MOS FET FKV575 2008 年 11 月 ◆特長 ◆パッケージ ●大電流 （ＩＤ：７５Ａ （ＤＣ） ） ●低オン抵抗 （ＲＤＳ（ｏｎ） ：７ｍΩ ｔｙｐ） ●アバランシェ エネルギー耐量保証 パッケージ名：FM20 (TO220F) ◆アプリケーション ●ＤＣ－ＤＣ コンバータ ●高速ＳＷ ◆内部等価回路 Ｄ(2) Ｇ(1) Ｓ(3) 絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＤＳＳ ５０ Ｖ ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＧＳＳ ±２０ Ｖ ＩＤ ±７５Ａ Ａ ±２００Ａ Ａ ４０ （Ｔｃ＝２５℃） Ｗ ３００ ｍＪ ドレ イン電流 （直 流） ド レ イ ン 電 流 （ パ ル ス ） 許 容 損 失 アバランシェエネルギー耐量 （単一パルス） ア チ 保 バ ャ ラ ン ネ 存 シ ェ ル 温 電 温 ＩＤ（pulse） ※１ ＰＤ ＥＡＳ ※２ 流 ＩＡＳ ７５ Ａ 度 Ｔｃｈ １５０ ℃ 度 Ｔｓｔｇ －５５～１５０ ℃ ※１ ＰＷ≦１００μｓｅｃ．，ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ≦１％ ※２ ＶＤＤ=２０Ｖ，Ｌ=６４μＨ，ＩＬp=７５Ａ，ｕｎｃｌａｍｐｅｄ，ＲＧ=５０Ω，図１参照 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 電気的特性 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 規格 条件 MIN 単位 MAX ドレイン・ソース降伏電圧 Ｖ(BR)ＤＳＳ ゲート・ソース漏れ電流 ＩＧＳＳ VGS=±20V ±１００ nA ドレイン・ソース漏れ電流 ＩＤＳＳ VDS=50V, VGS=0V １００ μA ゲートしきい値電圧 ＶＴＨ VDS=10V, ID=250μA ４．５ V 直流伝達コンダクタンス Ｒｅ（Yfs） VDS=10V, ID=37A 直流オン抵抗 ＲＤＳ（ON） ID=37A, VGS=10V 入力容量 Ｃｉｓｓ 出力容量 Ｃｏｓｓ 帰還容量 Ｃｒｓｓ オン時遅れ時間 ｔｄ（on） 立上り時間 ID=100μA,VGS=0V TYP VDS=10V VGS=0V f=1MHz ５０ V ３．０ ３０ S ７ １０ mΩ ３２００ pF １８００ ７５０ ４０ ID=37A, VDD≒25V ｔｒ RL=0.7Ω, VGS=10V ２８０ Rg=10Ω １３０ ns オフ時遅れ時間 ｔｄ（off） 下降時間 ｔｆ ゲート全電荷量 Ｑｇ ゲート・ソース間電荷量 Ｑｇｓ ゲート・ドレイン間電荷量 Ｑｇｄ ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧 ＶＳＤ 図２参照 １２０ ７０ ID=37A, VDD≒25V RL=0.7Ω, VGS=10V nC １５ ３０ ISD=75A,VGS=0V １．０ １．５ V サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 各種代表特性 (Tc=25℃) RDS(ON) - ID characteristics (typical) ID - VDS characteristics (typical) 200 VGS=12V 12 8V 10 RDS(ON) (mΩ） 10V 9V 150 7V IC(A) VGS=10V 14 8 6 4 100 2 0 0 50 10 20 30 40 6V 5V 2 4 6 60 70 80 ID=37A VGS=10V RDS(ON) - TC characteristics (typical) 0 0 50 ID(A） 8 25 10 VCE(V) RDS(ON) (mΩ) 20 15 10 5 0 -50 ID - VGS characteristics (typical) 0 50 VDS=10V 100 150 TC(℃) 80 70 VDS-VGS characteristics (typical) 60 1.5 40 1 30 20 VDS(V) ID(A） 50 TC=125℃ TC=25℃ 10 ID=75 A 0.5 TC=-40℃ 37A 0 0 2 4 6 8 10 VGS(V） 0 0 2 4 6 8 10 VGS(V) 12 14 16 18 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 20 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 各種代表特性 (Tc=25℃) Capacitance－VDS characteristics (typical) Re(yfs) - ID characteristics (typical) VDS=10V VGS=0V f=1MHz 1000 10000 Tc＝-40℃ Re(yfs)(S） 100 Tc＝25℃ Ciss Tc＝125℃ Capacitance (pF) 10 1 Coss 1000 Crss 0.1 0.1 1 10 ID(A） 100 1000 IDR-VSD characteristics (typical) 100 0 10 20 30 VDS (V) 200 40 50 0V VGS=10 150 SAFE OPERATING AREA 100 ID(pulse) MAX. 100 1ms (1shot) 0 0 0.5 1 1.5 ID [A] 50 RDS(on) LIMITED 10ms (1shot) 10 VDS(V) Tc=25℃ PD － Ta characteristics 1 50 無限大放熱板付 40 0.1 0.1 1 10 VDS [V] ＰＤ (W) ID(A) 1000 30 20 10 放熱板無し 0 0 50 100 150 Ta (℃) サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 100 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 図１ アバランシェエネルギー耐量 測定方法 L EAS= 1 V(BR)DSS ･L･ILP2・ 2 V(BR)DSS − VDD V(BR)DSS IL VDS ILp RG VDS VDD VGS IL VDD 0V （ａ） 測定回路 (b) 出力波形 図２ スイッチングタイム 測定方法 RL VDD≒25V ID=37A RL=0.7Ω VGS=10V RG=10Ω ID VDS RG VDD VGS 0V P.W.=10μs Duty cycle≦1% （ａ） 測定回路 90% VGS 10% 90% VDS 10% td(on) tr td(off) ton tf toff （ｂ） 出力波形 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 外形図 FM20 (TO220 Full Mold) (1) ゲート (1) (2) (3) (2) ドレイン (3) ソース 質量 約 2g サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 お問い合わせ先 ●東京事務所 〒１７１－００２１ 東京都豊島区西池袋１－１１－１(メトロポリタンプラザビル) TEL：０３－３９８６－６１６６ ●大阪支店 〒５３０－００５７ 大阪市北区曽根崎２－１２－７(梅田第一ビル) TEL：０６－６３１２－８７１６ ●名古屋営業所 〒４５０－０００２ 名古屋市中村区名駅４－２６－２２(名駅ビル) TEL：０５２－５８１－２７６７ ●九州営業所 〒８１２－００１１ 福岡市博多区博多駅前２－２－１(福岡センタービル) TEL：０９２－４１１－５８７１ サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114 MOS FET FKV575 2008 年 11 月 ご注意 ・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、 最新の情報であることをご確認ください。 ・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する 当社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を 負いません。 ・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用 者の責任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避 けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 ・本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など） に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種 安全装置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願 いします。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など） には、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 ・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 ・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 ・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を 有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよ うにお願いします。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T02-016JA-081114