KBPC3500F ... KBPC3516F, KBPC3500W ... KBPC3516W KBPC3500F ... KBPC3516F, KBPC3500W ... KBPC3516W Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2007-03-30 Nominal current Nennstrom Type “FP“ 7.3 16.6±0.5 0.8 6.7 + 14.3 ±0.5 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 7.9 6.3 16.6 ±0.5 Ø 5.2 Type + = 21.6±1 = 18.1±0.5 28.6±0.2 1.2 Type = 18±0.5 + = = 18±0.5 28.6±0.2 Index “P“ 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] “P“ – 17 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton = Ø 5.2 Plastic case with alu bottom Plastikgehäuse mit Alu-Boden Weight approx. Gewicht ca. 7.3 + 35...1000 V Dimensions Abmessungen Type “WP“ 11.6±0.5 35 A min. 30 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) KBPC3500F/W 35 50 KBPC3501F/W 70 100 KBPC3502F/W 140 200 KBPC3504F/W 280 400 KBPC3506F/W 420 600 KBPC3508F/W 560 800 KBPC3510F/W 700 1000 KBPC3512F/W 800 1200 900 1400 1000 1600 KBPC3514F/W 2 KBPC3516F/W ) 1 2 Valid per diode – Gültig pro Diode Special type – Sondertyp © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC3500F ... KBPC3516F, KBPC3500W ... KBPC3516W Maximum ratings Grenzwerte Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 660 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 35 A 28 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 103 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 375a-(17.5a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG