BAV99 BAV99 Surface Mount Small Signal Double-Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2015-05-12 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 3 Type Code 1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 2 1.9 310 mW Plastic case Kunststoffgehäuse 1.3±0.1 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 Power dissipation – Verlustleistung 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.1 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAV99 1 Power dissipation − Verlustleistung ) Ptot 310 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 85 V Reverse voltage – Sperrspannung (dc) VR 70 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25°C Tj = 25°C VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 nA < 2.5 µA Tj = 150°C Tj = 150°C VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 µA < 50 µA Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV99 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 1.5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 400 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Double diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 2 = C2 BAV99 = A7 3 = C1/A2 Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen Single diode – einzelne Diode BAL99 Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode BAV70 Double diode, common anode – Doppeldiode, gemeinsame Anode BAW56 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10 -2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG