等価回路 ( 7 0Ω ) E 2SB1647 ダーリントン B C シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタトランジスタ(2SD2560とコンプリメンタリ) 用途：オーディオ、シリーズレギュータ、一般用 V VCEO −150 ICBO VCB＝−150V −100max μA V IEBO VEB＝−5V −100max μA IC＝−30mA −150min V V V(BR)CEO −15 A hFE VCE＝−4V, IC＝−10A IB −1 A VCE(sat) IC＝−10A, IB＝−10mA − 2.5max IC＝−10A, IB＝−10mA − 3.0max 130(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg W VBE(sat) ℃ fT ℃ COB 19.9±0.3 −5 IC VEBO 15.6±0.4 9.6 2.0 単位 5000min※ 1.8 −150 規格値 イ ø3.2±0.1 V 45typ MHz VCB＝−10V, f＝1MHz 320typ pF 2.0±0.1 ロ V VCE＝−12V, IE＝2A 4.8±0.2 5.0±0.2 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0 単 位 2 4.0max 規 格 値 記 号 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 20.0min ■絶対最大定格 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 ※ランク O(5000∼12000)、P(6500∼20000)、Y(15000∼30000) 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 4 10 –10 5 –10 10 0.7typ 1.6typ 1.1typ I C – V CE 特性（代表 例 ） –1.5mA 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V C E = – 4V) –15 –3 ） 温度 ） 度） 温度 ス温 ース ース （ケ –5 −3 0˚C I C =–5A –1 ケー I C =–1 0A –10 （ケ –5 I C =–15A ˚C（ I B =–0.3mA –2 5˚C –0. 5m A 12 コレクタ電流 I C (A) –0.8 mA –10 25 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –1 .0m A コレクタ電流 I C (A) –2 m A –15 C 製品質量 約6.0ｇ イ．品名 ロ．ロット番号 V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） –50mA –10mA –3mA 5.45±0.1 B 0 0 –2 –4 0 –0.2 –6 –0.5 –1 –5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) h FE – I C 特性 （代表 例 ） 5000 –1 –5 –10 –15 25 ˚C – 30 ˚C 10000 5000 1000 –0.2 –0.5 –1 –5 –10 –15 1 0.5 0.1 f T – I E 特性（代表 例 ） 10 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） 60 P c – Ta定 格 –50 DC s 100 –5 熱 板 付 放熱板なし 自然空冷 放 –0.5 大 –1 限 コレクタ電流 I C (A) m s 無 Typ 10 0m 最大許容損失 P C (W) –10 50 –0.1 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 52 5 10 –0.05 –3 1000 2000 130 10 0 0.02 100 時間 t(ms) (V CE = – 12V) 遮断周波数 f T (MH Z ) 1 コレクタ電流 I C (A) 20 –3 θ j-a – t特 性 125 ˚C コレクタ電流 I C (A) 40 –2 3 過渡熱抵抗 θ j - a ( ˚C/W) 10000 –1 (V C E = – 4V) 直流電流増幅率 h FE Typ –0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 50000 1000 –0.2 0 –50 –100 –200 (V CE = – 4V) 50000 直流電流増幅率 h FE –10 ベース電流 I B (mA) –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150