三通道LED 恒流驱动器具LED 开路侦测功能

DM412
版本
发布尔日期
文件名称
总页数
:
:
:
:
PRE.004
2006/11/24
SP-DM412-PRE.004.doc
22
三通道 LED 恒流驱动器
具 LED 开路侦测功能
点晶科技股份有限公司
SILICON TOUCH TECHNOLOGY INC.
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9-7F-1, Prosperity RoadⅠ, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.
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DM412
DM412
三通道 LED 恒流驱动器
具 LED 开路侦测功能
芯片概述
DM412 是一颗具脉波宽度调制(PWM)输出及使能控制的 LED 驱动芯片,专为 LED 照明,
装饰,大屏显示等应用而设计。每一输出通道皆可输出高达 16 比特(65,536 级)灰阶的可调线性
电流。芯片内含移位缓存器, 数据锁存, 三通道恒流驱动器(电流值可由相对应的三个外挂电阻
调控), 以及做 PWM 功能之用的内建震荡器。数据,时钟,与锁存讯号输出端均内建缓冲,支持
长串接应用。内建 LED 开路侦测功能可帮助使用者找出 LED 开路的具体位置,无需加上任何
外围组件。独特的「输出端极性反转功能」使 DM412 亦能用做「PWM 讯号产生器」,可与大
功率 LED 驱动器(DD311/2/3)搭配,以实现大功率 LED 之 65,536 级灰阶的颜色变化。
芯片特色
最大恒流输出:200mA (由三个外挂电阻分别控制)
最大输出承受电压: 17V
最大串行输入时钟频率: 20MHz
线性可调电流输出:65,536 级 PWM 灰阶
数据/时钟/锁存讯号输出端均内建缓冲,支持长串接应用
具 PWM 自由运行能力(内置振荡器可达 17.5MHz,产生画面刷新率达 267Hz)
锁存信号输入方式可设定为自动/手动锁存
LED 开路侦测功能
输出端极性反转功能
芯片工作电压: 3.3V ~ 5.5V
应用
LED 装饰与照明
户内/外 LED 视频/讯息显示屏
PWM 信号产生器
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
版本:PRE.004
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封装
SOP16, SSOP16, TSSOP16 (带散热片)
ROUT
RREXT
GOUT
GREXT
BOUT
BREXT
功能方块图
VCC
LED
开路侦测器
LED
Open
Detector
(B)
LEDOpen
开路侦测器
LED
Detector
(G)
LEDOpen
开路侦测器
LED
Detector
(R)
内部
Internal
震荡器
Oscillator
恒流驱动器
Constant
Current Driver
(B)
恒流驱动器
Constant
Current Driver
(G)
恒流驱动器
Constant
Current Driver
(R)
16
比特
16-bit
Counter
计数器
16 比特
PWM
产生器
16-bit
PWM
Generator
(B)
16 比特
PWM
产生器
16-bit
PWM
Generator
(G)
16 比特
PWM
产生器
16-bit
PWM
Generator
(R)
GND
STI
DAI
锁存
Strobe
控制器
Controller
16
16
16
16 比特锁存寄存器
16-bit
Latch Register
(B)
16 比特锁存寄存器
16-bit
Latch Register
(G)
16 比特锁存寄存器
16-bit
Latch Register
(R)
16
16
16
16 比特移位寄存器
16-bit
Shift Register
(B)
16 比特移位寄存器
16-bit
Shift Register
(G)
16 比特移位寄存器
16-bit
Shift Register
(R)
极性
Polarity
选择器
Selector
POL
STO
SDO
MUX
DAO
CKO
CKI
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脚位图
DAO
1
16
VCC
CKO
2
15
DAI
STO
3
14
CKI
POL
4
13
STI
ROUT
5
12
SDO
GOUT
6
11
RREXT
BOUT
7
10
GREXT
GND
8
9
BREXT
脚位定义
脚位编号
脚位名称
功能
1
DAO
串行数据输出端
2
CKO
时钟讯号输出端
3
STO
锁存讯号输出端
PWM 输出电流极性选择:
4
高电平’H’时为正向极性,
POL
低电平’L’时为反向极性。
5~7
R(G、B)OUT
8
GND
9~11
R(G、B)REXT
沉入式电流输出端 (open-drain).
接地端
三个外挂电阻需个别连接于红、绿、蓝 REXT 与接地端间 ,以
分别调整三个输出通道的电流大小。
串行输出数据触发模式选择:
12
SDO
高电平’H’时,数据于时钟信号之下降沿输出,
低电平’L’时,数据于时钟信号之上升沿输出。
串行输入数据锁存:
13
STI
高电平’H’时数据被锁存,
低电平’L’时数据从移位缓存器中通过锁存端 (level latch)。
14
CKI
时钟信号输入端,数据于 CKI 在上升沿时被取样
15
DAI
串行数据输入端
16
VCC
电源端
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输入及输出等效电路
1. CKI, DAI, STI, SDO 端
VCC
INPUT
GND
2. POL 端
VCC
INPUT
GND
3. CKO, DAO, STO 端
VCC
OUT
GND
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最大工作范围(Ta=25°C, Tj(max) = 140°C)
特性
符号
最大工作范围
单位
电源电压
VCC
-0.3 ~ 7.0
V
输入电压
VIN
-0.3 ~ VCC+0.3
V
输出电流
IOUT
200
mA
输出电压
VOUT
-0.3 ~ 17
V
输入时钟频率
FCKI
20
MHz
接地端电流
IGND
610
mA
0.82 ( SSOP16 : Ta=25°C)
0.86 ( SOP16 : Ta=25°C)
PD
消耗功率
W
2.1 ( TSSOP16 : Ta=25°C )
140.2 ( SSOP16 )
Rth(j-a)
热阻值
°C/W
133.7 ( SOP16 )
55 ( TSSOP16 )
工作温度
Top
-40 ~ 85
°C
存放温度
Tstg
-55 ~ 150
°C
推荐工作参数
特性
符号
条件
最小值
一般值
最大值
单位
电源电压
VCC
⎯
3.3
5.0
5.5
V
输出电压
VOUT
驱动器电流导通
1.0
⎯
10
输出电压
VOUT
驱动器电流关闭
⎯
⎯
17
OUT (R, G , B)
5
⎯
200
⎯
⎯
1.2
*1
*2
IO
输出电流
IOH
SERIAL-OUT
IOL
VIH
输入电压
VIL
VCC = 3.3 V ~ 5.5V
⎯
⎯
1.5
⎯
VCC
0.0
⎯
0.2VCC
(SDO=’H’, CL=13pF)
DC
⎯
芯片串接操作
20M
锁存(STI)脉冲宽度
tw STI
20
⎯
⎯
时钟(CKI) )脉冲宽度
tw CLK
20
⎯
⎯
tsetup(D)
串行输入数据(DAI) 的保持时间
thold(D)
V
VCC = 3.3 V ~ 5.5V
Hz
10M
(SDO=’L’, CL=13pF)
串行输入数据(DAI) 的启动时间
mA
20M
芯片串接操作
FCKI
*3
0.8VCC
单一芯片操作
输入时钟频率
V
15
⎯
⎯
15
⎯
⎯
ns
锁存(STI)的启动时间
tsetup(L)
15
⎯
⎯
内部锁存的启动时间
tsetup(istb)
1
⎯
⎯
us
FOSC
14
17.5
21
MHz
内置振荡器频率
*1
需注意功率消耗受限于封装与环境温度。
最大输出承受电压也包括任何的过冲电压(overshoot),不可超过 17V。
*3
推荐使用具有较佳散热能力的 TSSOP16 封装(尤其当 Iout = 100mA~200mA 时)
*2
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电气特性(VDD = 5.0 V, Ta = 25°C 除非另有规定)
特性
符号
测试条件
最小
一般
最大
输入电压高电平(“H” Level)
VIH
CMOS 逻辑准位
0.8VCC
⎯
VCC
输入电压低电平(“L” Level)
VIL
CMOS 逻辑准位
GND
⎯
0.2VCC
输出端漏电流
IOL
VOH = 17 V
⎯
⎯
1.0
VOL
IOL =
mA
⎯
⎯
0.2
VOH
IOH =
mA
VCC-0.2
⎯
⎯
⎯
⎯
±3
%
4.5
5.0
5.3
mA
⎯
0.1
0.5
串行数据输出(S-OUT)端电压
输出电流差异
(信道与信道间)
*1
IOL1
*2
IOL2
V
uA
V
REXT = 120 Ω
输出电流差异
(芯片与芯片间)
VOUT = 1.0 V
单位
输出电压影响输出电流变化
% / VOUT
百分比
芯片工作电压影响输出电流
变化百分比
% / VCC
IDD(关断)
REXT = 120 Ω
VOUT = 1 V ~ 3 V
REXT = 120 Ω
除 VCC 与 GND 外
所有通道开路
%/V
⎯
⎯
2
⎯
1.4
⎯
⎯
1.3
⎯
⎯
1.8
⎯
Vout = 1.0V
IDD(关断)
Rext = 120Ω
所有输出通道关断
CKI = 20MHz
*3
IDD(导通)
电源电流
Vout = 1.0V
Rext = 120Ω
mA
所有输出通道导通
Vout = 1.0V
IDD(关断)
Rext = 2.9Ω
⎯
1.3
⎯
⎯
1.8
⎯
所有输出通道关断
CKI = 20MHz
Vout = 1.0V
IDD(导通)
Rext = 2.9Ω
所有输出通道关断
*1
输出电流差异(信道与信道间)定义为”任意 Iout - 平均 Iout” 与 ”平均 Iout”的比率。平均 Iout =(Imax+Imin)/2
输出电流差异(芯片与芯片间)定义为任选两芯片之最大输出电流与最小输出电流的落差范围。
*3
IO 除外。
*2
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交流特性(VDD = 5.0V, Ta = 25°C 除非另有规定)
特性
符号
CKI-to-CKO
延迟反应时间
(低电位到高电位)
CKO-to-DAO (SDO = ‘L’)
延迟反应时间
CKI-to-CKO
(高电位到低电位)
最小
一般
最大
⎯
11.5
⎯
VIH = VCC
⎯
8.4
⎯
VIL = GND
⎯
7.2
⎯
REXTs = 33 Ω
⎯
4.0
⎯
⎯
18
⎯
⎯
12.5
⎯
⎯
⎯
4.7
ms
最小
一般
最大
单位
⎯
10
⎯
VIH = VCC
⎯
14
⎯
VIL = GND
⎯
12
⎯
REXTs = 33 Ω
⎯
6
⎯
⎯
21.5
⎯
⎯
24
⎯
⎯
⎯
4.7
tpLH
tpHL
CKO-to-DAO (SDO = ‘H’)
VL = 5.0 V
tor
电流输出端的电位爬升时间
RL = 180 Ω
tof
电流输出端的电位下降时间
输出电流
CL = 13 pF
*1
top
(于锁存信号(STI)拉低后的延迟反应时间)
交流特性(VDD = 3.3V, Ta = 25°C
符号
CKI-to-CKO
延迟反应时间
单位
ns
除非另有规定)
特性
(低电位到高电位)
CKO-to-DAO (SDO = ‘L’)
延迟反应时间
CKI-to-CKO
(高电位到低电位)
测试条件
测试条件
tpLH
tpHL
CKO-to-DAO (SDO = ‘H’)
VL = 5.0 V
电流输出端的电位爬升时间
RL = 180 Ω
电流输出端的电位下降时间
CL = 13 pF
输出电流
(于锁存信号(STI)拉低后的延迟反应时间)
ns
ms
VL
RL
VCC
REXTn
OUTn
STO
REXT
DAO
CKI
CL
CKO
CL
CL
CL
CL
交流特性测试电路
Switching
Characteristics Test Circuit
*1
在前一帧 PWM 画面数据的末尾重新装入新的 PWM 数据。
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输出电流设定
三输出通道的恒流值由分别连接在 R(G、B)REX 端和 GND 之间的三个外挂电阻设定。经由
改变电阻值可以在 5mA 到 200mA 范围内调节电流。输出电流值可由下面的等式概算:
0.6 V
× 1000
REXT (ohm)
Iout(mA) ~
Output Current
as a Function
of REXT
value
输出电流
Iout 与外挂电阻
REX
关系图
200
180
160
Iout (mA)
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
REXT (ohm)
Output
CurrentIout
as与输出电压
a Function ofVout
Output
Voltage
输出电流
关系图
220
200
180
Iout (mA)
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
Vout (volt)
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DM412
串行输入数据格式
输入起始
shift
in first
影像数据 R
Luminance R
R[15]
R[14]
R[13]
R [12]
R[11]
R[10]
R [9]
R[8]
R[7]
R [6]
R[5]
R[4]
R [3]
R[2]
R[1]
R[0]
LSB
MSB
影像数据 G
Luminance
G
G[15]
G[14]
G[13]
G[12]
G[11]
G[10]
G[9]
G[8]
G[7]
G[6]
G[5]
G[4]
G[3]
G[2]
G[1]
G[0]
LSB
MSB
影像数据 BB
Luminance
B[15]
B[14]
B[13]
B[12]
B[11]
B[10]
B[9]
B[8]
B[7]
B[6]
B[5]
B[4]
B[3]
B[2]
B[1]
B[0]
LSB
MSB
L*[15]×215+L[14]×214+L[13]×213+L[12]×212+L[11]×211+L[10]×210+L[9]×29+L[8]×28+L[7]×27+L[6]×26 +L[5]×25 +L[4]×24 +L[3]×23+L[2]×22+L[1]×21 +L[0]×20
Active width per frame(%) =
每画面有效脉冲宽度(%)=
65536
*L[x] = 0 or 1 and it can be replaced by R[x], G[x], or B[x] , where x = 0, 1, 2…….15
LED 开路侦测功能
DM412 提供实时的 LED 开路检测功能,无须搭配额外的组件或芯片设计。当输出电流
导通而输出电压小于 0.3V 时,判定为 LED 开路故障。当锁存信号激活时,每个通道的侦测
结果会被写入相对应移位寄存器中之每字节最后一比特位置上(即上图中的 R[0], G[0], B[0]),
使用者可以参考第 12 页中的时序图。开路侦测结果可以从串行输出端口读回。当相对应位置
之侦测数据为”1”表示该通道正常,若为”0”则表示该通道开路。为确使 LED 开路侦测功能在
良好的条件下进行,建议侦测时的影像数据(红绿蓝三色共 48 比特)全填为 1 以使通道设定为
理想的导通状态。
串行输出数据格式
输出起始
shift
out first
影像数据 R
Luminance R
R[15]
R[14]
R[13]
R [12]
R[11]
R[10]
R [9]
R[8]
R[7]
R [6]
R[5]
R[4]
R [3]
R[2]
R[1]
E[R]
G[6]
G[5]
G[4]
G[3]
G[2]
G[1]
E[G]
B[6]
B[5]
B[4]
B[3]
B[2]
B[1]
E[B]
影像数据
GG
Luminance
G[15]
G[14]
G[13]
G[12]
G[11]
G[10]
G[9]
B[15]
B[14]
B[13]
B[12]
B[11]
B[10]
B[9]
G[8]
G[7]
影像数据
BB
Luminance
B[8]
B[7]
*E[R],E[G],E[B]为
LED
开路侦测数据,”1”表示该通道正常,”0”则表示该通道异常
*E[R],
E[G], E[B] are
Error
Message of LED Open Detection. ‘1’ is normal, and ‘0’ is abnormal.
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输出脉宽调制方式
为减少谐波噪声及增加电流精准度,DM412 提供一种创新的 LED 输出脉宽调制技术。此
技术混和了传统的脉宽调制(Pulse Width Modulation (PWM),用于高 8 比特)及新式的比特相角
调制(Bit Angle Modulation (BAM),用于低 8 比特) 技术。BAM 的主要优点是即使驱动于低 LED
发光强度时,仍能提高等效之刷新率。BAM 的每一个二进制比特数据都对应到一特定的脉宽。
下表列示出每一个比特所对应到的脉宽比例。
比特
加权后的宽度
7
6
5
4
3
2
1
0
256
128
64
32
16
8
4
1
使用低
8 比特:Bit
Bit AngleBAM
Modulation
represented
by [7:0]
Bit [7:0]
B i t [ 3]
Bit [4]
Bit [5]
Bit [7]
Bit [6]
t
BAM 与 PWM 在一完整的输出周期上之时间分配可以参照下图(并非按照实际比例):
A 完整的输出周期
complete modulation cycle
Bit [15:8]Bit
(PWM
使用高 8 比特)
[15:8]
Conventional PWM represented by Bit [15:8]
t
[7:0]
(BAM) represented by Bit [7:0]
BitBit
Angle
Modulation
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
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DM412
时序图
1. CKI-DAI, CKO, DAO
twC LK
5 0%
twC LK
50%
5 0%
C KI
ts etup(D)
thold(D)
50 %
50%
DAI
tpLH
tpHL
50%
5 0%
C KO
50 %
DAO
(S DO='
L'
)
tp LH
tp HL
50%
DAO
(S DO='
H'
)
2. CKI-STI
50%
CKI
S TI
50%
t s e tu p (L)
50%
t wS TI
3. STI-OUTn
S TI
50%
to r
to f
90%
90%
50%
O UTn
(current)
10%
10%
to p
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
版本:PRE.004
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1
2
3
R A[13]
R B[13]
< 1 frame
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
B E[2]
B E[2]
B F[2 ]
46
B E[1]
B E[1]
B F[1]
47
EE [B]
RF[15]
< 1 frame
RF[14]
RF[15]
E E[B]* 2
8th*
1
1
RG[15]
tset up(istb)
CKI kept high
B F[0]
48
**1 Keeping CKI in high level and sending into eight DAI pulses successively will trigger internal strobe automatically.
1
使 CKI 保持在高电位,并于其间送入 8 个 DAI 脉波即可成功启动自动锁存机制。
2
** Error message of LED open detection will be sent out from DAO.
2
LED 开路侦测数据将从 DAO 端口传出。
*3 SDO = ‘H’
*3
SDO = ‘H’
*4 SDO = ‘L’
*4
SDO = ‘L’
*5 Internal strobe signal. Auto latch function is only for SDO = ’H’.
*5
自动锁存功能只在 SDO =‘H’时有效。
*6 POL is independent of STI or ISTB. Any level change of POL will set(POL=H L) or reset(POL=L H) PWM output.
*6
POL 与
STB 或 ISTB
皆互为独立。POL 端的任何电位变化都会设置(POL = H
L)或重设(POL = L
H)PWM 输出。
*7 PWM
is inversion
of PWM.
*7
PWM 是 PWM 的反相。
BPWM
BPWM
RB[15]
RB[15 ]
RC [15]
1
BOUT
E A[B ]
E A[B ]
B B[0]
48
GPWM
B A[1]
B A[1]
B B[1]
47
GPWM
B A[2]
B A[2]
B B[2]
46
GOUT
1 cell
RPWM
RA [13]
RA [14]
RB [14]
RA [14]
RA [15]
RB [15]
RA[15]
B A[0]
48
RPWM
B A[1]
47
ROUT
POL*6
(internal)
ISTB* 5
ST I
( ST O)
DAO*4
DAO*3
DAI
CKI
(CKO)
BPWM *7
GPWM *7
RPWM * 7
OFF
ON
OFF
ON
OFF
ON
Low
High
Low
High
Low
High
0
1
0
1
0
1
Low
Hi gh
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DM412
时序图
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DM412
封装体散热功率
需注意到芯片的散热功率受到封装与环境温度的限制,故在设定最大输出电流值时需考
虑实际操作条件。最大可散热功率可由以下式子做计算:
最大散热功率 Pd(W) =
最大接面温度 Tj(°C) – 环境温度 Ta(°C)
热阻值(°C / Watt)
散热功率(Power Dissipation = Pd(W))与操作环境温度(Ambient Temperature = Ta (°C))的关系
可参考下图:
Power Dissipation Pd(W)
3.0
Tj(max)=140 °C
2.5
Rth(sop16)=133.7 °C/Watt
TSSOP16
Rth(ssop16)=140.2 °C/Watt
2.0
Rth(TSSOP16)=55 °C/Watt
1.5
SOP16
1.0
SSOP16
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature Ta(°C)
由最大散热功率(Pd)可推导出最大可允许操作电压 Vout,请参考下式:
VoutR × IoutR × DutyR + VoutG × IoutG × DutyG + VoutB × IoutB × DutyB < Pd(max)(W)– VCC(V) × IDD(A)
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VLED
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
RREXT
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#n
DAI
DAO
DAO
CKO
CKI
CKO
BOUT
BOUT
GOUT
GREX T
GOUT
BREXT
ROUT
RREX T
VLED
#1
STI 与 POL 端连接至高准位
DAO
CKO
BOUT
GOUT
ROUT
VLED
#n-1
DM412
DAI
CKI
BREX T
GREXT
RRE XT
.SDO is connected to “H” or “L” by system application
#2
DM412
视系统应用将 SDO 端连接至高或低电位源
.STI and POL are connected to “H”
D AI
DAO
D AI
BREXT
C KI
BOUT
GREX T
RREXT
CKO
DM412
GOUT
ROUT
C KI
BRE XT
GREXT
ROUT
DM412
系统
System
Controller
控制器
Memory
内存
VLED
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DM412
典型应用
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ILED
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
1
2
3
4
DD311
5
ILED
RSET
VCC
1
2
3
4
DD311
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DD311is是专为大功率
LDE
设计的单通道恒流驱动器。它可提供
DD311
a single-channel
constant
current LED driver designed to
driver
power LED. It can provide a maximum sink current of 1A,
最大 high
1A 的沉入恒流,该电流可通过外挂电阻(Rext)调整。
ad just ab le b y an ex t ern al r es is to r(R SE T) .
控制应用。
When POL(Pin4) is connected to “L”, DM412 can be regarded as a
PWM 信号产生器来使用。三个外挂电阻引脚(引脚 9,10,11)可
PWM signal generator.Three REXTs(Pin9,10,11) can be connected to
直接接至
GND。选择合适的上拉电阻以决定扇出容量和切换电
GND
directly.
Select proper pull-high resistances to decide the fan-out
capability
and
switching
current.
By means
of the connection
between
流。连接
DM412
的三个
PWM
输出口(即三个
out 端)和大功率
three PWM signal output and the switches of high constant current
恒流电路的切换端(或使能端),系统可实现更大功率 LED 的
circuit, sy stem w ill adapt to more high power LE D applications.
当 DM412 的 POL 端(脚位 4)拉低(Low)时,DM412 可以当作一
RSET
VCC
5
1
14
3
10
9
8
11
12
7
6
5
13
15
4
16
2
3
1
2
4
5
GND
VCC
DD311
DM412
VCC
RSET
Pull-High Resistance
ILED
VLED
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DM412
典型应用
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RS ET
1
2
3
4
DD312
5
ILE D
RSE T
1
2
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adjus ta ble by an ex t erna l re sist or( R SE T ).
最大 1A 的沉入恒流,该电流可通过外挂电阻(Rext)调整。
DD312
is a single-channel
current LED driver designed
to
DD312
是专为大功率
LDE constant
设计的单通道恒流驱动器。
它可提供
driver high power LED. It can provide a maximum sink current of 1A,
3
4
DD312
当 DM412 的 POL 端(脚位 4)拉低(Low)时,DM412 可以当作一
When POL(Pin4) is connected to “L”, DM412 can be regarded as a
PWM
信号产生器来使用。三个外挂电阻引脚(引脚 9,10,11)可
PWM signal generator.Three REXTs(Pin9,10,11) can be connected to
直接接至
GND。选择合适的上拉电阻以决定扇出容量和切换电
GND directly.
Select proper pull-high resistances to decide the fan-out
capabilityDM412
and switching
means of the connection
between
流。连接
的三个current.
PWMBy
输出口(即三个
out 端)和大功率
three PWM signal output and the switches of high constant current
恒流电路的切换端(或使能端),系统可实现更大功率 LED 的
circuit, syst em will adapt to more high pow er LE D applic ations .
控制应用。
ILED
5
1
13
4
10
9
8
11
7
6
12
14
3
5
15
3
16
2
2
DM412
RSET
4
5
GND
VCC
DD312
1
Pull-High Resistance
ILE D
VLED
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DM412
典型应用
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by an external resistor(RSET).
provide a maximum sink current of 500mA, adjustable
designed to driver high power LED. Each channel can
DD313 is a three-channel constant current LED driver
ad a p t 是专为大功率
t o mo r e hi gh pLDE
o w er设计的三通道恒流驱动
L E D a p p lic a t io n s .
DD313
器。它可提供最大 500mA 的沉入恒流,电流可通过
外挂电阻(Rext)调整。
switches of high constant current circuit, system will
当 DM412 的 POL 端(引脚 4)拉低(Low)时,DM412
可以当作一 PWM 信号产生器来使用。三个外挂电
阻引脚(脚位
9,10,11)可直接接至
GND。选择合适
When POL(Pin4)
is connected to “L”, DM412
can be
r eg a r d e d a s a P W M s i gn a l g e n e r at o r . Th r e e
的上拉电阻以决定扇出容量和切换电流。通过
REXTs(Pin9,10,11) can be connected to GND directly.
DM412
的三个 PWM 输出口(即三个 out 端)和大功率
Select proper pull-high resistances to decide the fan恒流电路的切换端(或使能端)的连接,系统可实
out capability and switching current. By means of the
现更大功率
LED 的控制应用。
connection between
three PWM signal output and the
ILE DB
10
9
7
8
14
13
3
4
10
9
8
11
7
6
12
15
2
5
16
1
DM412
11
6
Pull-High Resistance
RSE T
13
4
12
14
3
DD313
15
2
5
16
1
RSE T
RSET
GND
VCC
VLED
ILEDR
ILEDG
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DM412
封装外型尺寸
SSOP16
单位:mm
3.91
5.99
9
16
8
1
0.229
0.3Max
0.254
1.63MAX
1.5
0.635
0.15
0.635
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DM412
封装外型尺寸
单位:mm
SOP16
16
1
6.2MAX
4.0MAX
9
8
0.56
0.51
1.27
0.25
1.75
1.5
10
0.25
1.27
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Fax:886-3-5645626
DM412
封装外型尺寸
TSSOP16 (外露焊盘)
三通道 LED 恒流驱动器 具 LED 开路侦测功能
单位:mm
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DM412
这里列出的产品是设计用于普通电子产品的应用,例如电器、可视化设备、
通信产品等等。因此,建议这些产品不应该用于医疗设施、手术设备、航天器、
核电控制系统、灾难/犯罪预防设备等类似的设备。这些产品的错误使用可能直接
或间接导致威胁到人们的生命或者导致伤害或财产损失。
点晶科技将不负任何因这些产品的错误使用而导致的责任。任何人若购买了
这里所描述的任何产品,并含有上述意图或错误使用,应自负全责与赔偿。点晶
科技与它的通路商及所有管理者和员工必捍卫己方抵拒所有索赔、诉讼,及所有
因上述意图或操作而衍生的损坏、成本、及费用。
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