MBR10100 MBR10100 High Temperature Schottky Rectifier Diodes – Single Diode Hochtemperatur Schottky-Gleichrichterdioden – Einzeldiode Version 2015-01-14 ±0.3 0.42±0.1 ±0.3 2.8 Type Typ 3 ±0.1 1.3 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1 3 ±0.1 Weight approx. Gewicht ca. 1.8 g Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] MBR10100 TO-220AC Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.2 0.8 5.08 Type Typ 100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse 3.9 13.9±0.3 ±0.2 2.67 4 ±0.3 Ø 3.8±0.2 4 1 Nominal current Nennstrom 8.7 14.9±0.7 ±0.2 4.5 10.1 ±0.3 ±0.2 1.2 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 100 100 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 10 A tbd < 0.8 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 125°C IFAV 10 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 2) SBT1090... TA = 25°C SBT10100 IFSM 135/150 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 i2t 80 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MBR10100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse IR IR < 100 µA typ. 5 mA RthC 120 < 2 K/W 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 10 -2 0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 2 http://www.diotec.com/ 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG