NJG1107KB2 1.5/1.9GHz 帯低雑音増幅器 GaAs MMIC ■概要 NJG1107KB2 は、低雑音、高利得、高 IP3 を特徴と し、1.5/1.9GHz 帯ディジタル携帯電話端末での使用を 主目的とした低雑音 GaAs MMIC 増幅器です。 超小型かつ超薄型のパッケージ（FLP6-B2）を採用 しています。 ■外形 NJG1107KB2 ■ アプリケーション 1.5GHz 帯または 1.9GHz 帯携帯端末用途 GPS、Galileo、GLONASS、COMPASS を含む GNSS 用途 注:GNSS 用途について、アプリケーションノートをご参照ください。 ■特徴 ●低電圧動作 ●低消費電流 ●小信号電力利得 ●低雑音 ●高入力 IP3 ●超小型・超薄型パッケージ 単一正電源 +2.7V typ. 3mA typ. 17dB typ. @f=1.49GHz 15dB typ. @f=1.96GHz 1.2dB typ. @f=1.49GHz 1.2dB typ. @f=1.96GHz -4.0dBm typ. @f=1.49+1.4901GHz -2.0dBm typ. @f=1.96+1.9601GHz FLP6-B2 (Mount Size: 2.1x2.0x0.75mm) ●外部整合回路を変更することにより、1.5GHz 帯 LowGain 仕様･1.8GHz 帯にも対応可能 ■端子配列 KB2 Type (Top View) 4 5 6 3 AMP 2 1 ピン配置 1.RFout 2.GND 3.EXTCAP 4.GND 5.GND 6.RFin Orientation Mark 注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。 -1- NJG1107KB2 ■絶対最大定格 項目 記号 ドレイン電圧 入力電力 VDD Pin 消費電力 動作温度 保存温度 PD Topr Tstg (Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω) 定格値 単位 条件 VDD=2.7V 6.0 +15 V dBm 450 -40~+85 -55~+125 mW °C °C ■電気的特性 1 (1.5GHz 帯) (VDD=2.7V, f=1.49GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は推奨回路 1 による) 項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 動作周波数 freq1 1.47 1.49 1.51 GHz ドレイン電圧 動作電流 VDD IDD 小信号電力利得 帯域内利得偏差 Gain Gflat 雑音指数 1dB 利得圧縮時 出力電力 入力 3 次インター セプトポイント RF Input ポート VSWR RF Output ポート VSWR RF OFF 2.5 - 2.7 3.0 5.5 3.8 V mA f=1.47~1.51GHz 15.0 - 17.0 0.5 19.0 1.0 dB dB NF - 1.2 1.4 dB P-1dB -6.0 -2.0 - dBm -6.0 -4.0 - dBm VSWRi - 1.6 2.2 VSWRo - 1.6 2.2 IIP3 f=1.49+1.4901GHz RFin=-35dBm ■電気的特性 2 (1.9GHz 帯) (VDD=2.7V, f=1.96GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は推奨回路 1 による) 項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 動作周波数 ドレイン電圧 動作電流 小信号電力利得 帯域内利得偏差 雑音指数 1dB 利得圧縮時 出力電力 入力 3 次インター セプトポイント RF Input ポート VSWR RF Output ポート VSWR -2- freq2 VDD IDD Gain 1.89 2.5 13.0 1.96 2.7 3.0 15.0 1.99 5.5 3.8 17.0 GHz V mA dB - 0.5 1.2 1.0 1.4 dB dB -3.0 +1.0 - dBm -6.0 -2.0 - dBm VSWRi - 1.6 2.2 VSWRo - 1.6 2.2 Gflat NF RF OFF f=1.89～1.99GHz P-1dB IIP3 f=1.96+1.9601GHz RFin=-30dBm NJG1107KB2 ■電気的特性 3 (1.8GHz 帯) (VDD=2.7V, f=1.76GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は推奨回路 1 による) 標準値 最大値 単位 項目 記号 条件 最小値 動作周波数 ドレイン電圧 freq3 VDD 動作電流 小信号電力利得 帯域内利得偏差 雑音指数 1dB 利得圧縮時 出力電力 入力 3 次インター セプトポイント RF Input ポート VSWR RF Output ポート VSWR IDD Gain Gflat NF 1.75 2.5 1.76 2.7 1.78 5.5 GHz V - 3.0 16.0 0.5 1.2 3.8 - mA dB dB dB - 1.1 - dBm - -2.0 - dBm VSWRi - 1.6 - VSWRo - 1.6 - RF OFF f=1.75～1.78GHz P-1dB IIP3 f=1.76+1.7601GHz RFin=-35dBm ■電気的特性 4 (1.5GHz 帯 Low Gain 仕様) (VDD=2.7V, f=1.49GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω, 回路は推奨回路 2 による) 項目 記号 条件 最小値 標準値 最大値 単位 動作周波数 freq4 1.47 1.49 1.51 GHz ドレイン電圧 VDD 2.5 2.7 5.5 V 動作電流 IDD RF OFF 3.0 3.8 mA 小信号電力利得 帯域内利得偏差 雑音指数 1dB 利得圧縮時 出力電力 入力 3 次インター セプトポイント RF Input ポート VSWR RF Output ポート VSWR Gain Gflat - 14.0 0.5 - dB dB NF - 1.2 - dB P-1dB - 0.0 - dBm - -3.0 - dBm VSWRi - 1.6 - VSWRo - 1.6 - IIP3 f=1.47～1.51GHz f=1.49+1.4901GHz RFin=-35dBm -3- NJG1107KB2 ■端子情報 端子名 番号 1 RFout 機能説明 外部整合回路を介して LNA の信号を出力するとともに、LNA のドレイン電圧を供 給する端子です。C1 は DC ブロッキングキャパシタ、L3 はチョークインダクタと して用いていますが、C1, L3 とも出力整合回路の一部です（推奨回路例参照）。 2,4,5 GND 3 EXTCAP GND(0V)に接地する端子です。 LNA の自己バイアス抵抗と並列に接続される端子です。この端子には外部にバイ パスキャパシタ（推奨回路例参照）を接続して下さい。 6 RFin 外部整合回路を介して信号を LNA に入力する端子です。この端子には内部に DC ブロッキングキャパシタを内蔵しています。 -4- NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯) NF,Gain vs. frequency S21,S11,S22,S12 vs. frequency (V =2.7V,I =3mA) DD 2.6 DD 20 DD 25 20 8 1.4 S21,S11,S22 (dB) NF (dB) 12 1.8 Gain (dB) 16 2.2 4 50 40 S21 15 30 10 20 10 5 S11 0 0 -10 -5 -10 1 DD -15 -20 S22 -30 S12 -40 -20 0.6 1.4 1.44 1.48 1.52 frequency (GHz) 0 1.6 1.56 -25 0.5 1 DD 10 10 5 0 -5 -10 -10 -15 -20 -30 -20 Pin (dBm) Gain vs. V -10 DD DD Pout -10 Pout,IM3 (dBm) Pout (dBm) 10 0 P-1dB +1.17dBm -30 -50 2.5 2 (V =2.7V,I =3mA,f=1.49+1.4901GHz) (V =2.7V,f=1.49GHz) -40 1.5 frequency (GHz) Pout, IM3 vs. Pin Pout vs. Pin 0 S12 (dB) (V =2.7V,I =3mA) -20 -30 -40 -20 -60 -25 -70 -30 -80 -40 0 IM3 -50 IIP3 -3.15dBm -30 -20 -10 0 Pin (dBm) NF, I DD (f=1.49GHz) 19 18.5 DD vs. V DD (f=1.49GHz) 1.3 3.4 1.2 3.3 1.1 3.2 1 3.1 17 16 2.5 3 0.9 16.5 3 3.5 V 4 DD (V) 4.5 5 5.5 (mA) DD 17.5 I NF (dB) Gain (dB) 18 0.8 2.5 3 3.5 4 V (V) 4.5 5 2.9 5.5 DD -5- NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯) IIP3, OIP3 vs. V DD (f=1.49GHz) 8 6 IIP3 (dBm) 2 0 -2 -4 3 3.5 4 V 4.5 DD Gain, I DD 5 5 20 4 19 3 18 2 17 1 16 0 15 -1 14 -2 13 -3 12 -4 11 -5 2.5 5.5 3 3.5 4 V (V) DD DD 3.25 (V) DD 2.4 2 2 1 1.6 0 1.2 -1 0.8 -2 DD I NF (dB) 2.75 18 (mA) 3 19 Gain (dB) 10 5.5 (V =2.7V, f=1.49GHz) (V =2.7V, f=1.49GHz) 2.5 17 16 -40 5 NF, P-1dB vs. Temperature vs. Temperature 20 4.5 -20 0 20 40 60 80 2.25 100 0.4 -40 -20 0 20 40 60 80 -3 100 Temperature ( oC ) Temperature ( oC) IIP3, OIP3 vs. Temperature (V =2.7V, f=1.49+1.4901GHz, Pin=-35dBm) DD 21 -1 20 -2 19 -3 18 -4 17 -5 16 -6 15 -7 14 -8 -40 -20 0 20 40 Temperature ( oC) -6- 60 80 13 100 OIP3 (dBm) IIP3 (dBm) 0 特性例中の OIP3,IIP3 は以下の計算式による 3 × Pout - IM3 OIP3 = 2 IIP3 = OIP3 - Gain @ Pin=-35dBm P-1dB (dBm) P-1dB (dBm) 4 -6 2.5 DD (f=1.49+1.4901GHz, Pin=-35dBm) OIP3 (dBm) P-1dB vs. V NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯) S11 vs. frequency ( to 20GHz) S22 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S22 (dB) S11 (dB) 25 DD 5 0 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 -25 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 S21 vs. frequency ( to 20GHz) 4 6 DD 25 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 S12 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S12 (dB) S21 (dB) DD 5 0 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 DD -25 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 -7- NJG1107KB2 ■特性例 (1.9GHz 帯) NF,Gain vs. frequency S21,S11,S22,S12 vs. frequency (V =2.7V,I =3mA) DD 2.6 DD 20 DD 25 20 NF (dB) 8 1.4 S21,S11,S22 (dB) 12 1.8 Gain (dB) 16 2.2 DD 50 40 S21 15 30 10 20 5 10 S22 0 0 -10 -5 -20 -10 4 1 S11 -15 0 1.84 1.88 1.92 frequency (GHz) 1.96 -30 S12 -20 0.6 1.8 -40 -50 -25 2 S12 (dB) (V =2.7V,I =3mA) 1 1.5 2 frequency (GHz) 2.5 3 Pout, IM3 vs. Pin Pout vs. Pin (V =2.7V,f=1.96GHz) (V =2.7V,I =3mA,f=1.96+1.9601GHz) DD 10 10 0 DD DD Pout -10 P-1dB +1.17dBm -20 Pout,IM3 (dBm) Pout (dBm) 0 -10 -30 -40 IM3 -50 -60 -20 IIP3 -70 -2.21dBm -80 -90 -40 -30 -40 -30 -20 Pin (dBm) Gain vs. V -10 0 -30 -20 -10 0 Pin (dBm) DD 17 NF, I (f=1.96GHz) 16.5 DD vs. V DD (f=1.96GHz) 1.3 3.4 1.2 3.3 1.1 3.2 1 3.1 15 14 2.5 3 3.5 V 4 DD -8- 3 0.9 14.5 (V) 4.5 5 5.5 (mA) DD 15.5 I NF (dB) Gain (dB) 16 0.8 2.5 3 3.5 4 V (V) DD 4.5 5 2.9 5.5 NJG1107KB2 ■特性例 (1.9GHz 帯) IIP3, OIP3 vs. V DD (f=1.96GHz) 8 6 IIP3 (dBm) 2 0 -2 -4 3 3.5 4 V 4.5 DD Gain, I DD 5 6 20 5 19 4 18 3 17 2 16 1 15 0 14 -1 13 -2 12 -3 11 -4 2.5 5.5 3 3.5 4 V (V) DD DD (V) DD 2.4 3.25 2 2 1 1.6 0 1.2 -1 0.8 -2 DD I NF (dB) 2.75 16 (mA) 3 17 Gain (dB) 10 5.5 (V =2.7V, f=1.96GHz) (V =2.7V, f=1.96GHz) 2.5 15 14 -40 5 NF, P-1dB vs. Temperature vs. Temperature 18 4.5 -20 0 20 40 60 80 0.4 -40 2.25 100 Temperature ( oC) -20 0 20 40 60 80 -3 100 Temperature ( oC ) IIP3, OIP3 vs. Temperature (V =2.7V, f=1.96+1.9601GHz, Pin=-30dBm) DD 20 0 19 -1 18 -2 17 -3 16 -4 15 -5 14 -6 13 -7 -40 -20 0 20 40 60 80 OIP3 (dBm) IIP3 (dBm) 1 特性例中の OIP3,IIP3 は以下の計算式による 3 × Pout - IM3 OIP3 = 2 IIP3 = OIP3 - Gain @ Pin=-30dBm 12 100 Temperature ( oC) -9- P-1dB (dB) P-1dB (dBm) 4 -6 2.5 DD (f=1.96+1.9601GHz, Pin=-30dBm) OIP3 (dBm) P-1dB vs. V NJG1107KB2 ■特性例 (1.9GHz 帯) S11 vs. frequency ( to 20GHz) S22 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S22 (dB) S11 (dB) 25 DD 5 0 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 -25 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 S21 vs. frequency ( to 20GHz) 4 6 DD 16 18 20 (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S12 (dB) S21 (dB) 25 8 10 12 14 frequency (GHz) S12 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) 5 0 DD 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 -25 0 - 10 - DD 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 NJG1107KB2 ■特性例 (1.8GHz 帯) NF,Gain vs. frequency S21,S11,S22,S12 vs. frequency (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD 2.6 20 2.2 16 DD 25 NF (dB) 8 1.4 S21,S11,S22 (dB) 12 1.8 Gain (dB) 20 4 1.7 1.75 frequency (GHz) 1.8 40 S21 30 10 20 5 10 S22 0 0 -10 -5 -20 S11 -30 -15 -20 0.6 1.65 50 15 -10 1 DD 0 1.85 -40 S12 -50 -25 1 1.5 2 frequency (GHz) 2.5 3 Pout, IM3 vs. Pin Pout vs. Pin (V =2.7V,f=1.76GHz) (V =2.7V,I =3mA,f=1.76+1.7601GHz) DD 10 10 0 DD DD Pout -10 P-1dB +1.14dBm -20 Pout,IM3 (dBm) Pout (dBm) 0 -10 -30 -40 IM3 -50 -60 -20 IIP3 -70 -2.01dBm -80 -30 -40 -30 -20 Pin (dBm) -10 0 -90 -40 -30 -20 -10 0 Pin (dBm) - 11 - S12 (dB) DD NJG1107KB2 ■特性例 (1.8GHz 帯) S11 vs. frequency ( to 20GHz) S22 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 40 15 30 10 10 20 5 10 0 0 5 0 -5 -5 -10 -10 -10 -20 -15 -15 -30 -20 -20 -40 -50 -25 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 S21 vs. frequency ( to 20GHz) 4 6 DD 20 40 20 15 30 15 10 20 10 5 10 0 0 S12 (dB) 25 -5 -10 -20 -10 -15 -30 -15 -20 -40 -20 -50 -25 -25 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 20 18 20 DD DD 0 -10 2 18 5 -5 0 16 (V =2.7V,I =3mA) DD 50 25 8 10 12 14 frequency (GHz) S12 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) S21 (dB) 50 15 -25 - 12 - DD 20 S22 (dB) S11 (dB) 25 DD 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯 Low Gain 版) NF,Gain vs. frequency S21,S11,S22,S12 vs. frequency (V =2.7V,I =3mA) 2.6 (V =2.7V,I =3mA) DD 20 DD 25 20 12 1.4 8 1 4 S21,S11,S22 (dB) NF (dB) 1.8 Gain (dB) 16 2.2 DD 50 40 S21 15 30 10 20 5 10 S22 0 0 -10 -5 -10 -15 -20 S11 -30 S12 -40 -20 0.6 1.4 1.44 1.48 1.52 frequency (GHz) 0 1.6 1.56 -25 0.5 1 1.5 frequency (GHz) -50 2.5 2 Pout, IM3 vs. Pin Pout vs. Pin (V =2.7V,I =3mA,f=1.49+1.4901GHz) (V =2.7V,f=1.49GHz) DD 10 10 0 5 DD DD Pout -10 0 P-1dB +0.00dBm -5 Pout,IM3 (dBm) Pout (dBm) S12 (dB) DD -10 -15 -20 -30 -40 IM3 -50 -20 -60 -25 -70 -30 -40 -35 -30 -25 -20 -15 Pin (dBm) -10 -5 0 -80 -40 IIP3 -2.89dBm -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 Pin (dBm) - 13 - NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯 Low Gain 版) S11 vs. frequency ( to 20GHz) S22 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) (V =2.7V,I =3mA) DD DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S22 (dB) S11 (dB) 25 5 0 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 -25 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 S21 vs. frequency ( to 20GHz) 4 6 DD 16 18 20 (V =2.7V,I =3mA) DD DD 25 20 20 15 15 10 10 S12 (dB) S21 (dB) 25 8 10 12 14 frequency (GHz) S12 vs. frequency ( to 20GHz) (V =2.7V,I =3mA) 5 0 DD 5 0 -5 -5 -10 -10 -15 -15 -20 -20 -25 -25 0 - 14 - DD 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 0 2 4 6 8 10 12 14 frequency (GHz) 16 18 20 NJG1107KB2 ■特性例 Scattering Parameter Table VDD=2.7V, IDD=3mA, Zo=50Ω S11 S21 Freq mag ang mag ang (GHz) (units) (deg) (units) (deg) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 1.000 0.986 0.986 0.972 0.965 0.957 0.943 0.929 0.910 0.903 0.894 0.879 0.864 0.852 0.843 0.826 0.818 0.810 0.801 0.794 0.783 0.782 0.770 0.772 0.760 0.761 0.757 0.756 0.757 0.752 -3.130 -4.217 -6.161 -8.026 -10.209 -12.032 -13.490 -15.249 -16.014 -16.960 -18.131 -18.645 -19.500 -21.338 -22.810 -24.483 -24.447 -26.509 -27.539 -29.642 -30.807 -33.473 -34.972 -35.870 -37.091 -38.975 -40.916 -41.260 -42.651 -42.892 2.094 2.074 2.046 2.012 1.991 1.943 1.909 1.851 1.793 1.765 1.710 1.673 1.636 1.627 1.578 1.541 1.513 1.503 1.489 1.452 1.453 1.421 1.426 1.391 1.397 1.376 1.359 1.322 1.294 1.267 4 176.987 171.002 165.318 159.545 153.712 147.933 143.180 138.232 133.807 129.856 125.443 121.935 118.442 114.415 110.659 107.013 104.077 100.734 97.286 93.725 90.359 86.597 83.223 79.970 76.578 73.069 68.921 65.450 62.030 58.521 S12 mag (units) 0.012 0.002 0.007 0.003 0.005 0.004 0.005 0.008 0.006 0.009 0.009 0.010 0.011 0.012 0.014 0.014 0.015 0.016 0.018 0.019 0.020 0.022 0.022 0.026 0.027 0.030 0.031 0.034 0.035 0.036 S22 ang (deg) mag (units) -25.995 110.707 92.945 62.606 103.324 96.002 75.842 90.203 93.660 85.810 95.094 92.781 91.381 100.617 99.522 99.175 100.001 103.271 106.687 108.548 106.305 107.071 107.349 109.866 112.983 109.600 106.376 109.318 106.983 108.989 0.965 0.967 0.962 0.960 0.961 0.953 0.949 0.940 0.931 0.928 0.931 0.921 0.919 0.919 0.918 0.914 0.918 0.925 0.920 0.921 0.924 0.922 0.920 0.919 0.914 0.920 0.907 0.902 0.893 0.879 ang (deg) -1.855 -1.782 -3.088 -3.801 -5.113 -6.159 -7.623 -9.144 -9.943 -10.876 -12.170 -13.089 -14.156 -14.843 -16.259 -17.088 -18.228 -19.508 -20.507 -21.024 -22.491 -24.160 -25.779 -27.462 -29.724 -32.086 -35.211 -38.255 -41.787 -45.326 3 1000pF S11 5 2 6 1 Ref. S22 Ref. Scattering Parameter 測定回路 - 15 - NJG1107KB2 ■特性例 (1.5GHz 帯 Low Gain 仕様) Scattering Parameter Table VDD=2.7V, IDD=3mA, Zo=50Ω S11 S21 Freq mag ang mag ang (GHz) (units) (deg) (units) (deg) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 1.011 1.023 1.027 1.036 1.029 1.027 1.007 0.996 0.978 0.961 0.940 0.923 0.905 0.889 0.877 0.860 0.849 0.834 0.822 0.814 0.801 0.791 0.784 0.773 0.766 0.756 0.753 0.748 0.745 0.744 -1.815 -4.177 -6.876 -10.171 -13.604 -17.041 -20.090 -22.496 -25.098 -27.178 -28.800 -30.761 -32.462 -33.815 -34.976 -36.777 -37.774 -39.260 -40.858 -42.312 -43.887 -45.820 -47.584 -49.825 -51.948 -54.101 -56.479 -59.220 -61.715 -64.848 0.619 1.049 1.402 1.681 1.843 1.967 1.997 1.994 1.967 1.925 1.857 1.825 1.785 1.719 1.679 1.610 1.568 1.534 1.490 1.464 1.435 1.393 1.365 1.332 1.311 1.285 1.260 1.229 1.213 1.189 4 S12 mag (units) -137.421 -141.929 -152.156 -164.509 -176.486 172.550 162.037 153.204 144.936 137.106 131.070 124.735 118.431 113.194 107.647 102.741 98.621 94.075 89.890 85.613 81.588 77.520 73.663 69.756 66.211 62.518 58.997 55.237 51.930 48.547 0.006 0.005 0.004 0.008 0.006 0.006 0.010 0.009 0.009 0.008 0.010 0.012 0.011 0.010 0.014 0.014 0.014 0.015 0.015 0.017 0.017 0.021 0.019 0.021 0.024 0.025 0.028 0.029 0.031 0.031 S22 ang (deg) 150.071 111.664 72.732 71.899 80.582 96.630 79.136 78.039 80.635 73.136 71.678 76.438 77.174 78.254 83.456 73.747 80.053 85.009 83.753 88.727 92.695 98.708 95.532 93.049 93.358 97.398 99.809 93.593 100.273 97.032 3 10pF S11 5 2 6 1 Ref. S22 Ref. Scattering Parameter 測定回路 - 16 - mag (units) 0.998 0.996 0.999 0.995 0.993 0.982 0.983 0.976 0.967 0.967 0.961 0.954 0.948 0.946 0.947 0.947 0.942 0.938 0.939 0.939 0.938 0.939 0.936 0.937 0.940 0.942 0.946 0.949 0.947 0.950 ang (deg) -1.269 -3.638 -4.808 -6.754 -8.514 -9.913 -12.453 -14.051 -15.603 -17.199 -17.813 -19.024 -21.016 -22.555 -24.779 -26.267 -27.354 -28.669 -29.677 -31.456 -32.776 -34.232 -35.915 -36.454 -38.089 -39.619 -40.798 -42.180 -43.117 -44.659 NJG1107KB2 ■推奨回路 1 (1.5/1.8/1.9GHz 帯) (Top View) GND 4 3 EXTCAP C3 GND RF Input 5 AMP 2 GND L4 L2 6 C1 1 L3 RF Output VDD=2.7V L1 C2 ■推奨回路 2 (1.5GHz 帯 Low Gain 仕様) (Top View) GND 3 4 EXTCAP C3 GND RF Input L1 5 AMP 2 GND R1 L2 6 C1 1 L3 RF Output VDD=2.7V C2 - 17 - NJG1107KB2 ■実装基板例 (Top View) (Top View) C3 C3 L2 RF IN NJG1107 L4 L3 C1 L1 L2 RF OUT RF IN L1 NJG1107 L3 C1 R1 C2 RF OUT C2 1.5/1.8/1.9GHz 帯実装図 1.5GHz 帯 LowGain 仕様実装図 PCB: FR4 t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm(Zo=50Ω) PCB SIZE: 14.0 x 14.0mm Parts ID L1 - 18 - Table 外付け部品表 定 数 備 考 1.5GHz 帯 1.5GHz 帯 1.9GHz 帯 1.8GHz 帯 LowGain 仕様 10nH 5.6nH 6.8nH 10nH 太陽誘電製(HK1005) L2 12nH 5.6nH 8.2nH 12nH 太陽誘電製(HK1005) L3 5.6nH 3.9nH 6.8nH 6.8nH 太陽誘電製(HK1005) L4 15nH 10nH 12nH - 太陽誘電製(HK1005) C1 5pF 13pF 30pF 0.75pF 村田製作所製(GRM36) C2 1000pF 1000pF 1000pF 1000pF 村田製作所製(GRM36) C3 1000pF 1000pF 1000pF 10pF 村田製作所製(GRM36) R1 - - - 36Ω NJG1107KB2 ■外形図 (FLP6-B2) 0.75±0.05 2.0±0.1 5 +0.1 0.15-0.05 4 2.1±0.1 0.2 1.7±0.1 0.2 6 1 2 3 0.65 0.1 0.1 0.65 リード材質 リード処理 モールド樹脂 単位 重量 :銅材 :半田メッキ :エポキシ樹脂 :mm :6.5mg +0.1 0.2-0.05 ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ素(GaAs)製品取 製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、 製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関 連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 19 -