PowerMOSFET ■外観図 F11S80C3 OUTLI NE Package：STO220 10.2 ロット記号 （例） Date code ④ （例） 管理番号 Control No. 特 長 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙面実装タイプ 品名略号 Type No. 00 00 13.2 800V11A t ：mm Uni 11S80C3 Feat ur e 4.7 煙LowRON 煙Fas tSwi t chi ng 煙SMDPackage ①: G ②:D ③: S ④:D ① ② ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on ●電気的・熱的特性 項 Tc＝2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 8 0 0 VGSS ±3 0 I D I DP ℃ V 1 1 パルス幅 10 μs ,dut y=1/ 100 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 3 3 A I S 1 1 PT 5 0 W 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em 規格値 Rat i ngs 記号 Sy mbol Tc＝ 2 5 ℃） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 8 0 0 ─ ─ V I DSS VDS＝8 0 0 V, VGS＝0 V ─ ─ 2 5 I GSS VGS＝ ±3 0 V, VDS＝0 V ─ ─ ±0 . 1 gf s I . 5 A, VDS＝1 0 V D＝ 5 4 . 2 8 . 3 ─ S ─ 0 . 3 9 0 . 4 5 Ω R . 5 A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 5 μA VTH I . 5 mA, VDS＝1 0 V D＝ 0 2 . 1 3 . 0 3 . 9 VSD I . 5 A, VGS＝0 V S＝ 5 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 2 . 5 ℃/ W Qg VGS＝1 0 V, I 1 A, VDD＝4 0 0 V D＝1 nC ─ 5 4 ─ Ci s s ─ 1 6 9 0 ─ Cr s s VDS＝ 2 5 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 2 2 ─ Co s s ─ 7 4 0 ─ t d （o n） ─ 2 1 ─ t r ─ 3 0 ─ ─ 2 2 5 ─ ─ 3 5 ─ I . 5 A, VDD＝1 5 0 V, RL＝ 2 7 . 3Ω D＝ 5 0 V, VGS V （＋）＝ 1 （－）＝0 t d （o f f ） VGS t f V pF ns ※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、1 . 2 〔℃/ W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。 TheJ unc t i o nTe mpe r a t ur ei sc a l c ul a t e df r o mt hec a s et e mpe r a t ur e , t he r ma lr e s i s t a nc eva l ueus e s1 . 2 ℃/ W. Us ei nt heSa f eOpe r a t i ngAr e af o ri nputc ur r e nta ndvo l t a ge . 06〉） （MOSFET 〈2010. www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / F11S80C3 ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 伝達特性 ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current ２０ １０Ｖ ８Ｖ Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ １００℃ VＧS ＧS=６ =６Ｖ Drain Current ID〔A〕 Drain Current ID〔A〕 ２０ ２２ １５ １０ Tc=25℃ TYP ５ Pulse measurement １５０℃ １５ １０ ５ VDS=２５V TYP VＧS ＧS=４Ｖ ０ ０ ５ １０ １５ Pulse measurement ０ ０ ２０ Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５ １０ １５ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature １ ID= =５ ５５A ５A ０． １ ０． ０１ −５５ ５ Pulse measurement ０ VGS＝10V Pulse test TYP １００ １５０ ５０ ５ ２ １ ０． ５ ０． ２ ０． １ ０． １ ０． ２ ０． ５ ２ １ ５ Drain Current ID〔A〕 10μs ２ １ VDS＝１０V ID=０５ . mA TYP −５５ ０ ５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ １ RDS（on） on） Restricted space 100μs 200μs 1ms 10ms DC ０． １ Tc＝２５℃ Single pulse ０． ０１ １ １０ １００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 キャパシタンス特性 全損失減少率─ケース温度 Transient Thermal Impedance Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 ０１ . ００ .１ １０-３ １０-４ １０-２ １０-１ １００ Time t〔s〕 １０１ Power Derating〔%〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 １ ０.００１ -５ １０ ８０ １００００ θjc θjc ８００ １００ １０００００ １０ ２２ ３３ ２２ 過渡熱抵抗 １００ １０ １１ ３ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 VGS＝10V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement Safe Operating Area Pulse measurement ４ ０ １０ 安全動作領域 Drain Current ID〔A〕 １０ Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔Ω〕 出力特性 Ｃｉ ｓ ｓ １０００ Ｃoｓ ｓ １００ １０ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １ 1 ２０ ６０ ４０ ２０ Ｃrｓ ｓ ４０ ６０ ８０ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 １００ ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ ゲートチャージ特性 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５００ ４００ ID=１１A TYP ２０ VDS Gate Source Voltage VGS〔V〕 Gate Charge Characteristics １５ VＧS ＧS VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ ３００ １０ ２００ ５ １００ ０ ０ ２０ ４０ ６０ ８０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ １００ ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 06〉） （MOSFET 〈2010.