SBCT1020 ... SBCT10100 SBCT1020 ... SBCT10100 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode Version 2010-04-29 14.9±0.4 4.5±0.2 Ø 3.8±0.2 4 Type Typ ±0.4 0.42 3.9 13.9±0.3 ±0.2 4 ±0.3 1 2 3 2.67 Nominal Current Nennstrom 2.8±0.3 10.1±0.3 8.7±0.3 1.2 ±0.2 1.3±0.1 1 2 3 0.8±0.2 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...100 V Plastic case Kunststoffgehäuse TO-220AB Weight approx. Gewicht ca. 2.2g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.1 2.54 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A SBCT1020 20 20 < 0.55 < 0.63 SBCT1030 30 30 < 0.55 < 0.63 SBCT1040 40 40 < 0.55 < 0.63 SBCT1045 45 45 < 0.55 < 0.63 SBCT1050 50 50 < 0.70 < 0.79 SBCT1060 60 60 < 0.70 < 0.79 SBCT1090 90 90 < 0.85 < 0.92 SBCT10100 100 100 < 0.85 < 0.92 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV IFAV 5 A 2) 10 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/120 A 2) Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 1 2 3 50 A2s 2) -50...+150°C -50...+175°C Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCT1020 ... SBCT10100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse VR = VRRM IR RthC < 300 µA 1) < 7 mA 1) 3.0 K/W 2) 102 120 [%] [A] 100 SBCT1020...SBCT1045 10 80 SBCT1050, SBCT1060 1 60 40 SBCT1080, SBCT10100 10-1 20 IF IFAV 0 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 2 Tj = 25°C -2 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG