FR20AYD2 ... FR20FYD2 FR20AYD2 ... FR20FYD2 Superfast Silicon Rectifiers – Two Anode Pins Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Zwei Anodenanschlüsse Version 2010-09-22 1.2 4.5 10.25 ± 0.2 Nominal current Nennstrom ±0.5 4 Type Typ 1 2 3 1.3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...300 V Plastic case Kunststoffgehäuse TO-263AB D²PAK Weight approx. Gewicht ca. 0.8 0.4 20 A 5.08 1 2/4 3 Dimensions - Maße [mm] 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Grenz- und Kennwerte Repet. peak reverse voltage Period. Spitzensperrspanng. VRRM [V] Surge peak reverse volt. Stoßspitzensperrspanng. VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A FR20AYD2 50 50 < 0.84 < 0.96 FR20BYD2 100 100 < 0.84 < 0.96 FR20CYD2 150 150 < 0.84 < 0.96 FR20DYD2 200 200 < 0.84 < 0.96 FR20FYD2 300 300 < 0.84 < 0.96 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FR20AYD2 ... FR20FYD2 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 25 µA < 250 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 120 < 1.5 K/W 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 2 400a-(5a-0,8v) -1 http://www.diotec.com/ 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG