E 等価回路 (7 0 Ω ) 2SB1559 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2389とコンプリメンタリ) −150 VEBO IC VCB＝−160V −100max μA V IEBO VEB＝−5V −100max μA −5 V V(BR)CEO IC＝−30mA −150min V −8 A hFE −1 80(Tc＝25℃) PC 150 Tj −55∼＋150 Tstg VCE＝−4V, IC＝−6A 5000min※ A VCE(sat) IC＝−6A, IB＝−6mA −2.5max W VBE(sat) IC＝−6A, IB＝−6mA −3.0max ℃ fT VCE＝−12V, IE＝1A 65typ MHz VCB＝−10V, f＝1MHz 160typ pF COB ℃ 15.6±0.4 9.6 1.8 VCEO ICBO イ 4.8±0.2 5.0±0.2 V 単位 2.0 −160 規格値 4.0 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 19.9±0.3 単 位 IB ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 2.0±0.1 ø3.2±0.1 ロ V V 2 4.0max ■絶対最大定格 C 用途：オーディオ、シリーズレギュータ、一般用 20.0min ダーリントン B 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 ※ランク O(5000∼12000)、P(6500∼20000)、Y(15000∼30000) 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） 5.45±0.1 B VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –60 10 –6 –10 5 –6 6 0.7typ 3.6typ 0.9typ 1.4 E 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） .5 –10 –8 –2 mA m A I C – V CE 特性（代 表 例 ） C –2.0 mA – 1 .8 m (V C E = – 4V) –8 –3 A A – 1 .5 m 0 –2 –4 0 –0.2 –6 –0.5 –1 –5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –10 0 –50 –100 –200 0 温度 ース ス温 –1 –2 –3 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表例 ） 度） 度） 5˚ 12 0 0˚C –2 ケー ケー –1 （ケ –4 −3 I C =–4A ス温 –6A ） –6 ˚C（ I B =–0.3mA –2 –8A C（ –0.5m A –4 –2 25 –0.8m A コレクタ電流 I C (A) –1 .0 mA –6 コレクタ電流 I C (A) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –1. 3m A θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) (V C E = – 4V) 40000 50000 4 10000 5000 2000 –0.2 –0.5 –1 –5 –8 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) Typ 直流電流増幅率 h F E 25 ˚C 10000 – 30 ˚C 5000 1000 –0.2 1 0.5 0.2 –0.5 コレクタ電流 I C (A) –1 –5 –8 f T – I E 特性（代 表 例 ） 5 10 50 100 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 80 –20 100 –10 10 80 –5 60 40 付 放熱板なし 自然空冷 20 板 –0.5 熱 –1 放 コレクタ電流 I C (A) s 大 40 C m s 限 60 D 10 0m 無 Typ 500 1000 2000 時間 t(ms) (V CE = – 12V) 遮断周波数 f T (MH Z ) 1 コレクタ電流 I C (A) 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 20 –0.1 0 0.02 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 5 8 –0.05 –2 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 47