高性能Si-PINフォトダイオード検出器 XR

高性能 Si-PIN フォトダイオード検出器 XR-100CR
分解能 149 eV!
液体窒素不要!
写真 (前): XR-100CR 検出器
〃 (後): PX4 アンプ/電源/MCA
【特長】
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Si-PIN フォトダイオード
ペルチェ冷却
温度モニタ
ベリリウム入射窓
密封容器 TO-8
ワイドな検出レンジ
操作が容易
【用途】
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ポータブル X 線/γ線測定装置
核医学
X 線蛍光分析
メスバウアスペクトメータ
宇宙、天文学研究
教育用
原子力プラントモニタリング
PIXE
XR-100CR は、電子冷却された Si-PIN フォトダイオー
ドを X 線検出器に用い、プリアンプと冷却器を備えた高性
能なシステムです。冷却器にはインプット FET と帰還回路
もマウントされています。コンポーネント内部は凡そ-30℃
に保たれ、内蔵の温度センサでモニターできます。検出
器の密封容器(TO-8)にはライトタイト、バキュームタイト、
1 ミル(25µm)または 0.5 ミル(12.5µm)のベリリウム窓を
採用し、軟 X 線の検出が可能です。
アンプ 電源には、モデル “PX4”があります。
PX4 は、デジタルパルスプロセッサ、MCA、電 源を搭載
したモデルです。シェイピングタイムのレンジ(0.25ns~
40μs)が広く、最適化できます。
システムは電源投入後 1 分以内に安定したオペレー
ションを確保します。
図は 6mm2/500μm検出器で得た55Feスペクトルです。
【動作原理】
X 線はシリコン原子に作用して、3.62 eV のエネルギーを
損失する毎に平均一組の電子・正孔対を生成します。入射放
射線のエネルギー次第では、この損失は光電効果またはコン
プトン散乱に支配されます。検出器が X 線を“止め”電子・正
孔対を生成する可能性は、シリコンの厚みと共に増加します。
電子正孔対の収集プロセスを容易にするため、シリコンに
100 V バイアスを印加しています。この電圧は室温でのオペレ
ーションには高すぎて過度のリークを引き起こし、やがて故障
の原因となります。XR-100CR の検出器内部は冷却されてい
るためリーク電流が劇的に削減され、これによって高いバイア
ス電圧を可能にしています。そして、この高電圧が検出器の
キャパシタンスを減らしシステムノイズを低減しています。
検出器のバックコンタクト近くのシリコンに作用する X 線に
よって生成された電子正孔対は、通常のイベントよりゆっくり
収集されます。これらのイベントは通常の電荷収集より小さく、
エネルギースペクトルのバックグラウンドを増し、誤ったピーク
を作ります。そのようなイベントはスローライズタイムの特徴が
あり、PX2CR アンプは MCA でカウントされるこれらのパルスを
回避する、ライズタイムディスクリミネーション回路(RTD)を採
用しています。
電子冷却器はシリコン検出器とチャージセンシティブプリア
ンプへの入力 FET トランジスタの両方を冷却します。FET を冷
却することによってリーク電流を低減してコンダクタンスを増加
し、転じてシステムの電子ノイズを減らします。
フォトダイオード検出器の場合、オプティカルリセットは実際
的ではなく、XR-100CR はチャージセンシティブプリアンプのリ
セットには新しいフィードバック法を採用しています。この手法
はリセットトランジスタのノイズを抑制し、システムのエネルギ
ー分解能をさらに向上します。
プリンアプボックスの全体をチェンバ内に配置します。オーバ
ーヒートを防ぎ、XR-100CRの動作に必要な 1 ワットの電力を
放散するよう、4 つのマウンティングホールを使用したチェンバ
ー壁面への良好な熱伝導を生み出しています。オプションの
モデル 9DVF 9-pin D バキュームフィードスルーコネクタを
XR-100CRに接続し、真空チェンバ外のPX2CRに接続できます。
(2) XR-100CRは真空チェンバ外に置いて、Conflatコンプレッ
ションO-リングポートからチェンバ内のX線を検出します。この
アプリケーションには、オプションのモデルEX V6 / EX V9 真
空検出器エクステンダーが使用できます。
内部コンポーネントの温度を直接表示するように、温度モニ
タ回路が冷却基盤に設置されています。そして、この温度は
室温とともに変化します。内部温度が-20℃以下になると、
数℃程度の温度変化で XR-100CR の性能は変わりません。
ただし、通常の室温で XR-100CR を使用する場合は、クロー
ズド・ループ・温度コントロールは必要ありません。
【真空オペレーション】
XR-100CRは~10-8 Torrまで真空中で動作可能です。それ
には2通りの方法があります。 (1) XR-100CR検出器および
【仕様】
・検出器タイプ: Si-PIN
・検出器サイズ: 2.4 x 2.8 mm (7 mm2), 標準
・シリコン厚: 300 µm
・エネルギー分解能 @ 5.9 keV, 55Fe
標準: 220 eV FWHM with 12 µs shaping time
オプション: 186 eV FWHM with 20 µs shaping time
オプション: 280 eV FWHM with 6 µs shaping time
・バックグラウンド: <3 x 10-3/s, 2 keV to 150 keV
・検出器ウィンドウ: Be, 1 mil 厚 (25 µm)
・チャージセンシティブプリアンプ: Amptek特注デザイン
【X 線の Be ウィンドウ透過率】
・ケースサイズ: 9.5 x 4.4 x 2.9 cm
・重量: 125 g
・総電力: <1 W
INPUTS
・テスト入力: 1 mV/keV, ポジ
・プリアンプパワー: ±9 V @ 15 mA
・検出器パワー: +100 V @ 1 µA
・冷却器パワー: 0.7 A (最大), 2 V(最大)
OUTPUTS
1) プリアンプ
・感度: 1 mV/keV
・極性: ネガティブ信号出力, 最大負荷1 kΩ
2) 温度モニタ ・感度: 1 µA (1 °K相当)
【シリコン検出器の透過率】
オプション
標準以外の検出器サイズ (13 mm2 Si-PIN) やベリリウムウィンドウ(0.3 mil - 7.5 µm) も「特注」が可能です。
高効率・高分解能のγ線測定(1.5 keV FWHM @ 122 keV,
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Co)には、Cadmium Zinc Telluride (CZT) を使用した検出器
“XR-100T-CZT” もあります。参照下さい。
コネクタ
・プリアンプ出力: BNC coaxial コネクタ
・テスト入力: BNC coaxial コネクタ
・その他の接続: 6-Pin, LEMO コネクタ (5フィートケーブル付き)
(200610)
※製品の改良にともない、予告なく記載内容を変更させていただく場合がありますので、ご了承ください。
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電話番号:03-5542-3101(代表) ファクシミリ:03-5542-3109
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