RFL7504 - Diotec

RFL7504
RFL7504
Fast Switching Silicon-Rectifiers – Button Diodes with Lead Wires
Schnelle Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen mit Anschlussdrähten
Version 2015-06-22
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
±0.2
4.3
6.1
±0.2
±0.2
Ø 8.5
±0.3
±0.1
25.4
Ø 1.3
75 A
400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Button with
Lead Wires
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
Kennzeichnung:
Colored ring denotes “cathode”
Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode”
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
400
400
RFL7504
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
IFAV
75 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
IFSM
750/800 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
TC = 110°C
1
RFL7504
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 75 A
VF
< 1.4 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 1 µA
< 50 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 150 ns
Thermal resistance junction to case (disc terminal of button diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Scheiben-Anschluss Knopfzelle)
120
RthC
< 0.8 K/W
3
10
[%]
[A]
100
102
80
Tj = 125°C
10
60
Tj = 25°C
40
1
20
IF
IFAV
10
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
2
450a-(100a-1,5v)
-1
0
http://www.diotec.com/
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG