FKP250A - サンケン電気

MOS FET
FKP250A
◆特長
2007 年 6 月
◆パッケージ
パッケージ名:F100 (TO-3P Full Mold)
●低オン抵抗
●低入力容量
●アバランシェ エネルギー耐量保証
◆アプリケーション
●PDP パネルドライブ
●高速SW
◆内部等価回路
D(2)
G(1)
S(3)
◆絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧
VDSS
250
V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧
VGSS
±30
V
ID
±50A
A
±200A
A
85 (Tc=25℃)
W
400
mJ
ドレ イン電流 (直
流)
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス )
許
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
ア
チ
保
バ
ャ
ラ
ン
ネ
存
シ
ェ
ル
温
電
温
ID(pulse)
※1
PD
EAS
※2
流
IAS
50
A
度
Tch
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=300μH,ILp=50A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
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MOS FET
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電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
単位
MAX
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±30V
±100
nA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=250V, VGS=0V
100
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
3.0
4.5
V
直流伝達コンダクタンス
Re(Yfs)
VDS=10V, ID=25A
30
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=25A, VGS=10V
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
オン時遅れ時間
td(on)
立上り時間
ID=100μA,VGS=0V
TYP
VDS=25V
tr
VGS=0V
f=1MHz
250
V
42
37
S
43
mΩ
3800
pF
630
210
40
ID=25A, VDD≒125V
RL=5Ω, VGS=10V
110
ns
オフ時遅れ時間
td(off)
下降時間
tf
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ゲートしきい値電圧
温度変化率
⊿VTH
Rg=5Ω
160
図2参照
90
/⊿Tch
ISD=50A,VGS=0V
1.0
VDS=10V, ID=1mA
-11
1.5
V
mV/℃
.
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各種代表特性
(Tc=25℃)
ID-VDS Characteristics (typical)
ID-VGS Characteristics (typical)
VDS=10V
VGS=10V
50
50
6.0V
40
40
5.5V
30
ID (A)
ID (A)
30
20
20
5.0V
10
125℃
25℃
10
Tc=-55℃
4.5V
0
0
0
2
4
6
8
10
0
2
4
VDS (V)
6
8
10
VGS (V)
VDS-VGS Characteristics (typical)
RDS(ON)- ID Ch aracte ristic s (typic al)
5
VGS=10V
60
4
50
VDS (V)
30
3
2
ID=50A
20
1
10
0
0
10
20
30
40
ID=25A
0
50
1
ID (A)
RDS(ON)-Tc Ch aracte ristic s ( typical)
100
10
VGS (V)
100
ID=25A
VGS=10V
90
80
70
RDS(on) (mΩ)
RDS(on) (mΩ)
40
60
50
40
30
20
10
0
-100
-50
0
50
100
150
Tc (℃)
.
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各種代表特性
(Tc=25℃)
Capacitance-VDS Characteristics (typical)
Re(yfs)-ID Characteristics (typical)
f=1MHz
VGS=0V
VDS=10V
100
10000
Ciss
Capacitance (pF)
10
Re(yfs) (S)
Tc=-55℃
25℃
1
125℃
1000
Coss
Crss
100
0.1
0.01
0.01
10
0.1
1
ID (A)
10
0
100
10
20
30
40
50
VDS (V)
IDR-VSD Characteristics (typical)
SAFE OPERATING AREA
1000
50
ID(pulse) max
100
40
30
100μs(1shot)
ID max
ID [A]
IDR (A)
10
10V
20
RDS(on) LIMITED
1ms
1
VGS=0V
10
0.1
DC
0
0.0
0.5
1.0
1.5
0.01
VSD (V)
0.1
PD-Ta Characteristics
1
10
100
1000
VDS [V]
100
80
60
PD (W)
With infinite heatsink
40
20
Without heatsink
0
0
50
100
150
Ta (℃)
.
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図1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図2 スイッチングタイム 測定方法
RL
VDD≒125V
ID=25A
RL=5Ω
VGS=10V
RG=5Ω
ID
VDS
RG
VDD
VGS
0V
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
(a) 測定回路
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
tf
toff
(b) 出力波形
.
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外形図
FM100
(TO-3P Full Mold)
(1) ゲート
(2) ドレイン
(1)
(2)
(3)
(3) ソース
質量
約 6.5 g
.
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
.
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する
当社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を
負いません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用
者の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避
けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない
よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種
安全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願
いします。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)
には、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよ
うにお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
.
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