TC59LM836DKG-33,-40 暫定資料 東芝 MOS 形デジタル集積回路 シリコンモノリシック シリコンゲート CMOS 無鉛製品 288M ビット ネットワーク FCRAM2 − 2,097,152 ワード × 4 バンク ×36 ビット 概要 TC59LM836DKG は、CMOS 技術を用いた 301,989,888 のメモリセルを有するダブルデータレートファーストサイク ルランダムアクセスメモリ(FCRAMTM)です。TC59LM836DKG は、2,097,152 ワードx4 バンクx36bit 構成です。コ マンド入力はクロックの立ち上がりエッジに同期して行われますが、データの入出力は DS/QS の立ち上がり及び立ち下 がりエッジに同期して行われ、最大で 600M ワード/秒のデータ高速転送ができます。本製品は FCRAMTM 固有のコア構 成の採用により、既存の標準的な DDR SDRAM と比較してより速いサイクルタイムで動作させることが可能です。 TC59LM836DKG は高速ランダムサイクル、大メモリ容量、低消費電流等が要求されるワークステーションのセカンダ リキャッシュメモリやネットワークのルーター、スイッチ等のバッファメモリ、コントロールメモリに最適です。本製品 の出力ドライバは軽い負荷環境下においても高速、高品質なデータ転送が可能です。 特長 主 特 TC59LM836DKG 性 CLK サイクルタイム (最小) tCK -33 -40 CL = 4 4.5 ns 5.0 ns CL = 5 3.75 ns 4.5 ns CL = 6 3.33 ns 4.0 ns 22.5 ns 25 ns tRC ランダムリード/ライトサイクルタイム (最小) tRAC ランダムアクセスタイム (最大) 22.5 ns 25 ns IDD1S 動作平均電流 (シングルバンク) (最大) 360 mA 340 mA lDD2P スタンドバイ平均電流 (パワーダウン) (最大) 95 mA 90 mA 15 mA 15 mA lDD6 • 要 セルフリフレッシュ平均電流 (最大) 同期式オペレーション • 倍周期データレート (DDR) データの入出力は DS/QS(ライト/リードデータストローブ)の立ち上がり/立ち下がりに同期して行われます。 • 差動式クロック入力 (CLK & CLK ) CS 、FN 及び全てのアドレス入力信号は、CLK の立ち上がりエッジで取り込まれます。 出力データ(DQ & QS)は CLK と CLK の交点を基準に出力されます。 全てのタイミングは CLK と CLK の交点から定義されます。 • 最大クロック周波数: • 最大データ転送レート: 600 M ワード/秒 • 4 バンク独立動作 • ファーストサイクル & ショートレイテンシ • セレクタブルデータストローブ信号 • 分散オートリフレッシュ (最大間隔 3.9 µs) • セルフリフレッシュ • パワーダウンモード • 可変バースト長制御 • ライトレイテンシ = CAS レイテンシ – 1 • プログラマブル CAS レイテンシ/バースト長 300 MHz CAS レイテンシ = 4, 5, 6 バースト長 = 2, 4 • 構成: 2,097,152 ワード × 4 バンク × 36 ビット • 電源電圧 VDD: VDDQ: • 入出力: SSTL_18 (Half strength driver) / HSTL 2.5 V ± 0.125V 1.4 V ~ 1.9 V • JTAG バウンダリスキャン • パッケージ: 144Ball BGA, 1mm × 0.8mm Ball pitch (P-TFBGA144-1119-0.80BZ) • 無鉛製品 注: “FCRAM”は富士通(株)の登録商標です。 Rev 1.4 2005-11-08 1/65 TC59LM836DKG-33,-40 ピン名称 ピン 名称 A0~A13 アドレス入力 BA0, BA1 バンクアドレス DQ0~DQ35 データ入出力 CS チップセレクト FN ファンクションコントロール PD パワーダウンコントロール CLK, CLK クロック入力 LDS, UDS ライトデータストローブ LQS, UQS リードデータストローブ VDD 電源 (+2.5 V) VSS 電源 (グラウンド) VDDQ 電源 (+1.5V / +1.8 V) (DQ バッファ用) VSSQ 電源 (グラウンド) VREF 基準電圧 NC 無接続 TMS, TDI, TCK, TDO バウンダリスキャンテストアクセスポート (DQ バッファ用) Rev 1.4 2005-11-08 2/65 TC59LM836DKG-33,-40 ピン配置 (上面図) ball pitch=1.0 x 0.8mm 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 0.8mm Index VDD B VDD VDD VSS VSS VDD VDDQ DQ16 DQ17 VDDQ VDDQ DQ0 DQ1 VDDQ C VSSQ DQ14 DQ15 VSSQ VSSQ DQ2 DQ3 VSSQ D VDDQ DQ12 DQ13 VDDQ VDDQ DQ4 DQ5 VDDQ E VSSQ DQ10 DQ11 VSSQ VSSQ DQ6 DQ7 VSSQ F VDDQ LDS DQ9 VDDQ VDDQ DQ8 LQS VDDQ G VSSQ VREF CLK VSSQ VSSQ A13 FN VSSQ VSS VSS H VSS PD CLK VSS VSS CS NC VSS J VDD A12 A11 VDD VDD BA1 BA0 VDD K VSS A9 A8 VSS VSS A0 A10 VSS L VDD A7 A6 VDD VDD A2 A1 VDD M VDDQ A5 A4 VDDQ VDDQ NC A3 VDDQ N VSSQ UDS DQ26 VSSQ VSSQ DQ27 UQS VSSQ P VDDQ DQ25 DQ24 VDDQ VDDQ DQ29 DQ28 VDDQ R VSSQ DQ23 DQ22 VSSQ VSSQ DQ31 DQ30 VSSQ T VDDQ DQ21 DQ20 VDDQ VDDQ DQ33 DQ32 VDDQ U VSSQ DQ19 DQ18 VSSQ VSSQ DQ35 DQ34 VSSQ V TMS VDD VDD TCK VSS VSS TDO 1mm A TDI : Depopulated ball Rev 1.4 2005-11-08 3/65 TC59LM836DKG-33,-40 ブロック図 CLK CLK PD CS FN DLL クロック バッファ コマンド デコーダ 他のブロックへ コントロール 信号 ジェネレータ バンク #3 バンク #2 バンク #1 BA0, BA1 アドレス バッファ アッパーアドレス ラッチ ロワーアドレス ラッチ リフレッシュ カウンタ バースト カウンタ データ コントロール&ラッチ 回路 A0~A13 ローデコーダ バンク #0 モード レジスタ メモリ セルアレイ カラムデコーダ リード データ バッファ ライトアドレス ラッチ/ アドレス コンパレータ LDS LQS UDS UQS DQ バッファ DQ0~DQ17 注: ライト データ バッファ DQ18~DQ35 TC59LM836DKG は 4 バンクの 16384 ロウ × 128 カラム × 36 DQ のセルアレイで構成されます。 Rev 1.4 2005-11-08 4/65 TC59LM836DKG-33,-40 最大定格 記 号 項 目 定 格 単 位 −0.3~ 3.3 V 電源電圧 (DQ バッファ) −0.3~VDD+ 0.3 V VIN 入力電圧 −0.3~VDD+ 0.3 V VOUT 入力電圧 (DQ ピン) −0.3~VDDQ + 0.3 V VREF 入力基準電圧 −0.3~VDD+ 0.3 V Topr 動作温度 (ケース温度) 0~85 °C Tstg 保存温度 −55~150 °C Tsolder はんだ付け加熱温度 (10 秒) 260 °C PD 消費電力 2.5 W IOUT 出力短絡電流 ±50 mA VDD 電源電圧 VDDQ 注: 注 最大定格表に記載された範囲を超える状況下ではデバイスに致命的な損傷をもたらす恐れがあります。本製品の動作は、本 データシートに記述されている動作に関する種々の項目の範囲内でのみ保証されます。最大定格の範囲内であっても長期間 最大定格条件にさらされた場合、デバイスの信頼性に致命的な影響を及ぼす可能性があります。 DC, AC 許容動作条件 (注: 1)(TCASE = 0~85°C) 記 号 項 VDD 電源電圧 VDDQ 電源電圧 (DQ バッファ) VREF 目 最 小 標 準 最 大 単 位 注 2.375 2.5 2.625 V 1.4 1.9 V 入力基準電圧 VDDQ/2 × 95% VDDQ/2 VDDQ/2 × 105% V 2 VIH (DC) 高レベル入力電圧 (DC) VREF + 0.125 VDDQ + 0.2 V 5 VIL (DC) 低レベル入力電圧 (DC) −0.1 VREF − 0.125 V 5 VICK (DC) 差動クロック DC 入力電圧 −0.1 VDDQ + 0.1 V 10 VID (DC) CLK、 CLK 入力電圧差 (DC) 0.4 VDDQ + 0.2 V 7, 10 VIH (AC) 高レベル入力電圧 (AC) VREF + 0.2 VDDQ + 0.2 V 3, 6 VIL (AC) 低レベル入力電圧 (AC) −0.1 VREF − 0.2 V 4, 6 VID (AC) CLK、 CLK 入力電圧差 (AC) 0.55 VDDQ + 0.2 V 7, 10 VX (AC) CLK、 CLK 交差電圧 (AC) VDDQ/2 − 0.125 VDDQ/2 + 0.125 V 8, 10 VISO (AC) CLK、 CLK 中間レベル (AC) VDDQ/2 − 0.125 VDDQ/2 + 0.125 V 9, 10 Rev 1.4 2005-11-08 5/65 TC59LM836DKG-33,-40 注: (1) 全ての電圧は VSS、VSSQ を基準にしています。 (2) VREF レベルは VDDQ (DC)のレベル変動に追従するようにして下さい。 VREF におけるノイズの最大振幅は VREF (DC) ±2%を超えないようにして下さい。 (3) オーバーシュート定格: パルス幅 5 ns 以下で VIH (max) = VDDQ + 0.7 V 以内。 (4) アンダーシュート定格: パルス幅 5 ns 以下で VIL (min) = −0.7 V 以内。 (5) VIH (DC)及び VIL (DC)は現行状態を維持するためのレベル規定です。 (6) VIH (AC)及び VIL (AC)は新しい論理状態へ変化させるためのレベル規定です。 (7) VID は CLK 入力レベルと CLK 入力レベルの電位差を意味します。 (8) 最適な VX (AC)は VDDQ/2 です。 (9) VISO は{VICK (CLK) + VICK ( CLK )} /2 を意味します。 (10) 下図を参照下さい。 CLK Vx Vx Vx Vx Vx VID (AC) CLK VICK VICK VICK VISO (min) VISO (max) VICK VSS |VID (AC)| 0 V Differential VISO VSS (11) 外部終端する場合は、終端電圧(VTT)は VREF (DC) ± 0.04 V の範囲にして下さい。 ピン容量 (VDD = 2.5V, VDDQ = 1.8 V, f = 1 MHz, Ta = 25°C) 記 号 項 目 最 小 最 大 差(MAX) 単 位 CIN 入力ピン容量 (CLK, CLK 以外) 1.5 3.0 0.25 pF CINC クロックピン容量 (CLK, CLK ) 1.5 3.0 0.25 pF CI/O 入出力ピン容量(DQ, LDS, UDS, LQS, UQS) 2.5 3.5 0.5 pF CNC NC ピン容量 1.5 pF 注: この項目は抜き取り検査のみで全数検査は実施しておりません。 Rev 1.4 2005-11-08 6/65 TC59LM836DKG-33,-40 電気的特性 (VDD = 2.5V ± 0.125V, VDDQ = 1.4V ~ 1.9V, TCASE = 0 ~ 85°C) 最 記 号 項 大 目 単 位 注 -33 -40 IDD1S 動作的平均電流 リード/ライトコマンドサイクリング tCK = min、IRC = min、IOUT = 0mA Burst Length = 4、CAS Latency = 6、Free running QS mode 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max)、VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 最小 IRC の間にアドレス遷移は 2 回。 リードデータは 1 クロック中に 2 回遷移。 360 340 1, 2 IDD2N スタンバイ平均電流 全てのバンク: 非活性状態 tCK = min、 CS = VIH、 PD = VIH 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max)、VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 上述以外の入力信号は 4 × tCK の間に 1 回遷移。 DQ と DS の入力は 1 クロック中に 2 回遷移。 110 100 1, 2 IDD2P スタンバイ平均電流 (パワーダウン) 全てのバンク: 非活性状態 tCK = min、 PD = VIL (パワーダウン) CAS Latency = 6、Free running QS mode 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max), VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 上述以外の入力信号は 4 × tCK の間に 1 回遷移。 DQ と DS の入力はフローティング状態(VDDQ/2)。 95 90 1, 2 IDD4W ライト動作平均電流 (4 バンク) 4 バンクインターリーブ連続バーストライト動作 tCK = min, IRC = min Burst Length = 4、CAS Latency = 6、Free running QS mode 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max)、VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 1 クロック毎にアドレスが遷移。 DQ と DS の入力は 1 クロック中に 2 回遷移。 800 750 1, 2 IDD4R リード動作平均電流 (4 バンク) 4 バンクインターリーブ連続バーストリード動作 tCK = min、IRC = min、IOUT = 0mA Burst Length = 4、CAS Latency = 6、Free running QS mode 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max)、VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 1 クロック毎にアドレスが遷移。 リードデータは 1 クロック中に 2 回遷移。 800 750 1, 2 IDD5B 集中オートリフレッシュ平均電流 オートリフレッシュコマンドサイクリング tCK = min、IREFC = min CAS Latency = 6、Free running QS mode 0 V ≤ VIN ≤ VIL (AC) (max)、VIH (AC) (min) ≤ VIN ≤ VDDQ 最小 IREFC の間にアドレス遷移は 2 回。 DQ と DS の入力は 1 クロック中に 2 回遷移。 360 340 1, 2, 3 IDD6 セルフリフレッシュ平均電流 PD = 0.2 V、 他の入力信号はフローティング状態 (VDDQ/2)、 DQ と DS の入力はフローティング状態 (VDDQ/2) 15 15 2 注: mA 1. これらは、tCK、tRC 及び IRC を最小値でサイクリングさせた場合の電流です。電流は過渡的に流れる為、サイクルレー トに強く依存します。 2. これらの値は VDD – VSS 間の電流として定義されます。 3. IDD5B は集中リフレッシュ条件での定義です。実際のシステムでは tREFI 規定のもと、分散リフレッシュを使用して下さ い。 Rev 1.4 2005-11-08 7/65 TC59LM836DKG-33,-40 電気的特性 (VDD = 2.5V ± 0.125V, VDDQ = 1.4V ~ 1.9V, TCASE = 0 ~ 85°C) (続き) 記 号 項 目 最 小 最 大 単 位 ILI 入力リーク電流 ( 0 V ≤ VIN ≤ VDDQ、測定以外のピンは 0 V) −5 5 µA ILO 出力リーク電流 (出力はディセーブル、0 V ≤ VOUT ≤ VDDQ) −5 5 µA IREF VREF 電流 −5 5 µA VOH = 1.420 V −5.6 VOL = 0.280 V 5.6 VOH = 1.420 V −9.8 (VDDQ = 1.7V~1.9V) V = 0.280 V OL 9.8 VOH = 1.420 V −2.8 VOL = 0.280 V 2.8 VOH = VDDQ – 0.4V −4 VOL = 0.4V 4 VOH = VDDQ – 0.4V −8 VOL= 0.4V 8 未定義 未定義 IOH (DC) IOL (DC) IOH (DC) IOL (DC) IOH (DC) IOL (DC) IOH (DC) IOL (DC) IOH (DC) IOL (DC) IOH (DC) IOL (DC) 注: Normal Output Driver Strong Output Driver 出力電流 Weak Output Driver Normal Output Driver Strong Output Driver Weak Output Driver 出力電流 (VDDQ = 1.4V~1.6V) 注 mA 1 mA 1 1. アウトプットドライバの選択はエクステンディッドモードレジスタにて行われます。 Rev 1.4 2005-11-08 8/65 TC59LM836DKG-33,-40 AC 許容動作条件及び特性 (注: 1, 2) (VDD = 2.5 ± 0.125V, VDDQ = 1.4 ∼ 1.9V, TCASE = 0 ∼ 85°C) 記 号 tRC 項 -33 目 -40 単位 注 最小 最大 最小 最大 22.5 25 3 CL = 4 4.5 7.5 5.0 7.5 3 CL = 5 3.75 7.5 4.5 7.5 3 CL = 6 ランダムサイクル時間 tCK クロックサイクル時間 3.33 7.5 4.0 7.5 3 tRAC ランダムアクセス時間 22.5 25 3 tCH クロック高レベル時間 0.45 × tCK 0.45 × tCK 3 tCL クロック低レベル時間 0.45 × tCK 0.45 × tCK 3 tCKQS QS アクセス時間 −0.45 0.45 −0.5 0.5 3, 8, 10 tQSQ QS – DQ スキュー 0.25 0.3 tQSQA QS – DQ スキュー(全 DQ) 0.35 0.4 tAC クロックアクセス時間 −0.5 0. 5 −0.6 0.6 3, 8, 10 tOH 出力データホールド時間 −0.5 0.5 −0.6 0.6 3, 8 tHP クロックハーフピリオド (tCH、tCL 実最小時間) Min(tCH, tCL) min(tCH, tCL) 3 tQSP QS (リード)パルス幅 tHP− tQHS tHP− tQHS 4, 8 tQSQV 出力データ有効時間 tHP− tQHS tHP− tQHS 4, 8 tQHS DQ, QS ホールドスキューファクター 0.055 × tCK +0.17 0.055 × tCK +0.17 tDQSS DS(ライト)立ち上がりエッジセットアップ時 間 0.8 × tCK 1.2 × tCK 0.8 × tCK 1.2 × tCK tDSPRE DS(ライト)プリアンブルパルス幅 0.4 × tCK 0.4 × tCK 4 0 0 3 0.3 × tCK 0.3 × tCK 3 0.45 × tCK 0.55 × tCK 0.45 × tCK 0.55 × tCK 4 CL = 4 0.8 1.0 3, 4 CL = 5 0.8 1.0 3, 4 CL = 6 0.8 1.0 3, 4 0.45 × tCK 0.45 × tCK 4 CL = 4 0.8 1.0 3, 4 CL = 5 0.8 1.0 3, 4 CL = 6 0.8 1.0 3, 4 −0.4 × tCK 0.4 × tCK −0.4 × tCK 0.4 × tCK tDSPRES DS 1st 入力セットアップ時間 tDSPREH DS 1st 低レベル入力ホールド時間 tDSP DS 高レベルまたは低レベル入力パルス幅 tDSS DS(ライト)立ち上がりエッジ– CLK セットアップ時間 tDSPST DS(ライト)ポストアンブルパルス幅 DS(ライト)ポストアンブルホー tDSPSTH ルド時間 ns 3 tDSSK UDS – LDS スキュー tDS データ入力セットアップ時間 0.35 0.4 4, 11 tDH データ入力ホールド時間 0.35 0.4 4, 11 tIS コマンド/アドレス入力セットアップ時間 0.6 0.7 3 tIH コマンド/アドレス入力ホールド時間 0.6 0.7 3 Rev 1.4 2005-11-08 9/65 TC59LM836DKG-33,-40 AC 許容動作条件及び特性 (注: 1, 2) (続き) 記 号 項 -33 目 -40 単位 最小 最大 最小 最大 注 tLZ 出力ローインピーダンス時間 −0.5 −0.6 3, 6, 8 tHZ 出力ハイインピーダンス時間 0.5 0.6 3, 7, 8 tQPDH PD 高レベルホールド時間 0 0 tPDEX パワーダウンイグジット時間 0.6 0.7 tT 立ち上がり/立ち下り時間 0.1 1 0.1 1 tFPDL PD ロー入力タイミング (セルフリフレッシュ) −0.5 × tCK 5 −0.5 × tCK 5 tREFI オートリフレッシュ間隔 0.4 3.9 0.4 3.9 tPAUSE 電源投入後安定時間 200 200 5 5 IRC CL = 4 ランダムリード/ライトサイクル CL = 5 時間 (同一バンク) CL = 6 6 6 7 7 IRCD RDA/WRA – LAL コマンド間隔 (同一バンク) 1 1 1 1 CL = 4 4 4 IRAS LAL – RDA/WRA コマンド間隔 (同一バンク) CL = 5 5 5 CL = 6 6 6 IRBD ランダムバンクアクセス間隔 (他バンク間) 2 2 RDA 後 LAL – WRA コマンド間 隔 (他バンク間) BL = 2 2 2 IRWD BL = 4 3 3 1 1 CL = 4 7 7 CL = 5 7 7 CL = 6 7 7 IWRD WRA 後 LAL – RDA コマンド間隔 (他バンク間) IRSC モードレジスタセット サイクル時間 IPD PD ロー入力 – 入力非活性時間 2 2 IPDA PD ハイ入力 – 入力バッファ活性時間 1 1 CL = 4 REF コマンド– パワーダウン間 CL = 5 隔 CL = 6 19 19 IPDV 23 23 25 25 CL = 4 19 19 CL = 5 23 23 CL = 6 25 25 IREFC IREFC 200 200 IREFC オートリフレッシュ サイクル時間 ICKD REF コマンド – クロック入力ディセーブ ル時間 (セルフリフレッシュエントリー時) ILOCK DLL 安定時間(RDA コマンド間) ns 3 3 5 µs cycle Rev 1.4 2005-11-08 10/65 TC59LM836DKG-33,-40 AC テスト条件 記 号 項 目 定 格 単 位 VIH (min) 高レベル入力電圧 (AC) VREF + 0.2 V VIL (max) 低レベル入力電圧 (AC) VREF − 0.2 V VREF 入力基準電圧 VDDQ/2 V VTT 終端電圧 VREF V VSWING 入力信号最大振幅 0.8 V Vr 差動クロック入力基準電圧 VX (AC) V VID (AC) CLK, CLK 入力電圧差 1.0 V SLEW 入力信号最小移行レート 2.5 V/ns VOTR 出力信号測定基準電位 VDDQ/2 V 注 9 VDDQ VIH min (AC) VREF VSWING VTT 25 Ω Output VIL max (AC) VSS Measurement point ∆T ∆T SLEW = (VIH min (AC) − VIL max (AC))/∆T AC Test Load 注: (1) 立ち上がり、立ち下がり時間は VIH min (DC)と VIL max (DC)の間で定義されます。 入力信号の立ち上がり、立ち下がりの傾きは一定としてます。 (2) 単位が Cycle で記述された項目の値は tCK 値より計算されますが、小数点第 2 位以下は切り上げています。 (例: tDQSS = 0.8 × tCK, tCK = 3.3 ns, 0.8 × 3.3 ns = 2.64 ns → 2.7 ns.) (3) これらの項目は、差動クロック (CLK、 CLK )の AC 交差点から定義されます。 (4) これらの項目は、DS の遷移信号が VREF 電位と交差するポイントから定義されます。 (5) tREFI (max)は均等分散リフレッシュの場合に適用されます。 tREFI (min)は集中リフレッシュ及び分散リフレッシュのどちらにも適用されます。 tREFI (min)は任意の連続した 8 回のオートリフレッシュコマンド間隔が常に 400ns 以上でなければいけません。 言い換えると、3.2 µs (8 × 400 ns) 内に実行可能なオートリフレッシュの回数は、最大で 8 回迄です。 (6) ローインピーダンスの状態は VDDQ/2 ± 0.1 V に達した状態です。 (7) ハイインピーダンスの状態は出力バッファが駆動していない状態です。 (8) これらの項目はクロックのジッターに依存します。これらの項目の値は安定したクロックにおいて測定された場 合のものです。 (9) 出力タイミングは Normal Output Driver にて定義されます。 VDDQ = 1.4V~1.6V の場合、出力タイミングは Strong Output Driver にて定義されます。 (10) これらの値は tCK が 6.0ns 以下の条件で測定されています。tCK が 6.0ns 以上の場合には Speed version に関わ らず、下記の値で測定されます。 tCKQS (MIN/MAX) = −0.6ns / 0.6ns, tAC (MIN/MAX) = −0.65ns / 0.65ns (11) これらの値は VDDQ = 1.7V~1.9V の条件で測定されています。VDDQ = 1.4V~1.6V の場合には Speed version に 関わらず、tDS(MIN) = 0.4ns, tDH(MIN) = 0.4ns になります。 Rev 1.4 2005-11-08 11/65 TC59LM836DKG-33,-40 電源投入 (1) 電源(VDD、VDDQ)を立ち上げる前に PD をロー状態(≤ 0.2 V)にします。 (2) VDDQ は VDD と同時か VDD より後に立ち上げます。 (3) VREF は VDDQ と同時ないしは VDDQ よりも後に立ち上げます。 (4) 電源が所望の電位に到達後、クロック(CLK、CLK )を入力し、電源、クロック入力が安定した状態で 200 µs のポー ズタイムをとります。 (5) 電源とクロックが安定後、NOP(DESL)状態かつ PD をハイ状態にします。 (6) EMRS コマンドで DLL をイネーブルにし、ドライバストレングスとデータストローブタイプをセットします。 (注 1) (7) MRS コマンドにて CAS レイテンシ(CL)、バーストタイプ(BT)、バースト長(BL)をセットします。(注 1) (8) 2 回以上のオートリフレッシュを実行します。(注 1) (9) EMRS コマンドより 200 クロック後に通常動作可能です。 注: (1) ステップ(6)、(7)、(8)は順不同です。 (2) “ロー”はロジック低レベル状態、”ハイ”はロジック高レベル状態を意味します。 (3) パワーアップシーケンス中の DQ 出力はハイインピーダンス状態となります。 2.5V(TYP) VDD 1.5V or 1.8V(TYP) VDDQ 1/2 VDDQ (TYP) VREF CLK CLK tPDEX lRSC 200us(min) lRSC PD lREFC lREFC lLOCK = 200clock cycle(min) lPDA Command DESL RDA MRS DESL op-code RDA MRS DESL WRA REF DESL WRA REF DESL op-code Address EMRS MRS DQ (Input) DS L/UQS Low (Uni-QS mode) L/UQS (Free Running mode) EMRS MRS Auto Refresh cycle Normal Operation Rev 1.4 2005-11-08 12/65 TC59LM836DKG-33,-40 タイミング図 タイミング入力 コマンド、アドレス tCK tCK tCH tCL CLK CLK tIS tIH tIS 1st CS tIS 2nd tIH tIS 1st FN tIS A0~A13 BA0, BA1 tIH tIH 2nd tIH tIS UA, BA tIH LA データ L/UDS tDS tDH tDS tDH DQn (input) tDS tDH tDS tDH DQm (input) 入力真理値表参照 CLK, CLK タイミング tCH tCL VIH VIH (AC) VIL (AC) VIL CLK CLK tT tCK tT CLK VIH CLK VIL VID (AC) VX VX VX Rev 1.4 2005-11-08 13/65 TC59LM836DKG-33,-40 リードタイミング (Burst Length = 4) Unidirectional DS/QS mode tCH tCL tCK CLK CLK tIS tIH LAL (after RDA) Input (control & addresses) DESL DS (Input) tCKQS CAS latency = 4 LQS (output) tCKQS tQSP tQSP tCKQS Low Low tQSQA tQSQA tLZ tQSQ LDQ (output) Hi-Z tQSQV tQSQ Q0 tAC tQSQ tQSQV Q1 Q2 tAC tQSQA tHZ Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS UQS (output) tQSP tQSP Low Low tQSQA tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC Q1 tQSQV Q2 tAC tQSQ tHZ Q3 tAC tOH tCKQS CAS latency = 5 LQS (output) tCKQS Low Low tQSQA tQSQA tQSQV tLZ tQSQ LDQ (output) tCKQS tQSP tQSP Hi-Z tQSQ Q0 tAC tQSQ Q1 Q2 tAC tQSQA tHZ tQSQV Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS UQS (output) tQSP tQSP Low Low tQSQ tQSQA tHZ tQSQV tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC Q1 tAC Q2 Q3 tAC tOH Rev 1.4 2005-11-08 14/65 TC59LM836DKG-33,-40 リードタイミング (Burst Length = 4) Unidirectional DS/QS mode tCH tCL tCK CLK CLK tIS tIH LAL (after RDA) Input (control & addresses) DESL DS (Input) tCKQS CAS latency = 6 LQS (output) tCKQS tCKQS Low Low tQSQA tQSQA tLZ tQSQ LDQ (output) tQSP tQSP Hi-Z tQSQV tQSQ Q0 tAC tQSQ tQSQV Q1 Q2 tAC tQSQA tHZ Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS UQS (output) tQSP tQSP Low Low tQSQ tQSQA tQSQV tHZ tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC 注: Q1 tAC Q2 Q3 tAC tOH LQS、UQS はそれぞれ以下の DQ に対応します。 LQS DQ0~DQ17 UQS DQ18~DQ35 Rev 1.4 2005-11-08 15/65 TC59LM836DKG-33,-40 リードタイミング (Burst Length = 4) Unidirectional DS/Free Running QS mode tCH tCL tCK CLK CLK tIS tIH LAL (after RDA) Input (control & addresses) DESL DS (Input) tCKQS CAS latency = 4 tCKQS tQSP tQSP tCKQS LQS (output) tQSQA tQSQA tLZ tQSQ LDQ (output) Hi-Z tQSQV tQSQ Q0 tAC tQSQ tQSQV Q1 Q2 tAC tQSQA tHZ Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS tQSP tQSP UQS (output) tQSQA tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC Q1 tQSQV Q2 tAC tQSQ tHZ Q3 tAC tOH tCKQS CAS latency = 5 tCKQS tCKQS tQSP tQSP LQS (output) tQSQA tQSQA tLZ tQSQ LDQ (output) Hi-Z tQSQV tQSQ Q0 tQSQ tQSQV Q1 Q2 tAC tAC tQSQA tHZ Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS tQSP tQSP UQS (output) tQSQA tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC Q1 tAC tQSQV Q2 tQSQ tHZ Q3 tAC tOH Rev 1.4 2005-11-08 16/65 TC59LM836DKG-33,-40 リードタイミング (Burst Length = 4) Unidirectional DS/Free Running QS mode tCH tCL tCK CLK CLK tIS tIH LAL (after RDA) Input (control & addresses) DESL DS (Input) tCKQS CAS latency = 6 tCKQS tCKQS tQSP tQSP LQS (output) tQSQA tQSQA tLZ tQSQ LDQ (output) Hi-Z tQSQV tQSQ Q0 tQSQ tQSQV Q1 Q2 tAC tAC tQSQA tHZ Q3 tAC tOH tQSQA tCKQS tCKQS tQSP tQSP UQS (output) tQSQA tQSQA UDQ (output) Hi-Z Q0 tLZ tAC 注: Q1 tAC tQSQ tHZ tQSQV Q2 Q3 tAC tOH LQS、UQS はそれぞれ以下の DQ に対応します。 LQS DQ0~DQ17 UQS DQ18~DQ35 QS はフリーランニング QS モード中、常に出力されます。 Rev 1.4 2005-11-08 17/65 TC59LM836DKG-33,-40 ライトタイミング (Burst Length = 4) Unidirectional DS/QS mode, Unidirectional DS/Free Running QS mode tCH tCL tCK CLK CLK tIS tIH LAL (after WRA) Input (control & addresses) DESL tDSPSTH tDQSS tDSPRES tDSS tDSPREH tDSP tDSP tDSP tDSPST CAS latency = 4 L/UDS (input) tDSS Preamble tDSPRE tDS tDS tDS tDH tDH DQ (input) Postamble D0 D1 D2 tDH D3 tDQSS tDSPRES CAS latency = 5 t tDSPREH DSP tDSS tDSPSTH tDSS tDSP tDSP tDSPST L/UDS (input) Preamble tDSPRE DQ (input) Postamble tDS tDH D0 tDS D1 tDS tDH D3 D2 tDQSS tDQSS tDSS tDSS tDSPRES CAS latency = 6 tDH tDSPSTH tDSP tDSP tDSP tDSPST tDSPREH L/UDS (input) Preamble tDSPRE Postamble tDS tDS tDH DQ (input) D0 tDQSS L/UQS (Uni-QS) tDS tDH D1 D2 tDH D3 tDQSS Low L/UQS (Free Runninig) 注: LDS、UDS はそれぞれ以下の DQ に対応します。 LDS DQ0~DQ17 UDS DQ18~DQ35 Rev 1.4 2005-11-08 18/65 TC59LM836DKG-33,-40 tREFI, tPAUSE, IXXXX タイミング CLK CLK tREFI, tPAUSE, IXXXX tIS tIH tIS tIH Input (control & addresses) Command Command 注: “IXXXX”は“IRC”、“IRCD”、“IRAS”等を意味します。 Rev 1.4 2005-11-08 19/65 TC59LM836DKG-33,-40 動作真理値表 (注: 1, 2, 3) コマンド真理値表 (注: 4) • 1st コマンド 記 号 項 目 CS FN BA1~BA0 A13~A10 A9~A8 A7 A6~A0 DESL Device Deselect H × × × × × × RDA Read with Auto-close L H BA UA UA UA UA WRA Write with Auto-close L L BA UA UA UA UA • 2nd コマンド 記 号 項 目 CS FN BA1~ BA0 A13~ A12 A11~ A10 A9 A8 A7 A6~A0 LAL Lower Address Latch H × × V × × × × LA REF Auto-Refresh L × × × × × × × × MRS Mode Register Set L × V L L L L V V 注: 1. L = Logic Low, H = Logic High, × = either L or H, V = Valid (specified value), BA = Bank Address, UA = Upper Address, LA = Lower Address 2. 全てのコマンドは各コマンド入力にとって正当な状態で入力されるものとします。 3. SELFX と PDEX を除く全てのコマンドは、CLK の立ち上がりにおける差動クロック入力交差点で取り込まれます。 4. 動作モードは 1 番目のコマンドと 2 番目のコマンドの組み合わせによって決まります。”状態遷移図”と以下のコマンド 表を参照して下さい。 リードコマンド表 コマンド (記号) CS FN BA1~BA0 A13~A10 A9~A8 A7 A6~A0 RDA (1st) L H BA UA UA UA UA LAL (2nd) H × × × × × LA NOTES ライトコマンド表 注: コマンド (記号) CS FN BA1~ BA0 A13 A12 A11 A10 A9~A8 A7 A6~A0 WRA (1st) L L BA UA UA UA UA UA UA UA LAL (2nd) H × × VW0 VW1 × × × × LA 5. A13~ A12 はライト動作時のバリアブルライトバースト長制御に使用します。 バリアブルライト(VW)真理値表 バースト長 項 目 VW0 VW1 Write All Words L × Write First One Word H × Reserved L L Write All Words H L Write First Two Words L H Write First One Word H H BL=2 BL=4 Rev 1.4 2005-11-08 20/65 TC59LM836DKG-33,-40 動作真理値表(続き) モードレジスタセットコマンド表 コマンド (記号) CS FN BA1~BA0 A13~A9 A8 A7 A6~A0 RDA (1st) L H × × × × × MRS (2nd) L × V V V V V CS FN BA1~BA0 A13~A9 A8 A7 注: NOTES 6 6. “モードレジスタ表”を参照して下さい。 オートリフレッシュコマンド表 コマンド (記号) 現在の状態 Active WRA (1st) Auto-Refresh REF (2nd) 項 目 PD A6~A0 NOTES n−1 n Standby H H L L × × × × × Active H H L × × × × × × CS FN BA1~BA0 A13~A9 A8 A7 セルフリフレッシュコマンド表 コマンド (記号) 現在の状態 Active WRA (1st) Self-Refresh Entry 項 目 Self-Refresh Continue Self-Refresh Exit PD A6~A0 NOTES n−1 n Standby H H L L × × × × × REF (2nd) Active H L L × × × × × × Self-Refresh L L × × × × × × × SELFX Self-Refresh L H H × × × × × × CS FN BA1~BA0 A13~A9 A8 A7 7, 8 9 パワーダウンコマンド表 項 目 Power Down Entry Power Down Continue Power Down Exit 注: コマンド (記号) 現在の状態 PDEN PD A6~A0 NOTES n−1 n Standby H L H × × × × × × Power Down L L × × × × × × × PDEX Power Down L H H × × × × × × 7. PD は REF コマンドに対して tFPDL の範囲内でロー状態にしなければなりません。 8. PD はロー状態にする時は、DQ ピンの状態がハイインピーダンス状態後としてください。 9. PD をロー状態からハイ状態へ移行した場合、クロックに対して非同期動作となります。 8 9 Rev 1.4 2005-11-08 21/65 TC59LM836DKG-33,-40 動作真理値表 (続き) 現在の状態 PD n−1 n CS FN アドレス コマンド アクション 注 Idle H H H H H L H H H L L × H L L H L × × H L × × × × BA, UA BA, UA × × × DESL RDA WRA PDEN Row Active for Read H H H H L H H L L × H L H L × × × × × × LA Op-code × × × LAL MRS/EMRS PDEN MRS/EMRS Row Active for Write H H H H L H H L L × H L H L × × × × × × LA × × × × LAL REF PDEN REF (self) Read H H H H H L H H H L L × H L L H L × × H L × × × × BA, UA BA, UA × × × DESL RDA WRA PDEN H H H × × DESL H H H H L H H L L × L L H L × H L × × × BA, UA BA, UA × × × RDA WRA PDEN Data Write&Continue Burst Write to End Illegal Illegal Illegal Illegal Invalid Auto-Refreshing H H H H H L H H H L L × H L L H L × × H L × × × × BA, UA BA, UA × × × DESL RDA WRA PDEN NOP → Idle after IREFC Illegal Illegal Self-Refresh Entry Illegal Refer to Self-Refreshing State Mode Register Accessing H H H H H L H H H L L × H L L H L × × H L × × × × BA, UA BA, UA × × × DESL RDA WRA PDEN NOP → Idle after IRSC Illegal Illegal Illegal Illegal Invalid H L × L × × × × × × L H H × × PDEX L H L × × Invalid Maintain Power Down Mode Exit Power Down Mode → Idle after tPDEX Illegal H L L L × L H H × × H L × × × × × × × × SELFX Invalid Maintain Self-Refresh Exit Self-Refresh → Idle after IREFC Illegal Write Power Down Self-Refreshing 注: NOP Row activate for Read Row activate for Write Power Down Entry Illegal Refer to Power Down State 10 Begin Read Access to Mode Register Illegal Illegal Invalid Begin Write Auto-Refresh Illegal Self-Refresh Entry Invalid Continue Burst Read to End Illegal Illegal Illegal Illegal Invalid 11 11 11 11 12 10. 全てのバンクがアイドル状態でなければ禁止コマンドとなります。 11. 指定された状態のバンクに対する禁止コマンドです。バンクアドレスによって指定されたバンクによっては、正常な動 作が可能です。 12. tFPDL 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 22/65 TC59LM836DKG-33,-40 モードレジスタ表 MRS (レギュラーモードレジスタセット) (注: 1) *1 ADDRESS Register *1 BA1 BA0 0 0 A13~A8 A7 0 *3 TE A6~A4 A3 A2~A0 CL BT BL A7 TEST MODE (TE) A3 BURST TYPE (BT) 0 Regular (default) 0 Sequential 1 Test Mode Entry 1 Interleave A6 A5 A4 CAS LATENCY (CL) 0 0 × Reserved 0 1 0 Reserved 0 1 1 Reserved 1 0 0 *2 *2 *2 4 1 0 1 5 1 1 0 6 1 1 1 A2 A1 A0 0 0 0 0 0 1 2 0 1 0 4 0 1 1 × 1 Reserved BURST LENGTH (BL) Reserved Reserved × *2 *2 *2 EMRS (エクステンディッドモードレジスタセット) (注: 4) ADDRESS Register *4 *4 BA1 BA0 0 1 A13~A7 A6~A5 A4~A3 A2~A1 0 SS DIC (QS) DIC (DQ) QS A6 A5 0 注: 0 DQ *2 DS A3 A2 A1 OUTPUT DRIVE IMPEDANCE CONTROL (DIC) 0 0 0 0 Normal Output Driver 0 1 0 1 Strong Output Driver 0 1 1 0 Unidirectional DS/QS 1 0 1 0 Weak Output Driver 1 1 Unidirectional DS/Free Running QS 1 1 1 1 Reserved 1. 2. 3. 4. 5. Reserved *2 *5 A4 STROBE SELECT Reserved A0 A0 DLL SWITCH (DS) 0 DLL Enable 1 DLL Disable レギュラーモードレジスタは BA0 = 0 と BA1 = 0 の組み合わせによって選択されます。 レギュラーモードレジスタ中の“Reserved”にはセットしないで下さい。 テストモードは特殊な動作モードの為、レギュラーモードレジスタの際の A7 は“0” (ロー状態)にセットして下さい。 エクステンディッドモードレジスタは BA0 = 1 と BA1 = 0 の組み合わせによって選択されます。 エクステンディッドモードレジスタ時の A0 は"0"(ロー状態)にセットしてください。 Rev 1.4 2005-11-08 23/65 TC59LM836DKG-33,-40 状態遷移図 SELFREFRESH POWER DOWN SELFX ( PD = H) PDEX ( PD = H) PD = L PDEN ( PD = L) STANDBY (IDLE) PD = H AUTOREFRESH MODE REGISTER WRA RDA REF MRS ACTIVE (RESTORE) ACTIVE LAL LAL WRITE (BUFFER) READ Command input Automatic return アクティブ状態における 2 番目のコ マンドは、RDA または WRA コマンド 入力から 1 クロック後に入力されな ければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 24/65 TC59LM836DKG-33,-40 タイミング図 シングルバンクリードタイミング (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK IRC = 5 cycles Command RDA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL IRAS = 4 cycles LA IRC = 5 cycles RDA LAL IRCD=1 cycle UA DESL IRAS = 4 cycles LA IRC = 5 cycles RDA DESL IRCD=1 cycle UA #0 LAL RDA IRAS = 4 cycles LA UA #0 #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 4 DQ (output) Hi-Z CL = 4 Q0 Q1 CL = 4 Q0 Q1 Q0 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 4 DQ (output) Hi-Z CL = 4 Q0 Q1 Q2 Q3 CL = 4 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 4 DQ (output) Hi-Z CL = 4 Q0 Q1 CL = 4 Q0 Q1 Q0 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 4 DQ (output) Hi-Z CL = 4 Q0 Q1 Q2 Q3 CL = 4 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Rev 1.4 2005-11-08 25/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクリードタイミング (CL = 5) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 RDA LAL 14 15 CLK CLK IRC = 6 cycles IRC = 6 cycles Command RDA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL IRAS = 5 cycles LA RDA LAL IRCD=1 cycle UA DESL IRAS = 5 cycles LA IRCD=1 cycle UA #0 DESL LA #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 5 DQ (output) Hi-Z CL = 5 Q0 Q1 Q0 Q1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 5 DQ (output) Hi-Z CL = 5 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Q3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 5 DQ (output) Hi-Z CL = 5 Q0 Q1 Q0 Q1 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 5 DQ (output) Hi-Z CL = 5 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Q3 Rev 1.4 2005-11-08 26/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクリードタイミング (CL = 6) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RDA LAL CLK CLK IRC = 7 cycles IRC = 7 cycles Command RDA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL IRAS = 6 cycles LA RDA LAL IRCD=1 cycle UA DESL IRAS = 6 cycles LA IRCD=1 cycle UA #0 LA #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 6 DQ (output) Hi-Z CL = 6 Q0 Q1 Q0 Q1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 6 DQ (output) Hi-Z CL = 6 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 6 DQ (output) Hi-Z CL = 6 Q0 Q1 Q0 Q1 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 6 DQ (output) Hi-Z CL = 6 Q0 Q1 Q2 Q3 Q0 Q1 Q2 Rev 1.4 2005-11-08 27/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクライトタイミング (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK IRC = 5 cycles IRC = 5 cycles Command WRA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL WRA IRAS = 4 cycles LA LAL IRCD=1 cycle UA IRC = 5 cycles DESL WRA IRAS = 4 cycles LA IRCD=1 cycle UA #0 LAL DESL WRA IRAS = 4 cycles LA UA #0 #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 3 DQ (input) WL = 3 D0 D1 WL = 3 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 3 DQ (input) WL = 3 D0 D1 D2 D3 WL = 3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 3 DQ (input) WL = 3 D0 D1 WL = 3 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 3 DQ (input) WL = 3 D0 D1 D2 D3 WL = 3 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Rev 1.4 2005-11-08 28/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクライトタイミング (CL = 5) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 WRA LAL 14 15 CLK CLK IRC = 6 cycles IRC = 6 cycles Command WRA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL IRAS = 5 cycles WRA LAL IRCD=1 cycle LA UA DESL IRAS = 5 cycles DESL IRCD=1 cycle LA UA #0 LA #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 4 DQ (input) WL = 4 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 4 DQ (input) WL = 4 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 4 DQ (input) WL = 4 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 4 DQ (input) WL = 4 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Rev 1.4 2005-11-08 29/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクライトタイミング (CL = 6) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 WRA LAL CLK CLK IRC = 7 cycles IRC = 7 cycles Command WRA LAL IRCD=1 cycle Address UA Bank Add. #0 DESL IRAS = 6 cycles WRA LAL IRCD=1 cycle LA UA DESL IRAS = 6 cycles IRCD=1 cycle LA UA #0 LA #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 5 DQ (input) WL = 5 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 5 DQ (input) WL = 5 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 5 DQ (input) WL = 5 D0 D1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 5 DQ (input) WL = 5 D0 D1 D2 D3 D0 D1 D2 D3 Rev 1.4 2005-11-08 30/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクリード/ライトタイミング (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK IRC = 5 cycles IRC = 5 cycles RDA LAL Address UA LA Bank Add. #0 Command DESL WRA LAL UA LA DESL IRC = 5 cycles RDA LAL UA LA #0 DESL WRA UA #0 #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 4 DQ Hi-Z WL = 3 Q0 Q1 CL = 4 D0 D1 Q0 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 4 DQ Hi-Z WL = 3 Q0 Q1 Q2 Q3 CL = 4 D0 D1 D2 D3 Q0 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 4 DQ Hi-Z WL = 3 Q0 Q1 CL = 4 D0 D1 Q0 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 4 DQ Hi-Z WL = 3 CL = 4 Q0 Q1 Q2 Q3 D0 D1 D2 D3 Read data Write data Q0 Rev 1.4 2005-11-08 31/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクリード/ライトタイミング (CL = 5) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 RDA LAL UA LA 14 15 CLK CLK IRC = 6 cycles IRC = 6 cycles RDA LAL Address UA LA Bank Add. #0 Command DESL WRA LAL UA LA DESL #0 DESL #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 5 DQ Hi-Z WL = 4 Q0 Q1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 4 CL = 5 DQ Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 5 DQ Hi-Z WL = 4 Q0 Q1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 4 CL = 5 DQ Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 D0 D1 D2 D3 Read data Write data Rev 1.4 2005-11-08 32/65 TC59LM836DKG-33,-40 シングルバンクリード/ライトタイミング (CL = 6) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RDA LAL UA LA CLK CLK IRC = 7 cycles IRC = 7 cycles RDA LAL Address UA LA Bank Add. #0 Command DESL WRA LAL UA LA DESL #0 #0 Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 6 DQ Hi-Z WL = 5 Q0 Q1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 5 CL = 6 DQ Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 6 DQ Hi-Z WL = 5 Q0 Q1 D0 D1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 5 CL = 6 DQ (output) Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 D0 D1 D2 D3 Read data Write data Rev 1.4 2005-11-08 33/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクリードタイミング (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cyclesIRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles RDA LAL RDA LAL Address UA LA UA LA Bank Add. Bank "a" Command DESL RDA Bank "b" UA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LA UA LA UA LA UA LA UA LA UA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "b" Bank "a" IRC (Bank"a") = 5 cycles IRC (Bank"b") = 5 cycles Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 4 CL = 4 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qc0Qc1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 4 CL = 4 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3Qc0Qc1Qc2 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 4 CL = 4 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qc0Qc1 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 4 CL = 4 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3Qc0Qc1Qc2 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 34/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクリードタイミング (CL = 5) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK Command Address Bank Add. IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles RDA LAL RDA LAL UA LA UA LA Bank "a" DESL Bank "b" RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LAL UA LA UA LA UA LA UA LA UA LA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "a" IRC (Bank"a") = 6 cycles Unidirectional DS/QS mode IRC (Bank"b") = 6 cycles BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 5 CL = 5 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qa0Qa1 Qb0Qb1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 5 CL = 5 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2 Qa0Qa1 Qa0Qa1 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 5 CL = 5 DQ (output) Hi-Z Qb0Qb1 Qb0Qb1 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 5 CL = 5 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 35/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクリードタイミング (CL = 6) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK Command Address Bank Add. IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles RDA LAL RDA LAL UA LA UA LA Bank "a" DESL Bank "b" RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA LAL RDA UA LA UA LA UA LA UA LA UA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "a" IRC (Bank"a") = 7 cycles IRC (Bank"b") = 7 cycles Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low CL = 6 CL = 6 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1 Qb0Qb1 Qa0Qa1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 6 CL = 6 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2 Qa0Qa1 Qa0Qa1 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) CL = 6 CL = 6 DQ (output) Hi-Z Qb0Qb1 BL = 4 DS (input) QS (output) CL = 6 CL = 6 DQ (output) Hi-Z Qa0Qa1Qa2Qa3Qb0Qb1Qb2Qb3 Qa0Qa1Qa2 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 36/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクライトタイミング (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK Command Address Bank Add. IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles WRA LAL WRA LAL UA LA UA LA Bank "a" DESL WRA UA Bank "b" LAL WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA LA UA LA UA LA UA LA UA LA UA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "a" Bank "b" IRC (Bank"a") = 5 cycles IRC (Bank"b") = 5 cycles Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 3 WL = 3 DQ (input) Da0 Da1 Db0Db1 Da0Da1 Db0Db1 Dc0 Dc1 Dd0Dd1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 3 WL = 3 DQ (input) Da0 Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0Da1Da2Da3Db0Db1 Db2 Db3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Dd0Dd1 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 3 WL = 3 DQ (input) Da0 Da1 Db0Db1 Da0Da1 Db0Db1 Dc0 Dc1 Dd0Dd1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 3 WL = 3 DQ (input) Da0 Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0Da1Da2Da3Db0Db1 Db2 Db3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Dd0Dd1 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 37/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクライトタイミング (CL = 5) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK Command Address Bank Add. IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles WRA LAL WRA LAL UA LA UA LA Bank "a" DESL Bank "b" WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA LAL UA LA UA LA UA LA UA LA UA LA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "a" IRC (Bank"a") = 6 cycles IRC (Bank"b") = 6 cycles Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 4 WL = 4 DQ (input) Da0Da1 Db0Db1 Da0Da1 Db0 Db1 Dc0 Dc1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 4 WL = 4 DQ (input) Da0Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0Da1 Da2 Da3 Db0 Db1 Db2Db3Dc0 Dc1 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 4 WL = 4 DQ (input) Da0Da1 Db0Db1 Da0Da1 Db0 Db1 Dc0 Dc1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 4 WL = 4 DQ (input) Da0Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0Da1 Da2 Da3 Db0 Db1 Db2Db3Dc0 Dc1 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 38/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクライトタイミング (CL = 6) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK Command Address Bank Add. IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles IRBD = 2 cycles WRA LAL WRA LAL UA LA UA LA Bank "a" DESL Bank "b" WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA LAL WRA UA LA UA LA UA LA UA LA UA Bank "a" Bank "b" Bank "c" Bank "d" Bank "a" IRC (Bank"a") = 7 cycles IRC (Bank"b") = 7 cycles Unidirectional DS/QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) Low WL = 5 WL = 5 DQ (input) Da0Da1 Db0Db1 Da0 Da1 Db0Db1 BL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 5 WL = 5 DQ (input) Da0Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0 Da1 Da2Da3Db0Db1 Unidirectional DS/Free Running QS mode BL = 2 DS (input) QS (output) WL = 5 WL = 5 DQ (input) Da0Da1 Db0Db1 Da0 Da1 Db0Db1 BL = 4 DS (input) QS (output) WL = 5 WL = 5 DQ (input) Da0Da1Da2Da3Db0Db1Db2Db3 Da0 Da1 Da2Da3Db0Db1 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 39/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクリード/ライトタイミング (BL = 2) CLK CLK Command 0 1 2 Bank Add. 4 5 6 7 8 LAL RDA LAL 9 10 11 12 13 LAL RDA LAL LA UA LA 14 15 IRBD = 2 cycles WRA LAL RDA IWRD = 1 cycle Address 3 UA Bank "a" LA UA Bank "b" LAL DESL WRA IRWD = 2 cycles IWRD = 1 cycle LA UA LA Bank "c" IRC (Bank"a") UA DESL WRA DESL WRA IRWD = 2 cycles LA UA Bank "d" Bank "a" UA Bank "b" Bank "c" IRC (Bank"b") Unidirectional DS/QS mode CL = 4 DS (input) QS (output) Low CL = 4 WL = 3 DQ Hi-Z Da0 Da1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 Da0 Da1 CL = 5 DS (input) QS (output) Low CL = 5 WL = 4 DQ Hi-Z Da0 Da1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 Da0 Da1 CL = 6 DS (input) QS (output) Low CL = 6 WL = 5 DQ Hi-Z Da0 Da1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 Unidirectional DS/Free Running QS mode CL = 4 DS (input) QS (output) WL = 3 DQ Hi-Z CL = 4 Qb0 Qb1 Da0 Da1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 Da0 Da1 CL = 5 DS (input) QS (output) WL = 4 DQ Hi-Z CL = 5 Da0 Da1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 Da0 Da1 CL = 6 DS (input) QS (output) WL = 5 DQ Hi-Z CL = 6 Da0 Da1 Qb0 Qb1 Dc0 Dc1 Qd0 Qd1 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 40/65 TC59LM836DKG-33,-40 マルチプルバンクリード/ライトタイミング (BL = 4) CLK CLK Command 0 1 2 3 Bank Add. 5 6 7 8 9 LAL RDA LAL 10 11 12 13 14 15 LAL RDA LAL IRBD = 2 cycles WRA LAL RDA LAL IWRD = 1 cycle Address 4 UA Bank "a" LA UA DESL WRA IRWD = 3 cycles IWRD = 1 cycle LA UA Bank "b" LA Bank "c" UA DESL WRA IRWD = 3 cycles IWRD = 1 cycle LA UA Bank "d" Bank "a" LA UA LA Bank "b" IRC (Bank"a") IRC (Bank"b") Unidirectional DS/QS mode CL = 4 DS (input) QS (output) Low WL = 3 CL = 5 DQ Hi-Z CL = 4 Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 Qd2 Qd3 DS (input) QS (output) Low CL = 5 WL = 4 DQ Hi-Z Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 Qd2 Qd3 CL = 6 DS (input) QS (output) Low CL = 6 WL = 5 DQ Hi-Z Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 CL = 4 DS (input) QS (output) WL = 3 DQ Hi-Z CL = 4 Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 Qd2 Qd3 CL = 5 DS (input) QS (output) WL = 4 DQ Hi-Z CL = 5 Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 Qd2 Qd3 DS (input) QS (output) WL = 5 DQ Hi-Z CL = 6 Da0 Da1 Da2 Da3 Qb0 Qb1 Qb2 Qb3 Dc0 Dc1 Dc2 Dc3 Qd0 Qd1 注: 同一バンクに対しては lRC 規定を満たさなければなりません。 Rev 1.4 2005-11-08 41/65 TC59LM836DKG-33,-40 バリアブルライト(VW)によるライトコントロール (CL = 4) 0 1 2 3 4 5 6 WRA LAL UA LA=#1 VW=1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 CLK CLK BL = 2, SEQUENTIAL MODE Command Address WRA LAL UA LA=#3 VW=All DESL VW0 = Low VW1 = don't care Bank Add. Bank "a" DESL VW0 = High VW1 = don't care Bank "a" DS (input) DQ (input) Lower Address D0 D1 D0 #3 #2 #1 (#0) Last one data is masked. BL = 4, SEQUENTIAL MODE Command Address WRA LAL UA LA=#3 VW=All DESL WRA LAL UA LA=#1 VW=1 VW0 = High VW1 = Low Bank Add. Bank "a" DESL WRA LAL UA LA=#2 VW=2 VW0 = High VW1 = High DESL VW0 = Low VW1 = High Bank "a" Bank "a" DS (input) DQ (input) Lower Address D0 D1 D2 D3 D0 D0 D1 #3 #0 #1 #2 #1(#2)(#3)(#0) #2 #3 (#0)(#1) Last three data are masked. 注: Last two data are masked. バースト長後半のデータがマスクされる場合でも、DS の入力は MRS で設定された、 バースト長分まで継続して下さい。 Rev 1.4 2005-11-08 42/65 TC59LM836DKG-33,-40 パワーダウンタイミング (CL = 4, BL = 4) リードサイクルからのパワーダウンタイミング 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 n-2 n-1 n n+1 n+2 CLK CLK IPDA Command Address RDA LAL UA LA DESL DESL RDA or WRA UA tIS IPD = 2 cycle tIH PD tQPDH tPDEX lRC(min) , tREFI(max) Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) Low CL = 4 DQ (output) Hi-Z Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) CL = 4 DQ (output) Hi-Z Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 Power Down Entry 注: Power Down Exit PD はデータ出力が終了するまでハイ状態を維持して下さい。 PD はデータ保持の為 tREFI(max.)規定内はハイ状態にして下さい。 パワーダウンモード中は PD をロー状態にし、安定したクロック信号を入力して下さい。 PD がハイ状態に遷移した後の lPDA サイクル後にコマンド入力が有効となります。 Rev 1.4 2005-11-08 43/65 TC59LM836DKG-33,-40 パワーダウンタイミング (CL = 4, BL = 4) ライトサイクルからのパワーダウンタイミング 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 n-2 n-1 n n+1 n+2 CLK CLK IPDA Command Address WRA LAL UA LA DESL DESL RDA or WRA UA tIS IPD = 2 cycle tIH PD WL = 3 2 clock cycles tPDEX lRC(min) , tREFI(max) Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) Low WL = 3 DQ (input) D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) WL = 3 DQ (input) D0 D1 D2 D3 注: PD は LAL コマンドから WL+2 クロックまでハイ状態を維持して下さい。 PD はデータ保持の為 tREFI(max.)規定内はハイ状態にして下さい。 パワーダウンモード中は PD をロー状態にし、安定したクロック信号を入力して下さい。 PD がハイ状態に遷移した後の lPDA サイクル後にコマンド入力が有効となります。 Rev 1.4 2005-11-08 44/65 TC59LM836DKG-33,-40 モードレジスタセットタイミング (CL = 4, BL = 2) リード動作からのモードレジスタセット 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RDA or WRA LAL Valid (opcode) UA LA BA0="0" BA1="0" BA CLK CLK IRSC = 7 cycles RDA LAL Address UA LA Bank Add. BA Command DESL RDA MRS DESL CL + BL/2 Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) Low DQ (output) Q0 Q1 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) DQ (output) Q0 Q1 注: RDA に続く LAL から MRS の RDA までの最小間隔は CL+BL/2 クロックです。 Rev 1.4 2005-11-08 45/65 TC59LM836DKG-33,-40 モードレジスタセットタイミング (CL = 4, BL = 4) ライト動作からのモードレジスタセット 0 1 2 3 4 5 6 14 15 RDA or WRA LAL Valid (opcode) UA LA BA0="0" BA1="0" BA 7 8 9 10 11 12 13 CLK CLK IRSC = 7 cycles Command WRA LAL Address UA LA Bank Add. BA DESL RDA MRS DESL WL+BL/2 Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) DQ (input) Low D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) DQ (input) D0 D1 D2 D3 注: WRA に続く LAL から MRS の RDA までの最小間隔は WL+BL/2 クロックです。 Rev 1.4 2005-11-08 46/65 TC59LM836DKG-33,-40 エクステンディッドモードレジスタセットタイミング (CL = 4, BL = 2) リード動作からのエクステンディッドモードレジスタセット 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RDA or WRA LAL Valid (opcode) UA LA BA0="1" BA1="0" BA CLK CLK IRSC = 7 cycles RDA LAL Address UA LA Bank Add. BA Command DESL RDA MRS DESL CL + BL/2 Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) Low DQ (output) Q0 Q1 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) DQ (output) Q0 Q1 注: RDA に続く LAL から EMRS 動作の RDA までの最小間隔は CL+BL/2 クロックです。 EMRS により DQ ストローブモードを変更した場合、QS 出力は lRSC の間無効となります。 通常動作時には DLL スイッチをイネーブルモードにセットしなければなりません。 初期 EMRS の設定後 DLL 安定時間が必要です。電源投入順序を参照して下さい。 Rev 1.4 2005-11-08 47/65 TC59LM836DKG-33,-40 エクステンディッドモードレジスタセットタイミング (CL = 4, BL = 4) ライト動作からのエクステンディッドモードレジスタセット 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RDA or WRA LAL Valid (opcode) UA LA BA0="1" BA1="0" BA CLK CLK IRSC = 7 cycles WRA LAL Address UA LA Bank Add. BA Command DESL RDA MRS DESL WL+BL/2 Unidirectional DS/QS mode DS (input) QS (output) Low DQ (input) D0 D1 D2 D3 Unidirectional DS/Free Running QS mode DS (input) QS (output) DQ (input) D0 D1 D2 D3 注: WRA に続く LAL から EMRS 動作の RDA までの最小間隔は WL+BL/2 クロックです。 EMRS により DQ ストローブモードを変更した場合、QS 出力は lRSC の間無効となります。 通常動作時には DLL スイッチをイネーブルモードにセットしなければなりません。 初期 EMRS 設定後 DLL 安定時間が必要です。電源投入順序を参照して下さい。 Rev 1.4 2005-11-08 48/65 TC59LM836DKG-33,-40 オートリフレッシュタイミング (CL = 4, BL = 4) Unidirectional DS/QS mode 0 1 2 3 4 5 6 7 n−1 n n+1 n+2 RDA or WRA LAL or MRS or REF RDA or WRA LAL or MRS or REF CLK CLK IRC = 5 cycles Command RDA LAL Bank, Address Bank, UA LA IRCD = 1 cycle QS (output) IREFC = 19 cycles DESL WRA IRAS = 4 cycles REF DESL IRCD = 1 cycle Low Low CL = 4 DQ (output) Hi-Z Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 Unidirectional DS/Free Running QS mode CLK CLK IRC = 5 cycles Command RDA LAL Bank, Address Bank, UA LA IRCD = 1 cycle IREFC = 19 cycles DESL WRA IRAS = 4 cycles REF DESL IRCD = 1 cycle QS (output) CL = 4 DQ (output) Hi-Z 注: Hi-Z Q0 Q1 Q2 Q3 CL = 4 の場合、IREFC は 19 クロックサイクル必要です。 オートリフレッシュ動作を実行する場合は、tREFI で規定されているオートリフレッシュコマンドの総合 的な平均間隔を満たさなければなりません。 tREFI は任意のサンプリングされた 8 回のオートリフレッシュにおけるコマンド平均間隔時間です。 t1 t2 t3 t7 t8 CLK WRA REF WRA REF WRA REF WRA REF WRA REF 8 Refresh cycle tREFI = Total time of 8 Refresh cycle 8 = t1 + t2 + t3 + t4 + t5 + t6 + t7 + t8 8 tREFI はリードやライト動作よりも活性化する領域が大きいリフレッシュ動作で部分的に電流が集中す る事を避けるために規定されています。 Rev 1.4 2005-11-08 49/65 TC59LM836DKG-33,-40 セルフリフレッシュエントリータイミング Unidirectional DS/QS mode 0 1 2 3 4 m−1 5 m+1 m CLK CLK IRCD = 1 cycle WRA Command IREFC REF DESL tFPDL (min) tFPDL (max) PD Auto Refresh Self Refresh Entry IPDV *2 tQPDH QS (output) ICKD Hi-Z Low DQ (output) Hi-Z Qx 注: 1. 部分は不定レベルを示します。 2. セルフリフレッシュエントリーするには PD を tFPDL(min)と tFPDL(max)の間で必ずローにして下さ い。もし lPDV 後にローにするとオートリフレッシュ実行後にパワーダウンモードエントリーを行い ます。 PD が tFPDL(max)と lPDV の間でローとなった場合はオートリフレッシュ後にセルフリフレッ シュモードまたはパワーダウンモードにエントリーします。 3. セルフリフレッシュエントリーで PD がロー状態になっていても REF コマンドから少なくとも lCKD 分はクロック入力を続ける必要があります。 4. ライト動作後にセルフリフレッシュエントリーする場合、WRA の次の LAL から REF コマンドまで の最小ディレイ時間はライトレイテンシ(WL)+2 クロックです。 セルフリフレッシュイグジットタイミング Unidirectional DS/QS mode 0 1 2 m−1 m+1 m m+2 n−1 n n+1 p−1 p CLK CLK *2 IREFC *3 DESL Command IREFC WRA *4 REF *4 Command (1st)*5 Command (2nd)*5 DESL IRCD = 1 cycle RDA *6 LAL *6 IRCD = 1 cycle PD tPDEX ILOCK QS (output) Hi-Z DQ (output) Hi-Z Low Self-Refresh Exit 注: 1. 部分は不定レベルを示します。 2. セルフリフレッシュ中にクロック入力を停止されている場合は、PD をハイ状態にする前にクロッ ク入力を安定させて下さい。 3. PD をハイ状態にした後 IREFC 相当分の DESL コマンドを入力して下さい。 4. セルフリフレッシュイグジット直後、いかなる他の動作を実行するよりも前にオートリフレッシュ サイクルを一回実行する必要があります。 5. リードコマンドを除く他のコマンドは IREFC 後から入力可能です。 6. リードコマンド(RDA + LAL)は ILOCK 後から入力可能です。 Rev 1.4 2005-11-08 50/65 TC59LM836DKG-33,-40 セルフリフレッシュエントリータイミング Unidirectional DS/Free Running QS mode 0 1 2 3 4 m−1 5 m+1 m CLK CLK IRCD = 1 cycle WRA Command IREFC REF DESL tFPDL (min) tFPDL (max) PD Auto Refresh Self Refresh Entry IPDV *2 tQPDH ICKD QS (output) Hi-Z DQ (output) Hi-Z Qx 注: 部分は指定無し。 1. 2. セルフリフレッシュエントリーするには PD を tFPDL(min)と tFPDL(max)の間で必ずローにして下 さい。もし lPDV 後にローにするとオートリフレッシュの実行後にパワーダウンモードエントリー を行います。 PD が tFPDL(max)と lPDV の間でローとなった場合はオートリフレッシュ後にセルフ リフレッシュモードまたはパワーダウンモードにエントリーします。 3. セルフリフレッシュエントリーで PD がロー状態になっていても REF コマンドから少なくと lCKD 分はクロック入力を続ける必要があります。 セルフリフレッシュイグジットタイミング Unidirectional DS/Free Running QS mode 0 1 2 m−1 m+1 m m+2 n−1 n n+1 p−1 p CLK CLK *2 IREFC *3 DESL Command IREFC WRA *4 REF *4 Command (1st)*5 Command (2nd)*5 DESL IRCD = 1 cycle RDA *6 LAL *6 IRCD = 1 cycle PD tPDEX ILOCK QS (output) DQ (output) Hi-Z Self-Refresh Exit 注: 1. 部分は指定無し。 2. セルフリフレッシュ中にクロック入力を停止されている場合は、PD をハイ状態にする前にクロッ ク入力を安定させて下さい。 3. PD をハイ状態にした後 IREFC 相当分の DESL コマンドを入力して下さい。 4. セルフリフレッシュイグジット直後、いかなる他ほ動作を実行するよりも前にオートリフレッシュ サイクルを一回実行する必要があります。 5. リードコマンドを除く他のコマンドは IREFC 後から入力可能です。 6. リードコマンド(RDA + LAL)は ILOCK 後から入力可能です。 7. セルフリフレッシュイグジットから DLL ロックまでは QS 出力は無効となります。 Rev 1.4 2005-11-08 51/65 TC59LM836DKG-33,-40 機能説明 TM Network FCRAM FCRAMTM は Fast Cycle Random Access Memory の略語です。 FCRAMTM は高速ランダムコアアクセス、ローレイテンシ、低消費電力、高速データ転送能力を備えたメモリです。 ピン機能 クロック入力: CLK & CLK CLK と CLK 入力は同期式動作の基準クロックとして使用されます。 CS 、FN と全アドレス入力は、CLK の立ち 上がりエッジと CLK の立ち下がりエッジの交差点で取り込まれます。QS と DQ 出力データは、CLK と CLK の交差 点から出力されます。差動クロックのタイミング基準点は、CLK と CLK の遷移信号が交差する点になります。 パワーダウン: PD PD 入力はパワーダウン及びセルフリフレッシュモードの制御に行います。 PD 入力は、標準 SDRAM の CKE 入 力のようなクロックサスペンド機能は備えていません。そのため、リードやライト動作中に PD を低レベルにする事 は避けてください。 チップセレクト&ファンクションコントロール: CS & FN CS と FN 入力は FCRAMTM の動作コマンドを形成するための制御信号です。各動作モードは、 CS と FN 入力に よる 2 つの連続した動作コマンドの組み合わせによって決定します。 バンクアドレス: BA0 & BA1 BA0 と BA1 入力は、RDA コマンドや WRA コマンド入力時に取り込まれ、動作するバンクに選択されます。また モードセットレジスタコマンドにおいてどのモードレジスタへセットするかを選択します。(MRS または EMRS) BA0 BA1 Bank #0 0 0 Bank #1 1 0 Bank #2 0 1 Bank #3 1 1 アドレス入力: A0~A13 アドレス入力は、各バンクにおけるメモリセル領域の任意アドレスへアクセスするために使われます。アッパーア ドレスはバンクアドレスと共に RDA や WRA コマンド入力時に取り込まれ、ロワーアドレスは LAL コマンド入力時 に取り込まれます。A0~A13 入力は、レギュラーモードレジスタセットやエクステンディッドモードレジスタセット におけるデータセットにも使用されます。 I/O 構成 アッパーアドレス ロワーアドレス 36 ビット A0~A13 A0~A6 Rev 1.4 2005-11-08 52/65 TC59LM836DKG-33,-40 データ入出力: DQ0~DQ35 DQ0∼DQ35 の入力データは、DS 入力信号の立ち上がり/立ち下がりの両エッジに同期して取り込まれます。 DQ0∼DQ35 の出力データは、QS 出力信号の立ち上がり/立ち下がりの両エッジに同期して出力されます データストローブ: LDS、UDS、LQS、UQS データストローブの方式はエクステンディッドモードレジスタにより選ばれます。LDS と LQS は DQ0∼DQ17 デー タに、UDS と UQS は DQ18∼DQ35 データに対して割り当てられています。 (1) Unidirectional DS / QS モード DS は入力、QS は出力信号です。ライト動作では DS の立ち上がり/立ち下がりの両エッジがライトデータ の取り込みのために利用されます。 リード動作では QS の立ち上がり/立ち下がりの両エッジが出力データの ストローブ信号として使われます。ライト、オートリフレッシュ、そして NOP サイクルでは QS は常にロー レベル、セルフリフレッシュ中では、ハイインピーダンス状態となります。 (2) Unidirectional DS / Free running QS モード DS は入力、QS は出力信号です。ライト動作では DS の立ち上がり/立ち下がりの両エッジがライトデータ の取り込みのために利用され、リード動作では QS の立ち上がり/立ち下がりの両エッジが出力データのスト ローブ信号として使われます。QS はセルフリフレッシュを除き、常にトグル信号となっています。このスト ローブタイプは”Pin to pin”接続アプリケーションに容易に利用できます。 電源端子: VDD、VDDQ、VSS、VSSQ VDD と VSS はメモリコアと周辺回路の電源端子です。 VDDQ と VSSQ は出力バッファ用の電源端子です。 入力電圧: VREF VREF は入力における基準電圧です。 Rev 1.4 2005-11-08 53/65 TC59LM836DKG-33,-40 コマンド機能と動作 TC59LM836DKG は、2 つの連続したコマンド入力方式を採用しています。パワーダウンモードを除く各動作モード は、スタンドバイ状態のバンクに対する 1 番目のコマンドと 2 番目のコマンドの組み合わせによって決定されます。 リード動作 (1 番目のコマンド+ 2 番目のコマンド = RDA + LAL) アイドル状態からのバンクに対してバンクアドレス/アッパーアドレスと共に RDA コマンドを入力する事により、 バンクアドレスで指定されたバンクはリードモードに入ります。そして、RDA コマンド入力の次のクロックサイクル (CLK 立ち上がりエッジ)においてロワーアドレスと共に LAL コマンドを入力することにより、QS 出力信号の立ち上 がり/立ち下がりの両エッジに同期して連続的にデータが出力されます(バーストリード動作)。最初の有効なリード データは、LAL コマンドの入力されたクロックから CAS レイテンシ後に出力され、バースト長分のデータが連続し て出力されます。 CAS レイテンシ、バースト長、バーストタイプは、事前にモードレジスタに設定しておく必要があ ります。リード動作中のバンクは、RDA コマンドから lRC 後に自動的にアイドル状態に戻ります。 ライト動作 (1 番目のコマンド+ 2 番目のコマンド = WRA + LAL) アイドル状態のバンクに対してバンクアドレス/アッパーアドレスと共に WRA コマンドを入力する事により、バン クアドレスで指定されたバンクはライトモードに入ります。そして、WRA コマンド入力後の次のクロックサイクル (CLK 立ち上がり)においてロワーアドレスと共に LAL コマンドを入力する事で、入力データは DS 入力信号の立ち 上がり/立ち下がりの両エッジに同期して連続的にラッチされます(バーストライト動作)。データと DS の入力信号は LAL コマンドが入力されたクロックから CAS レイテンシ−1 後のクロック入力と共に供給する必要があります。ライ トのデータ長は LAL コマンド時のバリアブルライト(VW)の指定で決まります。DS はバースト長分供給してくださ い。 CAS レイテンシ、バースト長、バーストタイプは、事前にモードレジスタに設定しておく必要があります。ラ イト動作中のバンクは、WRA コマンドから lRC 後に自動的にアイドル状態に戻ります。 オートリフレッシュ動作 (1 番目のコマンド+ 2 番目のコマンド = WRA + REF) TC59LM836DKG は、標準 SDRAM と同様にリフレッシュ動作が必要です。WRA コマンドに続けて REF コマン ドを入力するとオートリフレッシュ動作が開始されます。オートリフレッシュモードは、全てのバンクがアイドル状 態で、ある時に有効となります。WRA コマンドで開始されたライトモードは、WRA コマンドの次のクロック(CLK 立ち上がり)で LAL コマンドの換わりに REF コマンドが入力される事でキャンセルされます。オートリフレッシュ コマンドから次のコマンドまでは lREFC で定義されています。また、オートリフレッシュコマンド入力の平均間隔に ついては注意が必要です。オートリフレッシュコマンドの入力は、最大 3.9µs に一回必要です。集中リフレッシュあ るいはランダムな分散リフレッシュの場合、任意の 8 回連続したオートリフレッシュコマンドは平均間隔が常に 400ns 以上になるようにしてください。この場合、3.2µs(8×400ns)以内で実行可能なオートリフレッシュサイクル数 は最大 8 回までになります。 セルフリフレッシュ動作 (1 番目のコマンド+ 2 番目のコマンド = WRA + REF with PD = “L”) セルフリフレッシュ動作では、内部タイマを用いてリフレッシュ動作が自動的に実行されます。全てのバンクがア イドル状態でかつ出力がハイインピーダンス状態の時に、セルフリフレッシュコマンドを入力することによりセルフ リフレッシュモードに入ります。セルフリフレッシュモードに入る為には、WRA コマンドに続けて REF コマンドか ら tFPDL で定義されている時間内に PD を”Low”にする必要が有ります。リフレッシュの周期を満足するためにセル フリフレッシュエントリーコマンドは、最後に挿入されたオートリフレッシュコマンドから 3.9µs 以内に入力する必 要があります。一度セルフリフレッシュに入ると lREFC の期間分 DESL コマンドを続けなければなりません。加え て、クロック入力は lCKD で定義される期間継続して下さい。セルフリフレッシュモード中は、 PD を除く全ての入 出力バッファは非活性状態になりますので、消費電力を抑えることができます。セルフリフレッシュモードイグジッ トに関しては、PD は DESL コマンドと共に”Low”から”High”へ切り替えて下さい。DESL コマンドは lREFC で定義 されるクロック数分絶え間なく入力する必要があります。セルフリフレッシュイグジットから lREFC 後に 1 回オート リフレッシュコマンドを入力する必要があります。 パワーダウンモード ( PD = “L”) 全てのバンクがアイドル状態でかつ全ての出力がハイインピーダンス状態の時に、 PD を”Low”とすることでパ ワーダウンモードになります。パワーダウンモードに入ると、 PD 、CLK、 CLK 、QS を除く全ての入出力バッファ は一定時間後に非活性状態となりますので、消費電力を抑えることが可能となります。パワーダウンモードから抜け るには、PD を”High”に切替えます。その後 lPDA サイクルの間 DESL コマンドを入力しなければなりません。パワー ダウンイクジットは非同期動作です。 Rev 1.4 2005-11-08 54/65 TC59LM836DKG-33,-40 モードレジスタセット (1 番目のコマンド+ 2 番目のコマンド= RDA + MRS) 全てのバンクがアイドル状態の時に、RDA コマンドに続いて MRS コマンドを入力することでモードレジスタに所 望の基本動作形態を設定することができます。RDA コマンドで開始されたリードモードは、RDA コマンドの次のク ロック(CLK 立ち上がりエッジ) で LAL コマンドの替わりに MRS コマンドが入力する事でキャンセルされます。 モー ドレジスタへ設定するためのデータは、A0~A13、BA0 及び BA1 のアドレス入力ピンを用いて設定されます。 TC59LM836DKG にはレギュラーとエクステンディッドモードレジスタがあります。レギュラーモードレジスタかエ クステンディッドモードレジスタの選択は、MRS コマンド時の BA0 か BA1 によって選択されます。レギュラーモー ドレジスタは、リードやライトサイクルの動作モードを指定します。レギュラーモードレジスタは、4 つの機能領域 を持っています。 4 つの機能領域には以下のものがあります。 (R-1) バーストデータ長を設定する為のバースト長領域。 (R-2) バーストサイクル中の下位アドレスのアクセス順序を指定するバーストタイプ領域。 (R-3) クロックサイクルにおけるアクセス時間を設定する CAS レイテンシ領域。 (R-4) テストモード領域。 一方エクステンディッドモードレジスタは 3 つの機能領域を持っています。 (E-1) DLL のイネーブル/ディセーブルのどちらかを選択する為の DLL スイッチ領域。 (E-2) アウトプットドライバコントロール領域。 (E-3) データストローブタイプ領域。 モードレジスタ内のこれらの領域に1度設定されると、レジスタの内容は他の MRS コマンドで再びモードレジス タを設定するか電源を OFF にするまで維持します。パワーアップ後のレギュラー及びエクステンディッドモードレ ジスタの初期値は不定の為、所望の動作を行う前にモードレジスタセットコマンドで設定する必要があります。 • レギュラーモードレジスタ/エクステンディッドモードレジスタ切り替えビット (BA0, BA1) これらのビットはレギュラーMRS かエクステンディッド MRS かを選択する為に使います。 BA1 BA0 Mode Register Set 0 0 Regular MRS 0 1 Extended MRS 1 × Reserved レギュラーモードレジスタ領域 (R-1) バースト長領域 (A2 ∼ A0) この領域は A2 ∼ A0 を使用してカラムアクセスの為のデータ長を定義し、バースト長を 2 ワードか 4 ワードに 設定します。 A2 A1 A0 BURST LENGTH 0 0 0 Reserved 0 0 1 2 words 0 1 0 4 words 0 1 1 Reserved 1 × × Reserved (R-2) バーストタイプ領域(A3) バーストタイプはインターリーブモードかシーケンシャルモードかを選択することができます。A3 に”0”を設 定した場合にはシーケンシャルモードが選択され、A3 に”1”を設定するとインターリーブモードが選択されま す。どちらのバーストタイプも 2 ワードと 4 ワード両方のバースト長に対応しています。 A3 BURST TYPE 0 Sequential 1 Interleave Rev 1.4 2005-11-08 55/65 TC59LM836DKG-33,-40 • シーケンシャルモード時のアドレッシング順序 (A3) カラムアクセスは入力された下位アドレスから開始し、順に増加(+1)しながらアクセスしていきます。アドレ スはバースト長によって下表のように移行していきます。 CAS Latency = 4 (Free Running QS mode) CLK CLK Command RDA LAL QS Data Data Data Data 0 1 2 3 DQ Addressing sequence for Sequential mode • DATA ACCESS ADDRESS BURST LENGTH Data 0 n Data 1 n+1 2 ワード(アドレスビットは LA0) LA0 から LA1 へのキャリーは無し Data 2 n+2 Data 3 n+3 4 ワード(アドレスビットは LA1, LA0) LA1 から LA2 へのキャリーは無し インターリーブ時のアドレッシング順序 カラムアクセスは入力された下位アドレスから開始し、下表に示すような順序でアドレスをアクセスしていき ます。 Addressing sequence for Interleave mode DATA (R-3) ACCESS ADDRESS BURST LENGTH Data 0 ּּּA8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Data 1 ּּּA8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Data 2 ּּּA8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 Data 3 ּּּA8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 2 ワード 4 ワード CAS レイテンシ領域 (A6 ∼ A4) この領域は、RDA コマンドに続く LAL コマンド入力から最初にリードデータが出力されるクロックサイクル 数を定義します。 CAS レイテンシと CLK 周波数は互いに依存します。ライト動作モードでは、入力すべきラ イトデータのクロック数は LAL コマンドから CAS レイテンシ−1 となります。 A6 A5 A4 CAS LATENCY 0 0 0 Reserved 0 0 1 Reserved 0 1 0 Reserved 0 1 1 Reserved 1 0 0 4 1 0 1 5 1 1 0 6 1 1 1 Reserved (R-4) テストモード領域 (A7) このビットはテストモードエントリーに使用されますので、通常動作の際には“0”に設定しておかなければな りません。 (R-5) レギュラーモードレジスタでの予約領域 • 予約ビット (A8 ∼ A13) これらのビットは将来用いられる可能性のある動作の為に予約されているものですので、通常動作の際に は“0”に設定して下さい。 Rev 1.4 2005-11-08 56/65 TC59LM836DKG-33,-40 エクステンディッドモードレジスタ領域 (E-1) DLL スイッチ領域 (A0) このビットは DLL を作動させる為に使用されます。この A0 に“0”を設定することで DLL を作動させる選択 をします。 (E-2) 出力ドライバコントロール領域 (A1 ∼ A4) これらのビットは出力ドライバの選択のために使用され、3 つの出力タイプがサポートされています。 QS と DQ の出力ドライバは個々に選択可能です。A2 ∼ A1 は DQ 出力ドライバ、A4 ∼ A3 は QS ドライバを 定義します。 QS DQ OUTPUT DRIVER IMPEDANCE CONTROL A4 A3 A2 A1 0 0 0 0 Normal Output Driver 0 1 0 1 Strong Output Driver 1 0 1 0 Weak Output Driver 1 1 1 1 Reserved (E-3) ストローブ領域 (A6 / A5) 2 タイプのデータストローブがサポートされています。この領域はデータストローブタイプの選択に使用され ます。 (1) Unidirectional DS/QS モード データストローブはライトストローブの DS とリードストローブの QS に分離されています。DS はラ イト動作時のデータラッチに、QS はリード動作時の出力データトリガとして使われます。 (2) Unidirectional DS/ Free running QS モード データストローブはライトストローブの DS とリードストローブの QS に分離されています。 DS はライト動作時のデータラッチに使われます。QS はリード動作時の出力データトリガであり常にク ロッキングしています。 A6 A5 STROBE SELECT 0 0 Reserved 0 1 Reserved 1 0 Unidirectional DS/QS mode 1 1 Unidirectional DS/Free running QS mode (E-4) 予約領域 (A7 ∼ A13) これらのビットは将来用いられる可能性のある動作の為に予約されているものですので、通常動作の際には “0”に設定しておいて下さい。 Rev 1.4 2005-11-08 57/65 TC59LM836DKG-33,-40 バウンダリスキャンテストアクセスポート IEEE 標準 1149.1 – 1990 に基づいて TAP (the serial boundary scan test access port)を搭載していますが、1149.1 – 1990 に示されている全ての機能を搭載しているわけではありません。なお、TAP を非活性にするためには TCK は VSS または VDD に接続しなければなりません(TCK は内部でプルアップされています)。 テストアクセスポート信号 記 号 機 能 全てのテストアクセスポートに TCK の立ち上がりエッジに同期してテストロ ジックに取り込まれます。TAP を非活性にするためには TCK を VSS または VDD に接続する必要があります。 TCK テストクロック入力 TMS TCK 立ち上がり時の論理値によってテスト状態の遷移を制御します。TMS 入 テストモードセレクト入力 力はフローティング入力を Test-Logic-Reset とみなすために内部でプルアッ プされています。 TDI テストデータ入力 TDI 入力のデータは TCK の立ち上がりエッジに同期して取り込まれ、TAP で選 択されたレジスタにシフトインされます。TDI 入力は TDI 端子のオープンが検 査できるように内部でプルアップされています。 TDO テストデータ出力 選択されたレジスタ(インストラクションまたはテストデータ)のデータが TCK の立ち下がりに同期して TDO からシフトアウトされます テストアクセスポートレジスタ レジスタ名 記 インストラクションレジスタ 号 ビット長 機 能 IR [ 2 : 0 ] 3 5 種類のインストラクションレジスタを制御します。 (EXTEST、Sample-Z、Sample、Bypass、ID code). IDR [ 31 : 0 ] 32 Revision 番号、容量構成、TOSHIBA ID 番号の情報が入って います。 BR 1 TDI と TDO の間をバイパスして接続します。 BSR [ 62 : 0 ] 63 各入力ピンと各 DQ ピンに接続されたバウンダリスキャンセ ル(BSC)から構成されます。各 BSC は TDI と TDO の間にシ リアル接続されます。 テストデータレジスタ ID レジスタ バイパスレジスタ バウンダリスキャンレジスタ TAP コントローラインストラクションセット IR2 IR1 IR0 インストラクション 0 0 0 EXTEST プリロードしたデータを出力ピンから出力します。入力データを BSC に取 り込みます。 0 0 1 ID CODE ID code をアクセスします。 0 1 0 SAMPLE – Z 全ての出力は Hi-Z となり、入力データを BSC に取り込みます。 0 1 1 RESERVED 使用できません。 1 0 0 SAMPLE 1 0 1 RESERVED 使用できません。 1 1 0 RESERVED 使用できません。 1 1 1 BYPASS 機 能 回路動作に影響を与えることなく、入力データを BSC に取り込みます。DQ 端子でデータを取り込んで、BSC 出力のパラレルレジスタにロードします。 この場合、出力は Hi-Z となりません。 TDI と TDO をバイパス接続します。 注: TDI 入力のデータは、最小ビット(IR0)から順番にインストラクションレジスタにシフトインされます。 Rev 1.4 2005-11-08 58/65 TC59LM836DKG-33,-40 ID レジスタ BIT # 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 値 0 0 0 1 0 1 1 0 内容 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 メモリタイプ 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 1 固 TOSHIBA ID 番号 定 バウンダリスキャンオーダー BIT ボールレイアウト ボール名 BIT ボールレイアウト ボール名 0 U10 DQ35 30 B10 DQ0 1 U11 DQ34 31 B3 DQ17 2 T10 DQ33 32 B2 DQ16 3 T11 DQ32 33 C3 DQ15 4 R10 DQ31 34 C2 DQ14 5 R11 DQ30 35 D3 DQ13 6 P10 DQ29 36 7 P11 DQ28 37 D2 DQ12 8 N10 DQ27 38 E3 DQ11 9 N11 UQS 39 E2 DQ10 10 M3 A4 40 F3 DQ9 11 M11 A3 41 F2 LDS 12 L10 A2 42 G3 /CLK 13 L11 A1 43 H3 CLK 14 K10 A0 44 H2 /PD 15 K11 A10 45 J2 A12 16 J10 BA1 46 J3 A11 17 J11 BA0 47 K2 A9 18 G10 A13 48 K3 A8 19 G11 FN 49 L2 A7 20 H10 /CS 50 L3 A6 21 F11 LQS 51 M2 A5 22 F10 DQ8 52 N2 UDS 23 E11 DQ7 53 N3 DQ26 24 E10 DQ6 54 P2 DQ25 25 D11 DQ5 55 P3 DQ24 26 D10 DQ4 56 R2 DQ23 27 C11 DQ3 57 28 C10 DQ2 58 R3 DQ22 29 B11 DQ1 59 T2 DQ21 60 T3 DQ20 61 U2 DQ19 62 U3 DQ18 Rev 1.4 2005-11-08 59/65 TC59LM836DKG-33,-40 タップコントローラステート図 TMS = 1 Test – Logic - Reset TMS = 0 TMS = 0 Run – Test / Idle TMS = 1 Select – DR - Scan TMS = 1 Select – IR - Scan TMS = 0 Capture - DR TMS = 0 TMS = 1 Capture - IR TMS = 1 TMS = 0 TMS = 0 Shift - DR TMS = 0 TMS = 1 Exit1 - DR TMS = 1 Exit1 - IR TMS = 0 TMS = 0 Pause - DR TMS = 0 TMS = 0 Shift - IR TMS = 1 TMS = 1 TMS = 1 TMS = 0 Pause - IR TMS = 1 TMS = 1 TMS = 0 Exit2 - DR TMS = 0 TMS = 1 Exit2 - IR TMS = 1 Update - DR Update - IR TMS = 0 TMS = 1 TMS = 1 TMS = 0 注: 1. 2. デバイスをイニシャライズして Test-Logic-Reset 状態へ入れるには、TMS を最大 5 サイクル以上 High にして下さい。 TDO 出力バッファはシフト動作(Shift-DR、Shift-IR)のときのみアクティブとなり、その他の状態ではハイインピーダンスと なります。 Rev 1.4 2005-11-08 60/65 TC59LM836DKG-33,-40 TAP DC 特性 記 号 項 目 ILO 出力リーク電流 (TDO ピン) II 入力リーク電流 (TCK、TMS、TDI ピン) 条 件 最 小 標 準 最 大 単 位 出力非選択状態 VOUT=0 to VDD −10 10 µA VIN = 1.7V to VDD −20 10 µA VIN = 0 to 0.7V −100 10 µA VIH 高レベル入力電圧 (TCK、TMS、TDI ピン) VREF+0.4 VDD+0.2 V VIL 低レベル入力電圧 (TCK、TMS、TDI ピン) −0.1 VREF−0.4 V VOH 高レベル出力電圧 (TDO ピン) IOH = −2 mA 1.5 VDD V VOL 低レベル出力電圧 (TDO ピン) IOL = 2 mA 0.45 V TAP AC 特性 ( VDD = 2.5V ± 0.125V, VDDQ = 1.4V ~ 1.9V, TCASE = 0 ~ 85°C) 記 号 項 目 最 小 最 大 tTHTH TCK サイクル時間 50 tTHTL TCK 高パルス幅 20 tTLTH TCK 低パルス幅 20 tMVTH TMS セットアップ時間 10 tTHMX TMS ホールド時間 10 tCS キャプチャーセットアップ時間 10 tCH キャプチャーホールド時間 10 tDVTH TDI セットアップ時間 10 tTHDX TDI ホールド時間 10 tTLQV TCK アクセス時間 20 tTLQX TCK 出力ホールド時間 0 tTLQLZ TCK 出力イネーブル時間 5 tTLQHZ TCK 出力ディセーブル時間 5 単 位 ns Rev 1.4 2005-11-08 61/65 TC59LM836DKG-33,-40 TAP AC テスト条件 項 目 条 入力パルスレベル 件 TDO Z = 50 Ω 1.8V / 0.0V RL = 50 Ω 入力パルス立ち上がり、立ち下がり時間 2ns 入力タイミング測定比較レベル 0.9V 出力タイミング測定比較レベル 0.9V VL = 0.9V 出荷負荷 TAP タイミング図 tTHTH tTHTL tTLTH TCK tMVTH tTHMX TMS tDVTH tTHDX TDI tCS tCH Capture Data tTLQLZ tTLQV tTLQX tTLQHZ TDO Rev 1.4 2005-11-08 62/65 TC59LM836DKG-33,-40 外形図 P-TFBGA144-1119-0.80BZ 18.5 0.2 S B 0.2 S A 11.0 4 0.15 0.2 S S 1.2MAX 0.4 0.05 0.15MIN 0.1 S 0.5 0.05 0.08 S AB 0.75 V U T R P N M L K J H G F E D C B A INDEX A 0.8 B 2.0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 2.0 1.1 0.5 重量: 1.0 0.30g (標準) Rev 1.4 2005-11-08 63/65 TC59LM836DKG-33,-40 変更履歴 − Rev.1.3 (2005 年 3 月 7 日) 初版発行。この無鉛製品のデータシートの内容に関して、有鉛製品(品名:TC59LM836DMB)との違いは品名と 1ページ目の無鉛品に関するコメントだけです。 − Rev 1.4 (2005 年 11 月 8 日) • “-30”( 333MHz clock / 666Mbps )version を廃止。 Rev 1.4 2005-11-08 64/65 TC59LM836DKG-33,-40 当社半導体製品取り扱い上のお願い 030519TBA • 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」など でご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業 用ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障 や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機 器、交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” という) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途 に使用することは、お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている製品は、外国為替および外国貿易法により、輸出または海外への提供が規制されている ものです。 • 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則および命令により製造、販売を禁止されている応用製品に 使用することはできません。 • 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 Rev 1.4 2005-11-08 65/65