUTTON OSCILLATOR ONT INT OFFT MONITORS 0.5V + – CP2 CP1 200ms RST DELAY/ 1.6s WATCHDOG TIMER 0.5V – WDE + THREE-STATE/ EDGE DETECTOR PFI VM PFO RST 2952 BD 12 2952fb LTC2952 動作 LTC2952は、複数の電源の管理を必要とするアプリケーショ ンをシンプルにするように設計されています。 このデバイスの 主な機能は、 プッシュボタン制御、理想ダイオードPowerPath コントローラ、 システム・モニタリングの3つです。 この主要機能 ブロックに分割したデバイスを前ページのブロック図に示しま す。 PFI、PFOピンを使用したシステム・モニタ機能もあります。電 圧モニタ （VM）入力ピンおよびウォッチドッグ（WDE）入力ピ ンによって、 リセット時間が200ms、 ウォッチドッグ時間が1.6s のRST出力の状態が決定されます。PFIピンとPFOピンは、初 期パワーフェール・モニタとして使用できる高精度コンパレー タの入力および出力です。 プッシュボタン検出ブロックは、PBピンのプッシュボタン・イベ ントのデバウンスを行います。2つの異なるコンデンサをそれぞ れONTピンおよびOFFTピンに接続することによって、 オンおよ びオフのデバウンス時間を個別に設定できることに注意してく ださい。有効プッシュボタン・オン・イベントによってENピンは ハイ・インピーダンスに設定され、有効オフ・イベントによって ENピンは L にドライブされます。 KILL、M1、およびM2ピンは、 スレッショルドが0.5Vの高精 度コンパレータの入力です。 これらのコンパレータの出力は ロジック・ブロックと連係し、理想ダイオードPowerPathコント ローラやプッシュボタン制御の動作を変更します。特に、KILL 入力はシステムが動作中の任意の時点でシステム電源をオフ することができます。M1ピンとM2ピンは、2つのDCソースのパ ワーパスの切り替えで異なる動作をするようにデバイスを構 成するモード・ピンです。 標準的なアプリケーションでは、ENピンはDC/DCコンバータ のシャットダウン・ピンに接続されます。 したがって、ENピンを トグルすることによって、 プッシュボタン・ピンで外付けDC/DC コンバータのイネーブル/ディスエーブルを直接制御できます。 このシステム・オン/オフの制御は、システムが適正にパワー アップ/パワーダウンするように行われます。 理想ダイオード・ドライバは、2つの外付けPチャネルMOSFET を制御して2つのDCソース間で低損失の切り替えを行いま す。各ドライバは、 ソース-ドレイン間の電圧降下が20mVにな るようにPFETのゲートを制御します。負荷電流がソース-ド レイン間の電圧降下を20mVにした状態で電流を供給する PFETの能力を超えて流れると、 ゲートの電圧がVG（ON）にクラ ンプされるので、PFETは固定抵抗のような動作をします。 LTC2952には、 理想ダイオードPowerPathコントローラおよびシ ステム電源のオン/オフ制御のほか、VM、WDE、RST、 および 図1は、LTC2952の4種類の標準的な構成を示します。構成A では、両方の理想ダイオードPowerPathコントローラは常にイ ネーブルされるので2つのDCソースが自動的に切り替わりま す。構成Cは、 プッシュボタン入力がENピンと理想ダイオード PowerPathコントローラの両方を制御する点以外は、構成Aと 同じです。 構成Bおよび構成Dでは、M2は電圧モニタとして使用されま す。構成Bでは、M2入力がそのスレッショルドを上回ると、1次 理想ダイオードのパワーパスがディスエーブルされます。構成 Dでは、PBがENピンおよび理想ダイオードPowerPathコント ローラを制御できる状態になる前にM2がスレッショルドを上 回る必要があります。構成Dでは、M2の立ち上がりエッジは ターンオン・コマンド、立ち下がりエッジはターンオフ・コマンド とみなされます。 2952fb 13 LTC2952 動作 DC2 DC2 IDEAL DIODE 2 IDEAL DIODE 2 DC/DC SHDN DC1 DC1 IDEAL DIODE 1 V2 DC/DC SHDN IDEAL DIODE 1 V1 V2 V1 G1 – IDEAL DIODE DRIVER 1 M2 + – PB PB DETECT LOGIC + 0.5V * PB DETECT LOGIC PB EN EN 構成B M1 = 0 構成A M2 = 0 M1 = 0、 DC2 DC2 IDEAL DIODE 2 IDEAL DIODE 2 DC/DC SHDN DC1 V1 DC/DC SHDN DC1 IDEAL DIODE 1 IDEAL DIODE 1 V2 * V2 G1 AND G2 V1 G1 AND G2 – IDEAL DIODE DRIVER 1 AND 2 + – PB * PB DETECT LOGIC EN 構成C CONFIGURATION C M1 = M1 = 11,、M2 M2==11 IDEAL DIODE DRIVER 1 AND 2 M2 PB + 0.5V PB DETECT LOGIC 構成D CONFIGURATION D M1 M1 == 11 * EN 2952 F01 *EXTERNAL PULL-UP REQUIRED 図1. 4種類の標準的なパワーパスの構成 2952fb 14 LTC2952 アプリケーション情報 LTC2952は、 プッシュボタン・オン/オフ制御機能とシステム 管理機能をもつ汎用パワーマネージメント・デバイスです。パ ワーマネージメント機能は、2個のDCソースを低損失で切り 替える理想ダイオードパワーパス制御を特長とします。 このパ ワーパスの制御動作は、様々なアプリケーション要件を満た すように構成できます。 LTC2952のプッシュボタン入力は個別に調整可能なオンおよ びオフのデバウンス時間を備えており、 これにより低リークの オープンドレイン・イネーブル出力のトグルを制御し、構成に よっては理想ダイオードのパワーパス動作を制御します。 シン プルなインターフェイスによって、パワーダウンの前にデジタ ル・オン/オフ制御や適切なシステム・ハウスキーピングを行う ことができます。 また、LTC2952は強固で高精度のシステム管理機能を備えて いるので、高信頼性のシステム・アプリケーションに適していま す。 これらの管理機能は、パワーフェール、電圧モニタリング、 ウォッチドッグ・リセットなどの機能を備えているので、電源状 態のモニタやシステムの品質確保に使用できます。 理想ダイオード・ドライバ 標準的なアプリケーションでは、 「ブロック図」や図2に示す ように、個々の理想ダイオード・ドライバは外付けPチャネル MOSFETをドライブするように接続されます。VINに電源が印 加され理想ダイオード・ドライバがイネーブルされると、理想ダ イオード・ドライバはGATE電圧を制御してVIN-VS間で20mV の電圧差を保ちます。負荷電流の変化に応じて、20mVの電 圧差が維持されるようにGATE電圧が制御されます。 INPUT SUPPLY + + – V1/V2 – VS VIN OUTPUT TO LOAD VS G1STATピンは1次理想ダイオード・ドライバの状態を示しま す。1次ドライバに接続された外付けPFETがVSに電源を供 給しているとき、G1STATピンはハイ・インピーダンス状態に なり、1次ドライバに接続されたPFETがシャットオフすると、 G1STATピンは L になります。 パワーパスの構成 構成A： ACアダプタ-バッテリ間自動切り替え機能付き プッシュボタン・コントローラ この特殊な構成ではM1とM2の両方のピンをグランドに接 続します。 これらの接続によって、LTC2952は両方の理想ダイ オードが常にイネーブルされた状態で動作するように設定さ れます。 このアプリケーションでは、VSノードからシステムに供給され る電源はDC/DCコンバータのシャットダウン・ピンに接続され たENピンによって制御されます。 このENピンをトグルすること * ADAPTER Q2 BATTERY – + A1 負荷電流がVDSを20mVにした状態で電流を供給する外付け PFETの能力を超えて流れると、GATE電圧がクランプされて PFETが固定抵抗のように動作するので、負荷電流が増加す るに従って順方向電圧がわずかに上昇します。VSピンが外部 でVINより高い電圧レベルにプルアップされると、 理想ダイオー ド・ドライバは外付けPFETをシャットオフして逆導通状態に ならないようにします。 したがって、1次と2次の両方の理想ダイ オード・ドライバがイネーブルされると、2つの理想ダイオード・ ドライバは一緒に動作し、VSをV1かV2の高い方の20mV以 内にします。 Q1 PRIMARY/SECONDARY IDEAL DIODE DRIVER G2 DC/DC G1 TO SYSTEM SHDN VS V1 V2 ANALOG CONTROLLER INTERNAL ENABLE LINEAR GATE DRIVER AND VOLTAGE CLAMP ON/OFF M1 G1/G2 GATE G1STAT STAT (ONLY IN PRIMARY DRIVER) LTC2952 EN ** M2 *Q1 AND/OR Q2 PFET CAN BE REPLACED BY A SCHOTTKY DIODE WITH G1 AND/OR G2 FLOATING **EXTERNAL PULL-UP REQUIRED PB S1 2952 F03 2952 F02 図2. 理想ダイオード・ドライバの詳細機能ブロック図 図3. パワーパスの構成A 2952fb 15 LTC2952 アプリケーション情報 によってPB入力はパワーパスを制御します。 このアプリケーションでは両方の理想ダイオードが常にイネー ブルされているので、 ショットキー・ダイオードの電圧降下およ び逆リーク電流が許容される限り、Q1またはQ2のいずれかを ショットキー・ダイオードと置き替えることができます。 構成B： ACアダプタ動作優先、 バッテリへの 自動切り替え機能付きプッシュボタン・コントローラ この構成（図4） では、M1ピンをグランドに接続し、M2ピンを ACアダプタ入力のモニタに使用して理想ダイオード・ドライ バの動作を変更します。ACアダプタの電圧がトリップ・スレッ ショルドを下回ると、両方の理想ダイオードがイネーブルされ ます。 ACアダプタの電圧がトリップ・スレッショルドを上回ると、1次 理想ダイオード・ドライバがディスエーブル （Q1およびQ3がオ フ） され、2次理想ダイオード・ドライバがイネーブル（Q2がオ ン） されます。 つまり、負荷電流はバッテリの電圧レベル （V1） に関係なくACアダプタ （V2） から供給されることになります。 ACアダプタの電圧トリップ・スレッショルドがバッテリ入力の 電圧レベルよりも低く設定され、ACアダプタ入力がハイ・イン ピーダンスになる可能性がある場合、V2の容量を最小限に 抑える必要があります。 これにより、ACアダプタ入力がハイ・イ ンピーダンスになり、Q1、Q3が即座にオンした際、正常な動作 を保証します。 可能性がある場合、Q1、Q3用に逆向きにしたPFETを使用し、 ACアダプタ （V2） の電圧がバッテリ （V1） の電圧を下回っても バッテリ （V1）からVSピンに電流が流れないようにする必要 があります。 構成C： 理想ダイオード・ドライバのプッシュボタン制御 この構成ではM2ピンをM1ピンに接続します。 M1ピンには3μAの 内部プルアップ電流が流れるので、 この電流によってM1とM2は いずれも H になります。 これによって、 PBピンは理想ダイオード・ ドライバとENピンの両方をまとめて完全に制御できます。 最初の有効プッシュボタン入力で両方の理想ダイオード・ドラ イバがオンすることによって、VSピンがACアダプタかバッテリ 入力のいずれか電圧が高い方にドライブされ、 システムに電 源を直接供給します。逆に、有効プッシュボタン・オフ入力に よって、 システムへの割り込みを含むシャットダウン・シーケン ス後に理想ダイオードがオフされます。 構成D： WALL ADAPTER Q2 Q4 Q1 BATTERY G2 G1 TO SYSTEM VS V1 V2 M1 LTC2952 EN M2 PFETのボディー・ダイオードを介した電流経路が形成される PB S1 **WALL ADAPTER 2952 F05 Q2 図5. パワーパスの構成C Q1 BATTERY Q3 TO SYSTEM DC/DC G2 G1 SHDN VS V1 V2 M1 R9 LTC2952 EN * M2 *EXTERNAL PULL-UP REQUIRED **WALL CAN BE LESS THAN BATTERY PB R10 Q3 S1 プッシュボタン・パワーパス・コントローラ付き バッテリ・バックアップ 図6に示すこの構成では、M1ピンはフロート状態に置かれる ので、3μAの内部プルアップによってスレッショルドを上回りま す。M1が H の場合、 デバイスは、M2ピンの立ち上がりエッジ および立ち下がりエッジは、 それぞれデジタル・オン・コマンド およびオフ・コマンドに相当する動作をします。 2952 F04 図4. パワーパスの構成B 2952fb 16 LTC2952 アプリケーション情報 WALL ADAPTER Q2 TO SYSTEM BATTERY DC/DC Q1 G2 SHDN G1 VS V1 V2 M1 R9 LTC2952 EN * M2 C2 R10 PB S1 2952 F06 *EXTERNAL PULL-UP REQUIRED 図6. パワーパスの構成D 図6では、M2ピンはACアダプタの電圧をモニタします。M2ピン の電圧がその立ち上がりトリップ・スレッショルド （0.515V） よ り高くなるようにACアダプタに最初に電源を印加すると、両方 の理想ダイオード・ドライバおよびDC/DCコンバータがイネー ブルされます。 このようにシステムに電源が供給されます。 ACアダプタの電圧がそのトリップ・スレッショルドを下回ると、 直ちにシャットダウン・シーケンスが開始されます。 シャットダ ウン・シーケンスの終了時に、理想ダイオード・ドライバとDC/ DCコンバータがディスエーブルされます。 このように電源が負 荷から切り離され、 システムがシャットダウン状態になります。 システムに電源が供給されると、PBピンを使って電源をオフす ることができます。 この構成でPBを電源オフに使用する場合、 電源をオンに戻すには2つの方法があります。 1つはPBピンの有 効プッシュボタン・オン・イベントで、 もう1つはACアダプタの電 圧のリサイクリング （M2ピンの電圧レベルをそのスレッショルド より下げてから再度上げる、 デジタル・オン・コマンド） です。 また、 このアプリケーションの場合、ACアダプタ入力の電圧ス レッショルド （M2ピンでモニタされる）が通常、バッテリ入力 の電圧より高く設定されている点にも注意してください。 した がって、電源がバッテリ （V1ピン） から負荷に供給されるのは、 ACアダプタ入力 （V2ピン） の電圧がバッテリ入力の電圧レベ ルを下回るシャットダウン・シーケンスの間だけです。 逆バッテリ保護 LTC2952を逆バッテリ接続から保護するため、 バッテリ接続に 使用する各電源ピン （V1やV2） と直列に1k抵抗を接続し、保 護するピンの容量をすべて取り除いてください。図7にV1ピン での逆バッテリ保護の構成を示します。 この抵抗によってバッ テリが逆に接続されたときにV1ピンから流出する電流量が制 限されるので、 デバイスが保護されます。 ただし、V1ピンおよびV2ピンは理想ダイオード・ドライバのア ノード・センス・ピンとしても使用されているので、 この逆バッテ リ保護抵抗の値を大きくし過ぎないように注意が必要です。 理想ダイオード・ドライバがオン状態の場合、 デバイスの消費 電流（60μA標準） の大部分はVSピンから供給され、残りの消 費電流（20μA標準） は電源ピンから供給されます。 したがっ て、推奨する1kΩの逆バッテリ保護抵抗によってPチャネル MOSFETの電圧降下に20mV（1kΩ • 20μA） が加算されます。 図7の場合、 バッテリの電圧がACアダプタの電圧より高いと、 バッテリがDC/DCコンバータに負荷電流を供給します。 理想ダ イオード・ドライバはG1を制御し、V1からVSまでの20mV（標 準） の電圧降下を一定に保ちます。 逆バッテリ保護抵抗 （R12） の両端には20mVの電圧降下が生じるので、 バッテリからVSピ ンまでの制御された電圧降下は40mV （標準） になります。 WALL ADAPTER Q2 BATTERY DC/DC Q1 R12 1k G2 * V1 SHDN G1 VS EN ** V2 M1 LTC2952 M2 PB *MINIMIZE CAPACITANCE ON V1 **EXTERNAL PULL-UP REQUIRED S1 2952 F07 図7. V1の逆バッテリ保護 プッシュボタン入力と回路 PBピンは高精度コンパレータのハイ・インピーダンス入力で、 LDOで安定化された4Vの内部電源に10μAのプルアップが行 われています。PB入力コンパレータの立ち下がりトリップ・ス レッショルドは0.775Vで、25mVのヒステリシスがあります。PB ピンには保護回路があるので、 8kVのESD HBM定格で6V ∼28Vの広範囲にわたって動作させることができます。 プッシュボタン回路は、内部オン/オフ信号を設定するPBピン の入力のデバウンスを行います。 この信号によってターンオン/ オフ・パワー・シーケンスが開始されます。 2952fb 17 LTC2952 アプリケーション情報 VALID PB ‘TURN-ON’ EVENT VALID PB ‘TURN-OFF’ EVENT INVALID PB RELEASE EVENT INVALID PB PUSH EVENT INVALID PB PUSH EVENT PB ONT CAP OFFT CAP INTERNAL ON/OFF SIGNAL INT tDB,ON 26ms tONT tDB 26ms tDB,OFF 26ms tOFFT tDB 26ms <tDB,ON <tONT 26ms tDB,ON tDB,ON 26ms tONT <tDB tDB 26ms 26ms <tDB,OFF 26ms <tDB,OFF tDB,OFF tDB,OFF 26ms 26ms <tOFFT tOFFT 2952 F08 図8. プッシュボタンのデバウンスのタイミング図 図8のタイミング図は、PBピンのデバウンスおよび内部オン/オ フ信号の設定を示します。 内部オン/オフ信号が H の場合は 前のイベントがターンオン・コマンドであったことを示し、 内部 オン/オフ信号が L の場合は前のイベントがターンオフ・コマ ンドであったことを示します。具体的には、 ターンオン・コマン ドはプッシュボタン・オン・イベントの結果であり、 ターンオフ・ コマンドはプッシュボタン・オフ・イベントの結果です。 プッシュボタンはすべてプッシュ・イベントとリリース・イベン トから構成されていることに注意してください。PBピンのプッ シュ・イベント （立ち下がりエッジ） のオンおよびオフのデバウ ンス時間は、ONTピンおよびOFFTピンにそれぞれコンデンサ を接続することによって、内部で設定された26msより延長す ることができます。次式は、PBピンのプッシュ・イベントが有効 プッシュボタン・オンまたはオフと認識されるまでに必要なデ バウンスの延長時間を示します。 tONT = CONT •（9.3MΩ） tOFFT = COFFT •（9.3MΩ） それぞれONTおよびOFFTの外付け設 CONTおよびCOFFTは、 定コンデンサです。 プッシュボタン・オフのプッシュ・イベントの間、最初の26ms のデバウンス時間が経過すると、INTピンが L になります。 OFFTのデバウンス時間およびシャットダウン・シーケンスの 間、PBピンが L に保たれると、INTピンは L になります。 OFFT時間が終了する前にPBピンが H になると、INTピンは 即座にハイ・インピーダンスになります。一方、OFFT時間の終 了時にPBピンが L に保たれたままの場合、次のシャットダウ ン・シーケンスの間、INTピンは L が継続します。 有効プッシュ・イベントに続くプッシュボタン・スイッチのリリー ス・イベント （立ち上がりエッジ）時に、PBピンは26msに設定 された内部デバウンス時間中、 その立ち上がりスレッショルド （0.8V）以上を保ち続ける必要があります。 標準的なアプリケーションの場合、PBピンはプッシュボタ ン・スイッチに接続されます。スイッチに大きなリーク電流 （>10μA） が流れる場合、外付けのプルアップ抵抗をV1、V2、 またはVS（アプリケーションによる） に接続することを推奨しま す。 さらに、 プッシュボタン・スイッチがLTC2952のPBピンから 物理的に遠い位置にある場合、ハイ・インピーダンスのPB入 力に様々な信号が結合される可能性があります。PBピンから グランドに0.1μFのコンデンサを接続することにより、信号結合 の影響が低減されます。 また、寄生直列インダクタンスによっ てPBピンに望ましくないリンギングが生じる可能性もありま す。 これは、 スイッチに隣接して5kΩの抵抗を直列に接続する ことによって最小限に抑えることができます。 2952fb 18 LTC2952 アプリケーション情報 高精度コンパレータの入力ピンVM、PFI、KILL、 M1、 M2 VM、PFI、KILL、M1、M2は、立ち下がりスレッショルドが 0.500Vの高精度コンパレータのハイ・インピーダンス入力ピン です。 これらのピンの中にはいくつかの違いがあることに注意 してください。 たとえば、VMピンのコンパレータにはヒステリシ スがありませんが、他のコンパレータには15mVのヒステリシス があります。 また、M1ピンには3μAのプルアップ電流が供給さ れますが、他の入力ピンには供給されません。 VTRIP R1 1% + PIN R2 1% – + – 0.5V 2952 F09 VM、PFI、KILL、 またはM2ピンを正電圧とグランド間の外付 け抵抗分割器のタップ点に接続した、標準的なアプリケー ション構成を図9に示します。 次式を使用して抵抗分割器から得られる立ち下がりトリップ 電圧を算出してください。 ⎛ R1⎞ VFALLING− TRIP = 0.5V ⎜ 1+ ⎟ ⎝ R2 ⎠ 様々なアプリケーションの1%抵抗の推奨値を表1に示します。 表1. 高精度コンパレータの1%抵抗の推奨値 （6.5%の公称スレッショルド） VSUPPLY (V) VTRIP (V) R1 (kΩ) R2 (kΩ) 12 11.25 2150 100 10 9.4 1780 100 8 7.5 1400 100 7.5 7 1300 100 6 5.6 1020 100 5 4.725 845 100 3.3 3.055 511 100 3 2.82 464 100 2.5 2.325 365 100 1.8 1.685 237 100 1.5 1.410 182 100 1.2 1.120 124 100 1.0 0.933 86.6 100 0.9 0.840 68.1 100 0.8 0.750 49.9 100 0.7 0.655 30.9 100 0.6 0.561 12.1 100 図9. コンパレータのトリップ・ポイントの設定 標準的なアプリケーションでは、M1ピンは通常、 グランドに 接続するか、 またはフロートさせておきます。 フロートさせた場 合、M1ピンは3μAの内部プルアップによって、 その立ち上がり スレッショルド （0.515V） より高い電圧にドライブされます。 こ の3μAのプルアップ電流は他のハイ・インピーダンス入力ピン のいずれかまたはすべてのプルアップに使用できることに注意 してください。 たとえば図5に示すように、M2ピンをM1ピンに 接続して両方をそれらの立ち上がりスレッショルドより高い電 圧にプルアップします。 電圧モニタとウォッチドッグ機能 1つ目の電圧モニタ入力はPFIです。前述のように、 このピンは 15mVのヒステリシスをもつ高精度コンパレータのハイ・イン ピーダンス入力です。PFIの電圧がその立ち上がりスレッショ ルド （0.515V） より高いときは、PFOピンはハイ・インピーダンス です。逆に、PFIの電圧レベルがその立ち下がりスレッショルド （0.500V） より低いと、PFOピンはGNDまで強力にプルダウン されます。 2つ目の電圧モニタ入力はVMです。 VMピンは （ウォッチドッグ・ モニタ・ピンとして機能する）WDEピンと一緒に、RST出力ピン の状態に影響を与えます。 VMピンもまた、 高精度コンパレータ のハイ・インピーダンス入力です。 ただし、 VMのコンパレータに はヒステリシスがないので、立ち上がりおよび立ち下がりのス レッショルドは同じ （0.500V） です。 VMの電圧レベルが0.5Vより低いと、RSTピンはGNDまで強 力にプルダウンされます。VMの電圧レベルが最初に0.5Vを上 回ると、RST出力ピンはハイ・インピーダンスになる前にさらに 200ms（tRST） の間 L に保たれます。 RSTピンがハイ・インピーダンスになった後、WDE入力ピンが ハイ・インピーダンス状態のままでなければ、 ウォッチドッグ・ タイマが起動します。 ウォッチドッグ・タイマは、WDEピン （ H から L または L から H に遷移） にエッジが生じるたびにリ 2952fb 19 LTC2952 アプリケーション情報 セットされます。 ウォッチドッグ・タイマは、以下のいずれかの条 件によって終了することができます。 1. RSTピンが L からハイ・インピーダンスに遷移した後の tWDE （1.6s） の期間、WDEピンに有効エッジがない。 2. RSTピンがハイ・インピーダンスの間、WDEピンの最後の 有効エッジからtWDE（1.6s） の期間、WDEピンに有効エッジ がない。 このタイミング・シーケンスの場合、LTC2952に最初に電源が 印加されるので、KILLピンは L に設定されています。 内部オ ン/オフ信号が H に遷移すると直ちに （t1）、ENピンがハイ・ インピーダンスになり、内部400ms（t KILL, ON BLANK） タイマ が始動します。 この400msのKILLオン・ブランキング期間中、 KILLピンへの入力は無視されるのでENピンはハイ・インピー ダンス状態を保ちます。 このKILLオン・ブランキング時間は、 システムが正常に起動するのに十分な時間が得られるように 設計されています。 「タイミング図」 のセクションで示すように、VMピンの電圧が 0.5Vより高いときにウォッチドッグ・タイマが終了すると、RST μP/システムがパワーオンすると、KILLピンが H に設定され ピンはtWDE（ 1.6s） の間に再度ハイ・インピーダンスになる前 （t ）、パワーアップ・シーケンスが正常に終了したことが示さ 2 にtRST（200ms） の間、 グランドまで強力にプルダウンされます。 れます。400msのKILLオン・ブランキング期間の終了時（t ） 3 に WDEにエッジが生じるか、VMの電圧が0.5Vを下回るか、 あ KILLピンを H に設定できないと、 システムは即座にシャッ るいは （WDEをハイ・インピーダンス状態にしておくことによっ トダウンします （「パワーオン・シーケンスの中断」 の項目を参 て） ウォッチドッグ機能がディスエーブルされることがない限 照）。KILLオン・ブランキング期間が終了すると、 システムはパ り、 この状態が続きます。 ワーオンし、通常動作状態になります。 両方の理想ダイオード・ドライバがディスエーブルされる特定 のパワーパスの構成では、WDEピンのウォッチドッグ機能も ディスエーブルされます。 このような構成の例として、有効プッ シュボタン・オフまたはデジタル・オフ・コマンドによって両方の 理想ダイオードをオフにすることができる、構成C（図5） および 構成D（図6） があります。 パワーオン/パワーオフ・シーケンス 図10は、通常のパワーオンおよびパワーオフのタイミング図を 示します。 このタイミング図ではクリーンな内部オン/オフ信号 のみが示されていることに注意してください。 この内部オン/オ フ信号の遷移は、 モード入力ピン （M1/M2） を通じて有効デバ ウンス・プッシュボタン・オン/オフまたはデジタル・オン/オフに よって実行できます。 INTERNAL ON/OFF SIGNAL KILL DON'T CARE EN t1 t2 t3 t4 t5 tKILL, ON BLANKING <tKILL, OFF WAIT tEN, LOCKOUT t6 2952 F10 図10. KILLオフ待機時間中にKILLがENのアサートを無効にする、 パワーオンおよびパワーオフ・シーケンス 内部オン/オフ信号が L に遷移する （t 4） と、 シャットダウン・ シーケンスが即座に開始されます。WDEピンで400ms以内 に （ H から L または L から H の）エッジが検出されて 待機時間がさらに400ms延長されない限り、システム電源 はシャットダウン・シーケンスの開始から400ms（t KILL, OFF の後オフします。 WAIT） このKILLオフ待機時間（400ms/サイクル）は、システムが シャットダウンする前にハウスキーピング作業を終了できるよ うに設計されています。μPがパワーダウン動作を終了すると、 400msのKILLオフ待機時間を終了までそのまま持続するか、 あるいはKILLピンを L に設定（t5） してKILLオフ待機時間を 即座に終了させることができます。KILLオフ待機時間が終了 すると、LTC2952はENを L に設定し、ENピンに接続された DC/DCコンバータをオフします。 DC/DCコンバータがオフする （ENが L になる） と、 その出力レ ベルがグランドまで低下するのにかなりの時間を要すること があります。μPが再起動する前に常に正常にパワーダウンす ることを保証するため、 もう1つの400ms（イネーブル・ロックア ウト時間、tEN, LOCKOUT） タイマを始動することによって、DC/ DCコンバータの出力電力レベルをグランドに完全にパワー ダウンします。 このイネーブル・ロックアウト時間中、ENピンは L 状態に保たれます。 4 0 0 m sのイネーブル・ロックアウト時 間の終了時（ t 6 ）に、 LTC2952はENピンが強力にプルダウンされたままリセット状 態になります。 2952fb 20 LTC2952 アプリケーション情報 パワーオン・シーケンスの中断 図11のタイミング図に示すように、400msのKILLオン・ブラン キング期間が終了する前にμPがKILLピンを H に設定する ことができないと、パワーオン・シーケンスが中断されます。 KILLオン・ブランキング・タイマが終了する （t 7） と、KILLピン は L のままになり、μP/システムが正常に起動できなかったこ とを示します。 システムが400msの規定時間範囲内にKILLピ ンを H に設定できない場合、LTC2952はENピンを L にす る （したがって、DC/DCコンバータをオフにする） ので、副次的 に内部オン/オフ信号をリセットします。 通常動作時のKILLによる電源オフ システムがパワーオン状態で通常動作中、図12のタイミング 図に示すように、KILLを L に設定することによってシステム の電源をオフすることができます。t 9で、KILLが L に設定さ れるとLTC2952は即座にENを L にし、DC/DCコンバータを オフします。 INTERNAL ON/OFF SIGNAL KILL ターンオフ時の電源の延長 シャットダウン・プロセスにおいて、KILLオフ待機時間中に WDEピンにエッジを印加することによって、電源の有効時間 を延長することができます。図13のタイミング図は、 シャットダ ウン・プロセス時のWDEピンのエッジを除けば、 パワーオン/パ ワーオフ・シーケンスのタイミング図（図10） と同じです。t 10の 時点で、 内部オン/オフ信号が L に遷移します。 これが生じる と、 システムに電源を供給しているDC/DCコンバータは、WDE ピンがトグルされない限り、 400msの後、 オフされます。 t11の時点でWDEピンが遷移すると、 LTC2952は400msのKILL オフ・ウェイト・タイマをリセットします。 この2番目の400msの待 （今 機時間が終了する前に、 t12の時点でWDEピンが再度遷移 度は H から L ） すると、 400msのタイマが再度リセットされま す。 最後に、 t12の時点で始動する3番目の400msのタイマがさら に延長されることなくt13の時点で終了してENピンを L にし、 DC/DCコンバータをシャットダウンします。 INTERNAL ON/OFF SIGNAL DON'T CARE DON'T CARE KILL EN EN t7 tKILL, ON BLANKING t8 tEN, LOCKOUT 2952 F11 tKILL, ON BLANKING 図11. パワーオン・シーケンスの中断 t9 2952 F12 図12. KILLによるシャットダウンの開始 EXTENDED HOUSE KEEPING TIME INTERNAL ON/OFF SIGNAL KILL DON'T CARE DON'T CARE EN WDE t10 t11 t12 t13 tKILL, ON BLANKING < tKILL, OFF WAIT tKILL, OFF WAIT < tKILL, OFF WAIT tEN, LOCKOUT 2952 F13 図13. シャットダウン/ハウスキーピングの待機時間が延長される、 パワーオン/パワーオフのシーケンス 2952fb 21 LTC2952 アプリケーション情報 様々な構成の設定 理想ダイオードのパワーパスの状態（ID1：1次、ID2：2次） を含 む、前述の様々な構成を表2に要約します。M1ピンおよびM2 ピンでは、0.515V（標準立ち上がりスレッショルド） を上回る 入力は1で表され、0.500V（標準立ち下がりスレッショルド） を 下回る入力は0で表されます。 また、 イネーブルされた理想ダイ オード・ドライバは1で表され、 ディスエーブルされたドライバは 0で表されます。 表2. モード表 MODE DESCRIPTION M1 M2 EN ID1 ID2 0 Both Diodes Enabled 0 0 0 1 1 1 Both Diodes Enabled 0 0 1 1 1 2 Primary Diode Off, Secondary Diode On 0 1 0 0 1 3 Primary Diode Off, Secondary Diode On 0 1 1 0 1 4 PowerPath Off, PB Overwrite 1 0 0 0 0 5 Transitional PowerPath Off, PB Overwrite 1 0 1 1 1 6 Pushbutton PowerPath Off 1 1 0 0 0 7 Pushbutton PowerPath On 1 1 1 1 1 表2のモード表に加え、図14のモード遷移図は、 ピン（PB、 M1、 およびM2） のイベント間のあり得るすべてのやり取りおよ びLTC2952のパワーパスの様々な動作モードを示します。表2 および図14を使用することによって、LTC2952を 「動作」 および 「アプリケーション情報」 で述べた4つの構成以外にも様々な 方法で構成することができます。 モード0およびモード1では、両方の理想ダイオード・ドライバ が常にイネーブルされます。有効プッシュボタンによって、理想 ダイオードをオフすることなく、 モードを0と1間でトグル （ENピ ン状態の切り替え） します。 これらのモードは構成Aおよび構 成B（図3および図4） で使用されます。 モード2およびモード3では、1次理想ダイオード・ドライバが ディスエーブルされ、2次理想ダイオード・ドライバのみがイ ネーブルされるので、V2のみがVSに接続される負荷に電源を 供給します。 これらのモードは構成B （図4） で使用されます。 モード4およびモード5では両方の理想ダイオードがディス エーブルされるので、PBピンへの入力は無視されます。モー ド5は過渡的なモードであることに注意してください。 モード5 の間にM1ピンおよびM2ピンで変化が生じない場合、適切な シャットダウン・シーケンス後にモードは最終的にモード4に 遷移します。 モード1でのM1の立ち上がりエッジまたはモード7でのM2の 立ち下がりエッジがデジタル・オフ・コマンドと認識されると、 モード5に遷移します。 デジタル・オフ・コマンドを受け取った 場合、ENピンは L にドライブされ、μPへの割り込みアラート （INTピンが L にドライブされる） を含む適切なシャットダ ウン・シーケンス後に理想ダイオードがディスエーブルされま す （シャットダウン・シーケンスの詳細については前述のセク ションを参照）。 モード4およびモード5のいずれの場合もPB入力は無視される ので、 これら2つのモードからパワーパスをターンオンする方法 は、M2ピンの0から1への遷移のみであることに注意してくださ い。 モード4またはモード5でのM2ピンの0から1への遷移は、 デ ジタル・オン・コマンドとみなされます。 このデジタル・オン・コマン ドによって、 モード4またはモード5からモード7へのモード遷移 が生じます。 モード7の場合、 両方の理想ダイオードがイネーブ ルされるのでENピンはハイ・インピーダンスになります。 モード 4、 モード5、 およびモード7は構成D （図6） で使用されます。 モード7ではM2ピンとPBピンの両方によってENピンを直接 制御できることに注意してください。 モード7でのM2ピンの1か ら0への遷移は、 デジタル・オフ・コマンドと認識されます。 この デジタル・オフ・コマンドによって、適切なシャットダウン・シー ケンス後にモード4に遷移します。一方、 モード7での有効プッ シュボタン・オフによって、 デバイスは適切なシャットダウン・ シーケンス後にモード6に遷移します。 モード4およびモード6 の両方の場合、ENピンは L にドライブされます。 モード6およ びモード7は構成C （図5） で使用されます。 モード4では理想ダイオード・ドライバ回路がディスエーブルさ れ、ENピンが L にドライブされるのでPB入力は無視されま す。一方、 モード6の場合、1次と2次の理想ダイオードの両方 がディスエーブルされ、 かつENピンが L に設定されても、PB 入力は無視されません。有効プッシュボタンによってデバイス がモード6からモード7に遷移すると両方の理想ダイオードが オンするので、ENピンがハイ・インピーダンスに設定されます （DC/DCコンバータをターンオンする）。 2952fb 22 LTC2952 アプリケーション情報 MODE 0 M1 = 0 M2 = 0 EN = 0 G1 = ON G2 = ON VALID PB VALID PB MODE 1 M1 = 0 M2 = 0 EN = 1 G1 = ON G2 = ON M1 M1 M1 M1 M2 M2 M2 PB CONTROL OF EN PIN M2 DIGITAL OFF COMMAND MODE 2 M1 = 0 M2 = 1 EN = 0 G1 = OFF G2 = ON VALID PB VALID PB MODE 4 M1 = 1 M2 = 0 EN = 0 G1 = OFF G2 = OFF (PB IGNORE) M1 M1 M2 MODE 6 M1 = 1 M2 = 1 EN = 0 G1 = OFF G2 = OFF MODE 3 M1 = 0 M2 = 1 EN = 1 G1 = OFF G2 = ON MODE 5 M1 = 1 M2 = 0 EN = 1 G1 = OFF G2 = OFF (PB IGNORE) M2 DIGITAL ON COMMAND VALID PB VALID PB M2 DIGITAL OFF COMMAND M1 M1 M2 AND PB CONTROL OF EN PIN AND IDEAL DIODES FUNCTION M2 DIGITAL ON COMMAND MODE 7 M1 = 1 M2 = 1 EN = 1 G1 = ON G2 = ON 2952 F14 図14. モード遷移図 2952fb 23 LTC2952 標準的応用例 シンプルなプッシュボタン・オン/オフ制御およびμPなしのシステム電源の電圧モニタを 使用したACアダプタとバッテリの自動負荷切り替え VIN Q1 Si7913DN R6 1k LT1767-2.5 SHDN** G1 PFI V1 EN V2 VM R8 10k R4 100k VS G2 R1 365k R7 1k POWER LOW INDICATOR R3 511k 4.2V SINGLE CELL Li-Ion BATTERY R5 1k BAT OFF INDICATOR Q2 Si7913DN 2.5V VOUT R2 100k BAT LOW INDICATOR WALL ADAPTER 5V TO 20V D3 D2 D1 INT LTC2952 M1 KILL M2 RST G1STAT PFO PB WDE S1 GND ONT OFFT CONT* 22nF COFFT* 68nF *OPTIONAL **SHDN INTERNALLY PULLED UP BY THE LT1767-2.5 2952 TA02 プッシュボタン制御、電圧モニタ、 およびウォッチドッグを使用したACアダプタとバッテリの自動負荷切り替え WALL ADAPTER 12V TO 25V VIN Q1 Si6993DQ Q2 Si6993DQ 3.3V VOUT LT1767-3.3 R6 10k SHDN** R3 1.3M 9V BATTERY G1 PFI V1 EN V2 VM LTC2952 R8 10k R4 100k VS G2 R7 10k R1 511k R2 100k R5 10k RST M1 INT M2 G1STAT PB KILL µP PFO WDE S1 ONT CONT* 22nF GND OFFT COFFT* 68nF *OPTIONAL **SHDN INTERNALLY PULLED UP BY THE LT1767-3.3 2952 TA03 2952fb 24 LTC2952 標準的応用例 ACアダプタ動作を優先した無停電電源および、 プッシュボタン制御、電圧モニタ、 およびウォッチドッグを使用したバッテリへの自動負荷切り替え WALL ADAPTER 5V TO 30V VIN Q2 Si7421DN CVS 0.1µF Si7941DP Q1 5V TO 30V BATTERY G1 RUN/SS** G2 PFI V1 EN V2 VM R7 10k R1 511k R6 10k R8 10k R4 100k VS R2 100k R5 10k RST LTC2952 R9 845k LTC1625 R3 1.78M Q3 3.3V VOUT M1 INT G1STAT M2 PFO PB KILL R10 100k µP WDE S1 GND ONT OFFT CONT* 22nF COFFT* 68nF *OPTIONAL **RUN/SS INTERNALLY PULLED UP BY THE LTC1625 2952 TA04 プッシュボタン制御、電圧モニタ、 およびウォッチドッグを使用した直接パワーパス制御 Si7925DN Q4 Si7925DN Q2 4.2V SINGLE CELL Li-Ion BATTERY Q1 CVS 0.1µF Q3 G2 G1 R4 100k R6 10k R7 10k R1 511k R8 10k VS D4 V1 EN V2 VM LTC2952 R3 845k R11 1k POWER ON/OFF INDICATOR WALL ADAPTER 5V R2 100k R5 10k RST M1 INT M2 G1STAT PFI PFO PB KILL µP WDE S1 ONT CONT* 22nF GND OFFT COFFT* 68nF *OPTIONAL 2952 TA05 2952fb 25 LTC2952 標準的応用例 1次電源および、 プッシュボタン制御、電圧モニタ、 およびウォッチドッグを 使用した1次的なバッテリ・バックアップを備えた緊急システム PRIMARY POWER 12V TO 30V VIN Q1 SUB75P03-07 Q2 SUB75P03-07 VOUT 3.3V LTC3728 R6 10k RUN/SS** R3 1.82M 12V BATTERY R9 2.15M R10 100k G2 PFI V1 EN V2 VM LTC2952 R8 10k R4 100k VS G1 R7 10k R1 511k R2 100k R5 10k RST M1 INT M2 G1STAT PB KILL µP PFO C2 0.1nF WDE ONT S1 CONT* 22nF GND OFFT COFFT* 68nF *OPTIONAL **RUN/SS INTERNALLY PULLED UP BY THE LTC3728 2952 TA06 2952fb 26 LTC2952 パッケージ 最新のパッケージの図面についてはhttp://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/を参照してください。 Fパッケージ 20ピン・プラスチックTSSOP （4.4mm） （Reference LTC DWG # 05-08-1650） 6.40 – 6.60* (.252 – .260) 1.05 ±0.10 6.60 ±0.10 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 4.50 ±0.10 0.45 ±0.05 6.40 (.252) BSC 0.65 BSC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 推奨半田パッド・レイアウト 4.30 – 4.50** (.169 – .177) 0.09 – 0.20 (.0035 – .0079) 0.25 REF 1.10 (.0433) MAX 0∞ – 8∞ 0.50 – 0.75 (.020 – .030) NOTE： 1. 標準寸法：ミリメートル ミリメートル 2. 寸法は （インチ） 0.65 (.0256) BSC 0.19 – 0.30 (.0075 – .0118) TYP 0.05 – 0.15 (.002 – .006) F20 TSSOP 0204 3. 図は実寸とは異なる *寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは各サイドで0.152mm(0.006")を超えないこと **寸法にはリード間のバリを含まない リード間のバリは各サイドで0.254mm(0.010")を超えないこと 2952fb 27 LTC2952 パッケージ 最新のパッケージの図面についてはhttp://www.linear-tech.co.jp/designtools/packaging/を参照してください。 UF UFPackage パッケージ 20-Lead QFN (4mm × 4mm) 20ピン・Plastic プラスチック QFN （4mm 4mm） (Reference LTC DWG # 05-08-1710 Rev A)A） （Reference LTC DWG # 05-08-1710 Rev 0.70 ±0.05 4.50 ± 0.05 3.10 ± 0.05 2.00 REF 2.45 0.05 2.45 0.05 パッケージの外形 0.25 ±0.05 0.50 BSC 推奨する半田パッドのピッチと寸法 半田付けされない領域には半田マスクを使用する 4.00 0.10 0.75 0.05 R = 0.05 TYP R = 0.115 TYP 19 20 0.40 0.10 ピン 1 の トップマーク （NOTE 6） 4.00 0.10 ピン 1 のノッチ R=0.20（標準） または 0.35x45 の 面取り 底面図―露出パッド 1 2.00 REF 2.45 0.10 2 2.45 0.10 (UF20) QFN 01-07 REV A 0.200 REF 0.00 – 0.05 0.25 0.05 0.50 BSC NOTE： 1. 図は JEDEC パッケージ外形 MO-220 のバリエーション （WGGD-1） に するよう提案されている （承認待ち） 2. 図は実寸とは異なる 3. すべての寸法はミリメートル 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない モールドのバリは （もしあれば）各サイドで 0.15mm を超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする 6. 網掛けの部分はパッケージの上面と底面のピン 1 の位置の参考に過ぎない 2952fb 28 LTC2952 改訂履歴 REV 日付 修正内容 A 02/10 図1の構成Bの改訂 B 09/11 「標準的応用例」 の図に情報追加 「電気的特性」 のtDB,ON/OFFの条件を改訂 「ピン機能」 のEN、KILL、WDEピンの記述を改訂 図1、3、4、6、7、8に情報追加 「アプリケーション情報」 の値を更新 頁番号 14 1、24、25、26、30 4 10、11 14 to 18 20、21 2952fb リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資 料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。 29 LTC2952 標準的応用例 逆バッテリ保護機能を備えたACアダプタとバッテリの自動負荷切り替え WALL ADAPTER 12V TO 25V VIN Q1 Si6993DQ Q2 Si6993DQ 3.3V VOUT LT1767-3.3 R6 10k SHDN** R3 1.3M 9V BATTERY 1k G1 PFI V1 R2 100k EN VM V2 LTC2952 R8 10k R4 100k VS G2 R7 10k R1 511k R5 10k RST M1 INT M2 G1STAT µP PFO PB KILL WDE ONT S1 GND CONT* 22nF OFFT COFFT* 68nF *OPTIONAL **SHDN INTERNALLY PULLED UP BY THE LT1767-3.3 2952 TA07 関連製品 製品番号 LTC1479 説明 デュアル・バッテリ・システム用PowerPathコントローラ LTC1726 LTC2900 LTC2901 LTC2902 LTC2903 LTC2904/ LTC2905 LTC2906/ LTC2907 LTC2908 マイクロパワー・トリプル電源モニタ （2.5V/5V、3.3V、可変） プログラム可能なクワッド電源モニタ プログラム可能なクワッド電源モニタ プログラム可能なクワッド電源モニタ 高精度クワッド電源モニタ スリーステートのプログラム可能な高精度デュアル電源モニタ LTC2950/ LTTC2951 プッシュボタン・オン/オフ・コントローラ LTC4411 LTC4412HV SOT-23の理想ダイオード ThinSOT™のPowerPathコントローラ 1つのピンで選択可能なスレッショルドと1つの可変入力を 備えたデュアル電源モニタ 高精度6電源モニタ 注釈 2個のバッテリ、DC電源、 チャージャおよび バックアップのための完全なPowerPathマネージメント RESETとウォッチドッグ・タイムアウトを調整可能 RESETを調整可能、10ピンMSOPおよびDFNパッケージ RESETとウォッチドッグ・タイマを調整可能、16ピンSSOPパッケージ RESETと許容誤差を調整可能、16ピンSSOPパッケージ 6ピンSOT-23パッケージ 許容誤差を調整可能、8ピンSOT-23およびDFNパッケージ 0.5Vの調整可能なスレッショルドと3つの電源許容誤差、 8ピンSOT-23およびDFNパッケージ 0.5Vの調整可能なスレッショルド、RESET、 8ピンSOT-23およびDFNパッケージ デバウンスのオン/オフ・タイミングをプログラム可能な マイクロプロセッサ・プッシュボタン・コントローラ・インターフェイス、 8ピンSOT-23およびDFNパッケージ 2.6Aの順方向電流、28mVの安定化順方向電圧 自動切り替え、3V∼36V 効率的なダイオードOR、 2952fb 30 リニアテクノロジー株式会社 〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp ● ● LT 0911 REV B • PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2010