RFL7504 RFL7504 Fast Switching Silicon-Rectifiers – Button Diodes with Lead Wires Schnelle Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen mit Anschlussdrähten Version 2015-06-22 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.2 4.3 6.1 ±0.2 ±0.2 Ø 8.5 ±0.3 ±0.1 25.4 Ø 1.3 75 A 400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Button with Lead Wires Weight approx. Gewicht ca. 1.9 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Marking: Kennzeichnung: Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode” Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 400 400 RFL7504 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last IFAV 75 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle IFSM 750/800 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ TC = 110°C 1 RFL7504 Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 75 A VF < 1.4 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 1 µA < 50 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 150 ns Thermal resistance junction to case (disc terminal of button diode) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Scheiben-Anschluss Knopfzelle) 120 RthC < 0.8 K/W 3 10 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C 10 60 Tj = 25°C 40 1 20 IF IFAV 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 2 450a-(100a-1,5v) -1 0 http://www.diotec.com/ 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG