LTC3900 - フォワード・コンバータの 同期整流器

LTC3900
フォワード・コンバータの
同期整流器ドライバ
特長
n
概要
N
LTC®3900
2
MOSFET
MOSFET
n
n
n
n
n
n
n
パルス・トランスによる同期
広いVCC 電源電圧範囲：4.5V ～ 11V
立ち上がり/ 立ち下がり時間：
15ns（VCC = 5V、CL = 4700pF）
低電圧ロックアウト
小型 SO-8 パッケージ
LTC3900
N
1
MOSFET
MOSFET
MOSFET
アプリケーション
n
n
n
n
n
48V 入力、絶縁型 DC/DCコンバータ
テレコム用絶縁型電源
高電圧分散型電源用降圧コンバータ
産業用制御システム電源
車載機器および重機
LTC3900
L、LT、LTC、LTM、Linear Technology、Burst Modeおよび Linearのロゴはリニアテクノロジー
社の登録商標です。他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。
標準的応用例
L0
VIN
36V TO 72V
D3
COUT
+
VOUT
3.3V
40A
T1
CZ
GATE
RCS2
RCS1
Q3
OUT
OC
ISENSE
10mΩ
LT1952
FG
CSG
SOUT
GND COMP
RTMR
LTC3900
TIMER
T2
SG
CVCC
CTMR
SYNC GND
VIN = 36V
VIN = 72V
85
VIN = 48V
80
75
70
RSYNC
270Ω
65
VIN
OCI
VOUT = 3.3V
90
VCC
CS–
RCS3
95
QREG
DZ
CS+
CG
Q4
470Ω
RB
EFFICIENCY (%)
Q1
RZ
GND
OC
OPTO
LT4430
R1
5
10
15 20 25 30
LOAD CURRENT (A)
35
40
3900 F10b
COMP
FB
0
R2
3900 F01
1
3900fb
1
LTC3900
絶対最大定格
ピン配置
Note 1
電源電圧
VCC ................................................................................... 12V
入力電圧
CS–、TIMER ......................................... –0.3V ～（VCC ＋0.3V）
SYNC...................................................................–12V ～ 12V
入力電流
CS+ ................................................................................ 15mA
動作接合部温度範囲（Note 2）
LTC3900E....................................................... –40°C ～ 125°C
LTC3900I ....................................................... –40°C ～ 125°C
LTC3900H ...................................................... –40°C ～ 150°C
LTC3900MP ................................................... –55°C ～ 150°C
保存温度範囲.................................................... –65°C ～ 150°C
リード温度（半田付け、10 秒）..........................................300°C
TOP VIEW
CS+
1
8
SYNC
CS–
2
7
TIMER
CG 3
6
GND
VCC 4
5
FG
S8 PACKAGE
8-LEAD PLASTIC SO
TJMAX = 150°C、θJA = 130°C/W
発注情報
*
LTC3900ES8#PBF
LTC3900ES8#TRPBF
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 125°C
LTC3900IS8#PBF
LTC3900IS8#TRPBF
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 125°C
LTC3900HS8#PBF
LTC3900HS8#TRPBF
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 150°C
LTC3900MPS8#PBF
LTC3900MPS8#TRPBF
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-55°C to 150°C
LTC3900ES8
LTC3900ES8#TR
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 125°C
LTC3900IS8
LTC3900IS8#TR
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 125°C
LTC3900HS8
LTC3900HS8#TR
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-40°C to 150°C
LTC3900MPS8
LTC3900MPS8#TR
3900
8-Lead Plastic Small Outline
-55°C to 150°C
*
より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせください。* 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます。
鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ をご覧ください。
テープアンドリールの仕様の詳細については、http://www.linear-tech.co.jp/tapeandreel/ をご覧ください。
電気的特性
TA
l
SYMBOL
PARAMETER
VCC
Supply Voltage Range
VUVLO
IVCC
VCC Undervoltage Lockout Threshold
VCC Undervoltage Lockout Hysteresis
VCC Supply Current
VTMR
Timer Threshold Voltage
ITMR
Timer Input Current
25C
VCC = 5VNote 2
CONDITIONS
l
Rising Edge
Rising Edge to Falling Edge
VSYNC = 0V
fSYNC = 100kHz, CFG = CCG = 4700pF (Note 4)
VTMR = 0V
MIN
TYP
MAX
4.5
5
11
V
4.1
0.5
0.5
7
4.5
V
V
mA
mA
VCC/5
10%
V
-6
–10
µA
l
l
l
l
l
3
-10%
1
15
UNITS
3900fb
2
LTC3900
電気的特性
TA
l
25C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
tTMRDIS
Timer Discharge Time
CTMR = 1000pF, RTMR = 4.7k
VTMRMAX
Timer Pin Clamp Voltage
CTMR = 1000pF, RTMR = 4.7k
ICS+
CS+ Input Current
ICS–
VCC = 5VNote 2
MIN
l
3
TYP
MAX
UNITS
40
120
ns
2.5
V
VCS+ = 0V
l
±1
µA
–
VCS– = 0V
l
±1
µA
+
CS Input Current
VCSMAX
CS Pin Clamp Voltage
IIN = 5mA, VSYNC = –5V
VCS
Current Sense Threshold Voltage
VCS– = 0V
LTC3900E/LTC3900I (Note 5)
LTC3900H/LTC3900MP (Note 5)
11
l
l
7.5
3
1
V
10.5
13.5
18
20
mV
mV
mV
±1
±10
µA
1.4
0.2
-1.4
0.2
1.8
V
V
V
V
SYNC
ISYNC
SYNC Input Current
VSYNCP
SYNC Input Positive Threshold
SYNC Positive Input Hysteresis
SYNC Input Negative Threshold
SYNC Negative Input Hysteresis
VSYNCN
RONH
RONL
IPK
Driver Pull-Up Resistance
Driver Pull-Down Resistance
Driver Peak Output Current
VSYNC = ±10V
l
l
1.0
l
-1.8
(Note 6)
(Note 6)
IOUT = –100mA
LTC3900E/LTC3900I
LTC3900H/LTC3900MP
IOUT = 100mA
LTC3900E/LTC3900I
LTC3900H/LTC3900MP
(Note 6)
0.9
l
l
0.9
l
l
-1.0
1.2
1.6
2.0
1.2
1.6
2.0
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
A
120
150
ns
ns
ns
2
Note 7
tSYNC
Minimum SYNC Pulse Width
CFG = CCG = 4700pF, VSYNC = ±5V
LTC3900E/LTC3900I
LTC3900H/LTC3900MP
VSYNC = ±5V
tr, tf
Driver Rise/Fall Time
CFG = CCG = 4700pF, VSYNC = ±5V
td
SYNC Input to Driver Output Delay
Note 1: 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可
能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に悪影響
を与える可能性がある。
Note 2: LTC3900はTJ が TA にほぼ等しいパルス負荷条件でテストされる。LTC3900Eは、0°C ～
85°Cの動作接合部温度で性能仕様に適合することが保証されている。–40°C ～ 125°Cの動作
接合部温度範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・コントロールとの
相関で確認されている。LTC3900Iは–40°C ～ 125°Cの動作接合部温度範囲で動作すること
が保証されている。LTC3900Hは–40°C ～ 150°Cの全動作接合部温度範囲で保証されている。
LTC3900MPは–55°C ～ 150°Cの全動作接合部温度範囲で保証され、テストされている。接合
部温度が高いと動作寿命が短くなる。125°Cを超える接合部温度では動作寿命はディレー
ティングされる。これらの仕様を満たす最大周囲温度は、基板レイアウト、パッケージの定格
熱抵抗および他の環境要因と関連した特定の動作条件によって決まることに注意。接合部温
）
は周囲温度（T（
）
および電力損失（P（
）
から次式に従って計算される。
度（T（°C）
J
A °C）
D W）
60
l
l
l
75
15
ns
Note 3: デバイスのピンに流れ込む電流は全て正。デバイスのピンから流れ出す電流は全て
負。注記がない限り、全ての電圧はグランドを基準にしている。
Note 4: 通常動作時の消費電流は外部 MOSFETのゲートの充放電に必要な電流によって支配
される。この電流は電源電圧、スイッチング周波数、および使用される外部 MOSFETによって
変化する。
に合わせるため、電流検出コンパレータのス
Note 5: 外部 MOSFETのRDS（ON）の温度係数（TC）
レッショルドの温度係数は0.33%/°Cである。
Note 6: 設計によって保証されているが、テストされない。
Note 7: 立ち上がり時間と立ち下がり時間は10%と90%のレベルを使用して測定する。遅延
時間は、SYNC 入力の±1.4Vから、ドライバ出力の20%/80%レベルまで測定される。
TJ = TA +（PD • θJA）、ここで、θJA
（°C/W）
はパッケージの熱抵抗。
3900fb
3
LTC3900
標準的性能特性
VCC
5.25
RTMR
5.25
TA = 25°C
RTMR = 51k
CTMR = 470pF
5.20
5.15
5.15
TA = 25°C
9 VCC = 5V
= 470pF
C
8 TMR
5.10
5.05
5.00
4.95
7
TIMEOUT (µs)
TIMEOUT (µs)
TIMEOUT (µs)
VCC = 5V
RTMR = 51k
CTMR = 470pF
5.20
5.10
10
5.05
5.00
4.95
6
5
4
4.90
4.90
3
4.85
4.85
2
4.80
4.80
1
4.75
4.75
–75 –50 –25
4
5
8
7
VCC (V)
6
9
10
11
3900 G01
0
0 25 50 75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G02
VCS(MAX)
CS+
18
VCC = 5V, 11V
1.8
TA = 25°C
11
9
7
5
SYNC POSITIVE THRESHOLD (V)
13
16
15
14
13
12
11
0
25
10
50
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
0
5
3900 G04
25
10
15
20
CS+ INPUT CURRENT (mA)
SYNC
–1.1
VCC = 5V, 11V
1.5
VCC = 11V
1.4
VCC = 5V
1.3
1.2
1.1
0
25
50
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G05
–1.3
–1.4
–1.5
–1.6
–1.7
25
50
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G07
110
100
90
80
70
60
SYNC TO FG
50
0
120
TA = 25°C
CLOAD = 4.7nF
110
–1.2
–1.8
–75 –50 –25
1.6
3900 G06
VCC
120
PROPAGATION DELAY (ns)
SYNC NEGATIVE THRESHOLD (V)
–1.0
1.7
1.0
–75 –50 –25
30
PROPAGATION DELAY (µs)
3
–75 –50 –25
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
RTMR (kΩ)
3900 G03
SYNC
17
15
VCS(MAX) CLAMP VOLTAGE (V)
CURRENT SENSE THRESHOLD (mV)
17
0
40
5
6
7
100
90
80
70
60
SYNC TO FG
SYNC TO CG
50
SYNC TO CG
4
VCC = 5V
CLOAD = 4.7nF
8
9
10
11
VCC (V)
40
–75 –50 –25
0
25
50
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G08
3900 G09
3900fb
4
LTC3900
標準的性能特性
CLOAD
TA = 25°C
VCC = 5V
110
40
90
80
70
SYNC TO FG
20
15
5
0
4
5
6
7
CLOAD (nF)
8
9
10
5
4
6
35
30
25
20
RISE TIME
15
FALL TIME
10
FALL TIME
5
7
8
9
10
0
–75 –50 –25
11
VCC (V)
0 25 50 75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G11
3900 G10
3900 G12
/
50
UNDERVOLTAGE LOCKOUT THRESHOLD
VOLTAGE (V)
TA = 25°C
VCC = 5V
45
40
RISE/FALL TIME (ns)
35
30
25
20
RISE TIME
15
FALL TIME
10
5
0
0
1
2
3
4
5 6
CLOAD (nF)
7
8
9
4.4
4.2
4.0
3.8
3.6
18
3.2
0
25
50
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
3900 G13
3900 G14
VCC
30
CLOAD = 4.7nF
TA = 25°C
fSYNC = 100kHz
25
VCC = 11V
16
14
12
10
8
VCC = 5V
75 100 125 150
TEMPERATURE (°C)
0
25
VCC = 11V
20
15
10
VCC = 5V
5
6
4
–75 –50 –25
FALLING EDGE
3.4
VCC
20
RISING EDGE
3.0
–75 –50 –25
10
SUPPLY CURRENT (mA)
3
RISE TIME
10
40
2
40
25
SYNC TO CG
VCC = 5V
CLOAD = 4.7nF
45
30
50
1
/
50
35
RISE/FALL TIME (ns)
100
60
VCC
TA = 25°C
CLOAD = 4.7nF
45
VCC SUPPLY CURRENT (mA)
PROPAGATION DELAY (ns)
/
50
RISE/FALL TIME (ns)
120
50
3900 G15
0
0
1
2
3
4
5 6
CLOAD (nF)
7
8
9
10
3900 G16
3900fb
5
LTC3900
ピン機能
CS+ CS–
CS+
1 2
CS–
250ns
CS
MOSFET
LTC3900
MOSFETQ4
LTC3900
CS+
GND
CG H
CS–
CGL
6
TIMER
10.5mV
RCS1
RCS3
VCC
GND
7
R-C
LTC3900
SYNC
LTC3900
CG
SYNC
TIMER
FGL
CG
3
MOSFET
MOSFETQ4
N
SYNC
VCC
4
LTC3900
L
4.7μF
FG
5
N
8 :
SYNC
GND
FG H
SYNC
CG H
CG
FG L
SYNC
MOSFET
MOSFETQ3
ブロック図
+1.4V
–1.4V
SYNC 8
CS+ 1
CS–
2
–+
10.5mV
S+
S–
SYNC+
DISABLE
DRIVER
ZCS
11V
SYNC
AND
DRIVER
LOGIC
5
FG
TIMER
RESET
3
CG
6
GND
UVLO
TMR
R1
180k
ZTMR
0.5 • VCC
MTMR
VCC
SYNC–
IS
TIMER 7
4
R2
45k
3900 BD
3900fb
6
LTC3900
アプリケーション情報
Q1
LO
SG L
T2 LTC3900
LTC3900 FG
Q4 LO
2
/
2
LTC3900
SYNC
CG
Q4
MOSFET
N
MOSFET
LTC3900
Burst Mode®
LTC3900
MOSFET
VCC < 4.1V
1
T1
1 LT1952OUT
Q1
LTC3900
C
VCC
SG
1
OUT
1
VCC
Q3 Q4
2
LTC3900
FG
LTC3900
SYNC
SYNC
COUT
1
LTC3900
1
CG H
SYNC
MOSFET
Q4
VOUT
LT4430
VOUT
1
COUT
Q4
2
Q1
SG H
LTC3900
FG
MOSFET
1
1
T2
LT1952S
SG
CG
LO
DC
MOSFET
SYNC
CG
Q3
1
T1
T2
LTC3900
Q3 T1
LO
Q4
MOSFET
Q4
GATE
(OUT)
SG
(SOUT)
SYNC
FG
CG
3900 F02
2
3900fb
7
LTC3900
アプリケーション情報
SYNC
LTC3900
SYNC
LTC3900
3
RTMR
R-C
CTMR
VCC
SYNC
VCC
0.2x
200ns
SYNC
R1
R2
3
1
1
TIMEOUT = 0.2 • RTMR • CTMR + 0.27E-6
4
Q3
Q4
SYNC
LTC3900
SYNC
SYNC
LTC3900
SYNC
1
100pF
1000pF
LTC3900
CTMR
RTMR
CTMR TIMER
470pF
CTMR
CTMR
GND
CTMR
PCB
PCB
3
SYNC
FGH
SYNC
ZTMR
SYNC/
• VCC
0.5
5
LTC3900
S+ S–
2
SYNC
1mA
GND
1.4V
SYNC
SG
SYNC
R2
R1
VCC
FG
4
RTMR
TMR
TIMEOUT
TIMER RESET
(INTERNAL)
7
TIMER
RESET
ZTMR
CG
CTMR
3900 F03
3
3900 F04
4
3900fb
8
LTC3900
アプリケーション情報
MOSFET
CS+
RDSON
CS–
CS+ CS–
L
Burst Mode
10.5mV
6
CG
RDSON
CGH
Q4
CG
SYNC
L
R
CS+
MOSFET
10.5mV
MOSFET
LTC3900
LTC3900
Q4
Q4
LTC3900
10.5mV
RCS2
CS1
LTC3900
10.5mV
TC
LTC3900
CS+
11V
ZCS
250ns
R
CS1
CS+
Q4
Q4
Q4
1
CS+
CS+
Q4
Q4
LTC3900
CS–
5mA
10.5mV
2
/
SYNC
SYNC
SG
SYNC
SYNC
SYNC
FG
FG
CG
CG
TIMER RESET
(INTERNAL)
0A
3900 F06a
6a
3900 F05
5
SYNC
3900fb
9
LTC3900
アプリケーション情報
R
CS1
RCS2
RCS3
RCS3
k = 48 • IRIPPLE • RDS(ON) –1
RCS2 = {200 • VIN(MAX) • (NS/NP) –2200 • (1 + k)} /k
SYNC
RCS1 = k • RCS2
LTC3900
LTC3900 CS+/CS–
RCS1 RCS2
–
CS
Q4
SYNC
RCS3 = {RCS1 • RCS2} / {RCS1 + RCS2}
CSG
k が 0 以下であれば、RCS2 は不要であり、
RCS1 = RCS3 = {VIN(MAX) • (NS/NP) – 11V} / 5mA
C
PCB
7
SYNC
RSYNC
SYNC
SG
LTC3900
IRIPPLE = インダクタのピーク・トゥ・ピーク・リップル電流
RDS(ON) = IRIPPLE/2でのQ4のオン抵抗
SYNC1.4V
5V
SYNC
SYNC
75ns
1V
SYNC
VIN(MAX) = 1 次側主電源の最大入力電圧
NS/NP = パワートランスT1の巻数比
RSYNC
LTC3900
RCS1
RCS2
R-C
RCS1
CS+
PCB
CS+
PRIMARY
CONTROLLER
SG
(SOUT)
CSG
220pF
T2: COILCRAFT Q4470B
OR PULSE P0926
SYNC
T2
LTC3900
SYNC
RSYNC
470Ω
3900 F07
7 SYNC
FG
CG
0A
3900 F06b
6b.
3900fb
10
LTC3900
アプリケーション情報
SYNC
8
< 4.1V
MOSFET
SYNC
MOSFET
Q3
Q4
MOSFET
SYNC
R1 C1
MOSFET
4.1V
VCC
SYNC
9
VCC
1
LTC3900
1.4V
SYNC
MOSFET
MOSFET
VCC
LTC3900
2
VCC
9
DZ V
Z
– 0.7V
QREG
QREG
RB
LTC3900
100Ω
RDSON
LTC3900
VCC
CG
VCC
UVLO
4.1V
4.1V
LTC3900
0.5V
MOSFET
VCC
1
MOSFET
2
LTC3900
QG
T1
LTC3900V
MOSFET
CC
74HC14
74HC132
R1
470Ω
T2
LTC3900
SYNC
RSYNC
470Ω
74HC14
C1
220pF
T1
SECONDARY
WINDING
D3
MBR0540
0.1µF
RZ
2k
RB
10Ω
DZ
7.5V
SYNC
SG
SYNC
QREG
BCX55
VCC
CVCC
4.7µF
3900 F09
3900 F08
8
FG
L
VCC
UVLO
PRIMARY
CONTROLLER
SG
MOSFET
9 VCC
3900fb
11
LTC3900
アプリケーション情報
LTC3900
MOSFET
2. 2
2
PDRIVER = QG • VCC • fSW
MOSFET
MOSFET
3.
SYNC
VCC
Q3 Q4
T1
fSW
4. C
PC
LTC3900
LTC3900
TMR
PC
5.
1. 4.7μF
VCC
RCS1 RCS2
PCB
MOSFET
Q4
GND
RCS3
LTC3900
CS+/CS–
標準的応用例
36V
+VIN
36V TO 72V
72V 3.3V/40A
47k
VB1
L1
PA0912.002
• •
82k
BCX55
0.1µF
18V
Q2
PH3230
2x
12V
2.2µF
5
115k
3
27k
0.22µF
9
5
59k
10k
6
0.1µF
33k
1
2
2.2k
FG
6
SD_VSEC
OUT
ROSC
VIN
BLANK
GND
SS_MAXDC
LT1952
VR = 2.5V
COMP
FB = 1.23V
PGND
DELAY
OC
ISENSE
SOUT
14
VB1
Si7846
15
8
12
39k
10
22k
470Ω
4
8V
BIAS
1nF
0.010R
11
16
1µF
BAT760
13
8
CG
3
+ 1
10k
2
10k
CS
VCC
CS–
SYNC TIMER
7
15k
1nF
1nF
8V
BIAS
560R
220pF
R22
270Ω
Q4470-B
VB1
L1: PA0713, PULSE ENGINEERING
ALL CAPACITORS X7R, CERAMIC, TDK
COUT
100µF
3x
10k
GND
• •
7
Q3
PH3230
2x
LTC3900
•
370k
13.2k
VOUT
3.3V, 40A
BAS516
NEC
PS2701
C16
10pF
8V BIAS
C13
1µF
C14
33nF
6
OPTO
LT4430
5
2
GND
COMP
1
3
VIN
OC
FB
C15
R23 6.8nF
3.3k
R24
27.4k
1%
4
R25
6.04k
1%
3900 TA01
3900fb
12
LTC3900
標準的応用例
36V
72V
VIN
36V TO 72V
12V
•
2
•
2.2µF
PDZ10B
BAS516
BC857BF
2
115k
1.2k
1
3
4
5
0.1µF
6
7
13.3k
8
COMP
FB = 1.23V
SOUT
VIN
ROSC
OUT
SYNC
PGND
MAXDC
DELAY
VR = 2.5V
OC
SD
ISENSE
GND
BLANK
0.47µF
16
15
12
FG
VOUT1
12V
2A
Q5
CG
33µF
16V
0.030R
680Ω
9
82k
VAUX
10k
1
10k
2
3
CG
4
VOUT1
22k
150µF
16V
145k
340k
VIN
47k
Q4
T1
PA1577
1µF
11
10
8
10
13
+
BAS516
10k
L1B
•
VU1
100pF
CG
BAS516
10k
SOUT
14
0.1µF
FG
4
33k
VOUT2
24V
2A
Q3
0.1µF
•
Si7462
LT1952-1
L1A
Q2
9
1
3
VIN
•
L1: DRQ127-220
7
•
1.5mH
22k
12V)/2A
VU1
BCX56
82k
VFB
24V(
•
1/8
56k
LTC3900
CS+
SYNC
CS–
TIMER
CG
VCC
BCX55
1k
GND
FG
8
7
5
220pF
470pF
6
560R
FG
38.3k
•
SOUT
•
PE-68386
1µF
PDZ7.5B
Q2, Q3, Q4, Q5 = Si7850
PS2801-1
VU1
470R
1
VAUX
2
VFB
3
BAS516
LT4430
VCC
OPTO
GND
COMP
OC
FB
6
5 3.92k
4
15nF
100k
VOUT1
5.23k
1µF
33pF
LTC3900
12V
MOSFET
3.3V
–5V
3900 TA02
1.5V
5V
24V12V
3900fb
13
LTC3900
標準的応用例
1/4
18V
PZTA42
VIN
18V TO 40V
40V
14V/14A
VU1
22k
1.5mH
6.8µF
×4
1
PDZ10B
BAS516
VIN
40R2-4421.003
1
2
220pF
3
BAS516
4
5
255R
BL
OUT
DRVCC
RBL
SGND
VIN
FB
IN PGND EN
10
332k
9
•
FG
8
VU1
7
255R
6
33k
2
2.2µF
57.6k
BC857BF
115k
3
4
0.47µF 5
0.1µF
6
7
13.3k
8
22k
165k
150µF
PXE
FB = 1.23V
SOUT
VIN
ROSC
OUT
SYNC
PGND
MAXDC
VR = 2.5V
DELAY
OC
SD
ISENSE
GND
BLANK
158k
16
0.22µF
1
10k
2
3
4
VAUX
LTC3900
CS+
SYNC
CS–
TIMER
CG
GND
VCC
FG
47k
8
7
5
220pF
470pF
6
FG
•
560R
GATE
•
1µF
PE-68386
VU1
PDZ7.5B
14
4.7µF
BAS516
13
158k
220R
PS2801-1
11
10
10k
CG
BCX55
1k
15
12
VAUX
82k
10k
SOUT
COMP
BAS521
0.004R
BAS516
LT1952-1
1
680µH
Si3459
GATE
22k
33µF
CG
HAT2266
×2
0.1µF
0.1µF
VR
VFB
HAT2266
4, 5
VOUT1
14V
14A
11
LTC4441
PGND
+
6
7
PA1494.362
2, 3
• •
270R
VAUX
2K
VFB
9
1µF
82k
1
2
3
1.2k
2.2nF
1µF
15nF
LT4430
VCC
OPTO
GND
COMP
OC
FB
6
5
4
1.96k
82.5k
33pF
VIN
VOUT1
3.65k
3900 TA03a
VR
60V
MOSFET
4
MOSFET
94% 95%
96
94
EFFICIENCY (%)
92
90
88
86
84
82
VIN = 24V
VOUT = 14V
0
2
4
8
6
IOUT (A)
10
12
14
3900 TA03b
3900fb
14
LTC3900
標準的応用例
1/8
VU1
PZTA42
36V
12V/14A
T1
PA0423
1• • 7
L2
1.5mH
PDZ10B
BAS516
82k
VIN
36V TO 72V
72V
10
6
2.2µF
2
L1
3µH
47k
HAT2244
•
560R
5
5
370k
158k
7
133k
3
82k
9
5
22k
0.1µF
12.4k
SD/VSEC
ROSC
BLANK
SS
OUT
OC
ISENSE
VIN
GND
6
20k
1
47nF
2
97.6k
6
VR
PGND
COMP
DELAY
FB
SOUT
14
470pF 7
1nF
11
15
CS+
3
1
GND
2
CS–
TIMER
VCC
10k
4
1µF
BCX55
4.7µF
13
12
•
0.010
VU1
8
SYNC
CG
38.3k
PE-68386
2k
10
•
13.3k
1µF
8
Si7430
LT1952-1
LTC3900
FB
33µF
10k
VOUT
12V
14A
PDZ7.5
1k
3900 TA04a
75k
220pF
16
VU1
L1: PULSE PA1393.302
L2: COILCRAFT DO1607B-155
ALL CERAMIC CAPS ARE X5R OR X7R
12V
8A
95%
96
94
EFFICIENCY (%)
92
90
88
86
84
82
VIN = 48V
VOUT = 12V
0
2
4
6
8
10
12
14
IOUT (A)
3900 TA04b
3900fb
15
LTC3900
標準的応用例
1/8
18V
72V
PZTA42
VIN
18V TO 72V
33k
VU1
VR2
2.2µF
×3
12V/13A
40R2-4444.004
1• • 7
1.5mH
10V
BAS516
2
VIN
1, 6
3
2, 4
5
33k
2
BC857
174k
3
4
1µF
0.1µF
39.2K
5
6
7
13.3k
8
189k
VR2
332k
CG
0.22µF
COMP
FB = 1.23V
ROSC
VIN
OUT
SYNC
PGND
MAXDC
DELAY
VR = 2.5V
OC
SD
ISENSE
GND
BLANK
BAS521
1k
BCX55
15
7.5V
10k
BAS516
16
14
0.1µF
237Ω
GATE
SOUT
VU1
1
10k
2
1µF
4.7µF
CG
12 137k
PS2801-1
1k
22k
3
4
LTC3900
CS+
SYNC
CS–
TIMER
CG
GND
VCC
FG
220pF
8
GATE
7
560R
•
6
5
•
PE-68386
FG
470pF
11
9
22k
10k
13
10
33µF
Si2325
0.006Ω
LT1952-1
1
FG
330µF
680µH
HAT2173
×2
LTC4440
220pF
22k
HAT2173
×2
33nF
57Ω
VFB
•
+
HAT2169
5
VU1
BAS516
10
6
VOUT
12V
13A
PA2050.103
470R
LT4430
1
2
VFB
3
BAS516
1.2k
VB
VCC
OPTO
GND
COMP
OC
5 7.87k
4
10nF
348k
VOUT
1µF
18.2k
2.2nF
MOSFET
FB
6
47k
LT1952
10pF
3900 TA05a
LTC3900
96
94
EFFICIENCY (%)
92
90
88
86
84
82
80
24VIN
48VIN
0
2
4
8
6
IOUT (A)
10
12
14
3900 TA05b
3900fb
16
LTC3900
標準的応用例
PZTA42
VIN
36V TO 72V
VU1
82k
2.2µF
1
PDZ10B
BAS516
PA1671
7
•
FG
10nF
T1
PA0369
1.5nF
100µF
2.2R
10k
B0540W
R_DCM
33k
22k
BC857
2
115k
3
4
0.47µF
0.1µF
5
6
7
13.3k
0.22µF
LT1952-1
1
8
COMP
FB = 1.23V
SOUT
VIN
OUT
ROSC
SYNC
PGND
MAXDC
DELAY
VR = 2.5V
SD
22.1k
OC
ISENSE
BLANK
GND
158k
B0540W
16
15
10k
2
3
CG
4
CS+
SYNC
CS–
TIMER
CG
GND
VCC
1µF
FG
38.3k
8
7
5
220pF
470pF
6
FG
560R
LTC3900
SOUT
•
PE-68386
1µF
13
PDZ7.5B
133k
PS2801-1
11
10
1
BCX55
1k
14
12
10k
VU1
SOUT
VAUX
*
3.3M
0.02µF
0.015R
VFB
470µF
CG
5
Si7430
VOUT
3.3V
30A
+
HA2165
10
6
2
VIN
• •
•
1.5mH
910Ω
270R
1
2
VFB
9
82k
3
BAS516
1.2k
LT4430
VCC
OPTO
GND
COMP
OC
FB
1µF
442k
6
5 1.96k
4
15nF
82.5k
18.2k
47pF
VOUT
3900 TA06a
VIN
R_DCM
(DCM)
DCM
1A
15mA
2A
10%
CCM
90mA
95
85
EFFICIENCY (%)
*LTC3900
75
65
VIN = 48V
VOUT = 3.3V
55
CONTINUOUS
CURRENT MODE
DISCONTINUOUS
CURRENT MODE
45
35
0
5
10
20
15
IOUT (A)
25
30
3900 TA06b
3900fb
17
LTC3900
パッケージ
S8
8
.050 BSC
（Reference LTC DWG # 05-08-1610）
0.150
.189 – .197
(4.801 – 5.004)
NOTE 3
.045 ± .005
8
.245
MIN
7
6
5
.160 ± .005
.150 – .157
(3.810 – 3.988)
NOTE 3
.228 – .244
(5.791 – 6.197)
.030 ± .005
TYP
1
.010 – .020
× 45°
(0.254 – 0.508)
NOTE:
1.
2.
3.
.008 – .010
(0.203 – 0.254)
0° – 8° TYP
.016 – .050
(0.406 – 1.270)
0.006" 0.15mm
.053 – .069
(1.346 – 1.752)
.014 – .019
(0.355 – 0.483)
TYP
2
3
4
.004 – .010
(0.101 – 0.254)
.050
(1.270)
BSC
SO8 0303
3900fb
18
LTC3900
改訂履歴
Rev B
REV
B
5/11
HグレードとMPグレードのデバイスを追加。データシート全体を通して反映。
1 ～ 20
3900fb
19
LTC3900
標準的応用例
36V
72V
12V/20A
VIN
36V TO 72V
47k
VU1
L1
2.4µH
PA0815.002
• •
82k
BCX55
BAS516
0.1µF
18V
Si7370
×2
12V
2.2µF, 100V
×2
7
115k
3
27k
9
5
0.47µF
59k
10k
6
0.1µF
1
2
SD_VSEC
OUT
ROSC
VIN
BLANK
GND
SS_MAXDC
LT1952
VR = 2.5V
COMP
PGND
DELAY
OC
ISENSE
FB = 1.23V
SOUT
5
14
6
VU1
1µF
4
15
BAT
760
8
13
39k
12
8V
BIAS
1µF
9mΩ
10
CG
CS+
1
10k
VCC
CS–
2
10k
SYNC TIMER
7
RT
15k
CT
1nF
8V
BIAS
560Ω
220pF
16
3
GND
1nF
11
470Ω
8
FG
• •
13.2k
10k
COUT
33µF, 16V
X5R, TDK
×3
LTC3900
•
PH21NQ15
×2
370k
PH4840
×2
VOUT
12V, ±10%,
20A MAX
L1: PULSE PA1494.242
ALL CAPACITORS ARE TDK, X5R CERAMIC
Q4470-B
3900 TA07a
LTC3900
16
96.0
EFFICIENCY
95.0
12
94.5
8
94.0
POWER LOSS (W)
EFFICIENCY (%)
95.5
POWER LOSS
93.5
93.0
VIN = 48V
VOUT = 12V
4
6
8
10 12 14 16
LOAD CURRENT (A)
18
20
4
3900 TA07b
関連製品
LT1952/LT1952-1
LTC3901
2
LT4430
24V
48V
24V
48V
LTC3900
2
LT1431
100mA
LTC3726/LTC3725
No Opto
LTC3723-1/LTC3723-2
MOSFET
LTC3721-1/LTC3721-2
LTC3722/LTC3722-2
MOSFET
24V
48V
3900fb
20
LT 0511 REV B • PRINTED IN JAPAN
〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8F
TEL 03- 5226-7291 ● FAX 03-5226-0268 ● www.linear-tech.co.jp
 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2003