DB15/25-005 ... DB15/25-16 DB15/25-005 ... DB15/25-16 Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2014-06-24 Nominal current Nennstrom = 10±0.2 _ + 24.3±0.2 Ø 5.2 28.5±0.2 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 0.8 ±0.2 Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden 6.3 16 Type = 15/25 A 21.6±1 35...1000 V 28.5 x 28.5 x 10 [mm] Fast-on 1) Terminals Anschlüsse Weight approx. – Gewicht ca. 21 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 2) DB15/25-005 35 50 DB15/25-01 70 100 DB15/25-02 140 200 DB15/25-04 280 400 DB15/25-06 420 600 DB15/25-08 560 800 DB15/25-10 700 1000 DB15/25-12 800 1200 DB15/25-14 900 1400 DB15/25-16 1000 1600 1 2 Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C Valid per diode – Gültig pro Diode © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DB15/25-005 ... DB15/25-16 Maximum ratings Grenzwerte Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 100 A 1) Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 350 A Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 385 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 630 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 25 A 25 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF < 1.05 V 2) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 10 µA Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case – Wärmewiderst. Sperrschicht – Geh. RthC < 2.4 K/W 10-32 UNF M5 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm DB15/25005 ... DB15/2504 DB15/2506 ... DB15/2516 Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 120 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 350a-(12.5a-1,05v) -1 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG