FT2000AA ... FT2000KG FT2000AA ... FT2000KG Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten Version 2007-06-27 Nominal current Nennstrom 10±0.2 15.7 4 3.4 Type Typ 1 4 3 3.8 3 1 13.2 4 1.5 0.9 1 20 A A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V 3 Plastic case Kunststoffgehäuse TO-220AC K Weight approx. Gewicht ca. 3 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 5.08 Dimensions - Maße [mm] 1.8 g Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Polarity / Polarität Grenz- und Kennwerte Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt. Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng. VRRM [V] VRSM [V] K (Standard) A (Reverse) FT2000KA FT2000AA 50 FT2000KB FT2000AB FT2000KD FT2000KG Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A 50 < 0.84 < 0.96 100 100 < 0.84 < 0.96 FT2000AD 200 200 < 0.84 < 0.96 FT2000AG 400 400 < 0.84 < 0.96 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM Tj Tj -50...+150°C -50...+200°C TS -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FT2000AA ... FT2000KG Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über trr IR = 1 A to IR = 0.25 A < 200 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 120 < 1.5 K/W 103 [%] [A] 100 Vr < 20% Vrrm Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 Vr < 80% Vrrm 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. des Gehäuses 2 http://www.diotec.com/ 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG