SK1020PQ ... SK10100PQ SK1020PQ ... SK10100PQ Surface Mount Schottky Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-03-30 Nominal Current – Nennstrom 1.0±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 4.1±0.1 3.5 0.89 0.44 1.82 5.0 x 6.0 x 1.0 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 0.64 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 1) 20...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse PowerQFN 5x6 4.0±0.1 6.0 Type Typ ±0.2 5.0±0.2 10 A Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 2) 3) IF = 5 A IF = 10 A SK1020PQ 20 20 < 0.45 < 0.55 SK1030PQ 30 30 < 0.45 < 0.55 SK1040PQ 40 40 < 0.45 < 0.55 SK1045PQ 45 45 < 0.45 < 0.55 SK1050PQ 50 50 < 0.61 < 0.68 SK1060PQ 60 60 < 0.61 < 0.68 SK1080PQ 80 80 < 0.75 < 0.83 SK10100PQ 100 100 < 0.75 < 0.83 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 10A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/110 A 2) Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s 2) Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 3 50 V to 100 V types on request – 50 V bis 100 V Ausführung auf Anfrage Tj = 25°C Both anode pins connected – Beide Anodenanschlüsse kontaktiert © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SK1020PQ ... SK10100PQ Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse IR IR RthC 120 < 300 µA < 10 mA < 2.0 K/W 102 [%] SK1020PQ...SK1045PQ [A] 100 10 80 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TT 50 100 150 [°C] 0 Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 2 http://www.diotec.com/ 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG