BAS70 BAS70 Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2010-01-18 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 0.4+0.1 -0.05 Type Code 1 1.3±0.1 2.4 ±0.2 3 2 1.9 Power dissipation – Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. ±0.1 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAS70-series Power dissipation − Verlustleistung 1) Ptot 310 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM 600 mA VRRM 70 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA IF = 15 mA VF VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 50 V IR < 100 nA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns RthA < 400 K/W 2) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS70 Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Single diode einzelne Diode 1=A 2 3 1 1 = A1 3 3=C 2 = C2 BAS70-04 = 74 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Kathode 1 = A1 2 3 1 2 = n.c. BAS70 = 73 Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 1 Marking – Stempelung BAS70-05 = 75 2 = A2 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 = C1 2 2 = C2 BAS70-06 = 76 3 = A1/A2 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 -2 10 60 40 10 -3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG