F11F60CPM データシート

Title:MOSFET_201007.ec9
Page:4
Date:
2014/04/28
Mon
14:06:31
PowerMOSFET
■外観図
F11F60CPM
OUTLI
NE
Package:FTO220A
(3pi
n)
10.0
ロット記号
(例)
Date code
600V11A
t
:mm
Uni
4.5
特 長
品名略号
Type No.
煙低オン抵抗
煙絶縁タイプ
15.0
(例)
管理番号
Control No.
0000
3.45
Feat
ur
e
煙LowRON
煙I
s
ol
at
edPackage
2.54
13.5
11F60CPM
①: G
②:D
③: S
2.54
①②③
捺印表示については捺
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。
印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
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cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
mar
■定格表 RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geT
e
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
T
e
mpe
r
a
t
ur
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ゲート・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ドレイン電流(直流)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
ソース電流(直流)
Cont
i
nuousSour
c
eCur
r
e
nt(
DC)
全損失
T
ot
a
l
Powe
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s
s
i
pa
t
i
on
絶縁耐圧
Di
e
l
e
c
t
r
i
cSt
r
e
ngt
h
締め付けトルク
Mount
i
ngT
or
que
●電気的・熱的特性
項
ドレイン・ソース間降伏電圧
Dr
a
i
nSour
c
eBr
e
a
k
downVol
t
a
ge
ドレイン遮断電流
Ze
r
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t
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ゲート漏れ電流
Ga
t
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r
e
nt
順伝達コンダクタンス
For
wa
r
dT
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ns
c
onduc
t
a
nc
e
ドレイン・ソース間オン抵抗
St
at
i
cDr
ai
nSour
ceOns
t
at
eRes
i
s
t
ance
ゲートしきい値電圧
Ga
t
eThr
e
s
s
hol
dVol
t
a
ge
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Sour
c
e
Dr
a
i
nDi
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wa
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t
a
ge
熱抵抗
The
r
ma
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Re
s
i
s
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a
nc
e
ゲート全電荷量
T
ot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
Re
v
e
r
s
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r
a
ns
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e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
T
ur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
T
ur
nof
fde
l
a
yt
i
me
下降時間
Fa
l
l
t
i
me
p
07〉)
04)
(MOS〈2010.
(2014.
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
Tc
h
1
5
0
VDSS
6
0
0
VGSS
±3
0
I
D
I
DP
A
1
1
PT
TOR
V
3
3
I
S
Vdi
s
℃
1
1
パルス幅 1
0
μs
,
dut
y=1
/
1
0
0
Pul
s
eme
a
s
ur
e
me
nt
,10µs
,dut
y=1/
100
一括端子・ケース間,AC1分間印加
T
e
r
mi
na
l
st
oc
a
s
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,AC1mi
nut
e
(推奨値:0
.
3N
・m)
(
Re
c
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0.
3N
・m)
El
ect
r
i
calChar
act
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i
s
t
i
cs
(指定のない場合
目
I
t
em
Tc=2
5
℃/Unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
記号
Sy
mbol
5
0
W
2
kV
0
.
5
N・m
Tc= 2
5
℃/Unl
e
s
so
t
he
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wi
s
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pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
V
mA,
VGS=0
V
(BR)
DSS I
D=1
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
6
0
0
─
─
単位
Uni
t
V
I
DSS
VDS=6
0
0
V,
VGS=0
V
─
─
1
0
I
GSS
VGS= ±3
0
V,
VDS=0
V
─
─
±0
.
1
gf
s
I
.
5
A,
VDS=1
0
V
D=5
4
.
5
9
─
S
─
0
.
2
7
0
.
3
Ω
R
.
5
A,
VGS=1
0
V
(DS)
ON I
D=5
μA
VTH
I
mA,
VDS=1
0
V
D=1
2
.
5
3
.
0
3
.
5
VSD
I
.
5
A,
VGS=0
V
S=5
─
─
1
.
5
θj
c
接合部・ケース間
J
unc
t
i
ont
oc
a
s
e
─
─
2
.
5
℃/
W
Qg
VGS=1
0
V,
I
1
A,
VDD=4
0
0
V
D=1
─
2
2
─
nC
Ci
s
s
─
1
1
0
0
─
Cr
s
s VDS=1
0
0
V,
VGS=0
V,
f
=1
MHz
─
2
.
5
─
Co
s
s
─
6
0
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d
(o
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2
0
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t
r
─
2
5
─
─
8
0
─
─
2
5
─
I
.
5
A,
VDD=1
5
0
V,
RL=2
7
.
3
Ω
D=5
=
1
0
V
,
V
=
0
V
V
G
S
(
+)
G
S
(
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t
d
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f
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pr
oduc
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s
emi
/
V
pF
ns
Title:MOSFET_201007.ec9
Page:5
Date:
2014/04/28
Mon
14:06:32
F11F60CPM
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
22
VGS
GS=1
0V
8V
20
22
Tc=25℃
TYP
20 Tc=−55℃
25℃
100℃
Drain Current ID〔A〕
Drain Current ID〔A〕
Pulse measurement
VGS
GS=6
=6V
15
10
VGS
GS=5
=5V
5
0
0
4
6
15
10
5
VDS=20V
TYP
Pulse measurement
GS=4V
VGS
2
150℃
8
0
0
10
Drain Source Voltage VDS〔V〕
5
15
10
20
Gate Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
1
ID=5
=55
. A
0.
1
0.
01
−55
5
Pulse measurement
0
50
VGS=10V
Pulse test
TYP
100
150
Case Temperature Tc〔℃〕
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
Pulse measurement
2
1
0.
5
0.
2
0.
1
0.
5
2
1
5
Drain Current ID〔A〕
Pulse measurement
100
33
22
3
2
1
VDS=10V
ID=1mA
TYP
−55
0
50
100
Case Temperature Tc〔℃〕
150
11
10μs
on)
RDS(on)
Restricted space
100μs
200μs
1
1ms
10ms
0.
1
DC
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
1
10
100
全損失減少率 ─ケース温度
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
10-2
10-1
Time t〔s〕
100
101
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
102
100
Ci
s
s
80
Power Derating〔%〕
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
キャパシタンス特性
10-3
600
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Transient Thermal Impedance
10-5 10-4
22
Safe Operating Area
過渡熱抵抗
θjc
θjc
10
安全動作領域
4
0
5
0.
05
0.
1 0.
2
Drain Current ID〔A〕
10
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
Cos
s
Crs
s
60
40
20
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
0
100
200
300
400
500
Drain Source Voltage VDS〔V〕
600
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔 ℃〕
150
ゲートチャージ特性
Drain Source Voltage VDS〔V〕
500
400
ID=11A
TYP
20
VDS
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Gate Charge Characteristics
15
VDD=4
=400V
200V
100V
300
VGS
GS
10
200
5
100
0
0
8
16
24
32
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
40
*Si
newa
veは5
0
Hzで測定しています。
*50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
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pr
oduc
t
/
s
emi
/
p
07〉(
04)
(MOS〈2010.
)2014.
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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