等価回路 (7 0 Ω ) E 2SB1560 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2390とコンプリメンタリ) ICBO VCB＝−160V −100max μA IEBO VEB＝−5V −100max μA IC＝−30mA −150min V −5 V V(BR)CEO IC −10 A hFE VCE＝−4V, IC＝−7A IB −1 A VCE(sat) IC＝−7A, IB＝−7mA − 2.5max − 3.0max VEBO 100(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg 5000min※ W VBE(sat) IC＝−7A, IB＝−7mA ℃ fr VCE＝−12V, IE＝2A 50typ ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 230typ 15.6±0.4 9.6 1.8 V イ 4.8±0.2 5.0±0.2 V −150 単位 2.0 −160 VCEO 規格値 4.0 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 19.9±0.3 単 位 用途：オーディオ、シリーズレギュータ、一般用 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 C 2.0±0.1 ø3.2±0.1 ロ V V MHz pF 2 4.0max ■絶対最大定格 20.0min ダーリントン B 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 ※ランク O(5000∼12000)、P(6500∼20000)、Y(15000∼30000) 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –70 10 –7 –10 5 –7 7 0.8typ 3.0typ 1.2typ I C – V CE 特性（ 代 表 例 ） –2 – 2 .0 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) –10 –3 –1 .5m A 0 –2 –4 0 –0.2 –6 –0.5 –1 –5 –10 h FE – I C 特性（代 表 例 ） 10000 25 ˚C 5000 – 30 ˚C 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E 5000 1000 –0.5 –1 –5 –10 500 –0.2 –0.5 コレクタ電流 I C (A) –1 –5 –10 0.1 5 10 度） ース温 50 100 80 –10 500 1000 2000 時間 t(ms) P c – Ta定 格 100 10 m s s 大 放 熱 板 50 付 –0.5 限 –1 無 DC –5 10 0m 最大許容損失 P C (W) –30 コレクタ電流 I C (A) 100 遮断周波数 f T (MH Z ) 1 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） 40 温度 ース 0.5 (V CE = – 12V) Typ −30 1 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代 表 例 ） 60 –2.5 3 125 ˚C Typ –2 (V C E = – 4V) 50000 10000 –1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 40000 1000 –0.2 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE = – 4V) 直流電流増幅率 h F E 0 –50 –100 –200 ベース電流 I B (mA) ˚C （ ケ （ケ –2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) ） 度） ス温 –4 125 –2 –7A I C =–5A –1 –6 ケー I B =–0.4mA –10A 2 5 ˚C –4 –2 ˚C（ –0.6m A コレクタ電流 I C (A) –0.8m A –6 –8 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –1. 2mA –1.0 mA 0 1.4 E 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） mA –8 コレクタ電流 I C (A) C A –10 mA –10 m .5 5.45±0.1 B 放熱板なし 自然空冷 20 –0.1 0 0.02 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 48 5 10 –0.05 –3 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150