BAV23CC , BAV23CA

BAV23CC , BAV23CA
BAV23CC , BAV23CA
Surface Mount Small Signal Dual-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2014-02-12
2.9
1.1
+0.1
-0.2
3
Type
Code
1
Power dissipation – Verlustleistung
350 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
250 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3±0.1
2.4 ±0.2
0.4+0.1
-0.05
±0.1
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
2
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9±0.1
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1
2 = A2
3 = C1/C2
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAV23CC
1
Power dissipation − Verlustleistung )
Ptot
350 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
400 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
625 mA 2)
IFSM
IFSM
IFSM
1.7 A
3A
9A
VRRM
250 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 10 ms
tp ≤ 100 µs
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current 3)
Sperrstrom
1
2
3
IF = 100 mA
IF = 200 mA
VF
VF
<1V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 200 V
IR
< 100 nA
Tj = 150°C
VR = 200 V
IR
< 100 µA
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAV23CC , BAV23CA
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 30 mA über/through IR = 30 mA bis/to IR = 3 mA, RL = 100 Ω
trr
< 50 ns
RthA
< 357 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
1 = A1
2
3
1
Marking – Stempelung
2 = A2
BAV23CC = PZ
3 = C1/C2
Double diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = C1
2
2 = C2
BAV23CA = RA
3 = A1/A2
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
10
-1
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
1
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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