SBY1520R...SBY1545R

SBY1520R...SBY1545R
SBY1520R...SBY1545R
Surface Mount Schottky Rectifiers – Single Diode
Schottky-Gleichrichter für die Oberflächenmontage – Einzeldiode
Version 2012-07-27
0.42±0.4
3
13.9±0.3
1
2.67±0.2
2.8±0.3
Ø 3.8±0.2
4
Type
Typ
Nominal Current
Nennstrom
±0.1
1.3
15 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
8.7±0.3
14.9±0.4
4.5±0.2
10.1±0.3
20...45 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
3.9±0.3
1.2
±0.2
1
3
TO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.6 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
0.8±0.2
5.08±0.1
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A
IF = 15 A
SBY1520R
20
20
< 0.51
< 0.65
SBY1530R
30
30
< 0.51
< 0.65
SBY1540R
40
40
< 0.51
< 0.65
SBY1545R
45
45
< 0.51
< 0.65
Max. average forward rectified current (AC), R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
15 A
Max. current in DC forward mode
Dauergrenzstrom bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
TC = 130°C
IFAV
15 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
135/150 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
80 A2s
Tj
Tj
TS
-50...+150°C
≤ 200°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBY1520R...SBY1545R
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
120
IR
< 200 µA
typ. 60 µA
< 10 mA
RthC
< 2.0 K/W
102
[%]
SBY1520...SBY1545
[A]
100
10
80
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses
2
http://www.diotec.com/
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG