シングル N チャンネル MOSFET ELM33414CA-S ■概要 ■特長 ELM33414CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=300mA また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 2Ω (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 3Ω (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 5Ω (Vgs=3.5V) ・ ESD Rating : 2000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=100℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 60 V ±20 V 接合温度範囲及び保存温度範囲 Id 300 190 mA Idm 1 A Pd Tj, Tstg 0.35 0.14 -40 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 最大接合部 - 周囲温度 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 単位 350 ℃/W ■回路 � SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM33414CA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 記号 条件 BVdss Id=100μA, Vgs=0V 60 Vds=48V, Vgs=0V Idss Vds=40V, Vgs=0V, Ta=125℃ Igss 順方向相互コンダクタンス Gfs Vgs=3.5V, Id=10mA Vds=20V, Id=200mA ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=200mA, Vgs=0V If=200mA, Vgs=0V 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss Qg V 1 10 Vds=0V, Vgs=±16V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=100μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=10V Vgs=10V, Id=200mA ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=100mA 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 Vgs=10V, Vds=30V μA ±30 μA 1.0 1 1.8 2.5 1.6 2.0 1.7 3.0 2.1 0.18 5.0 V A 1 Ω 1 S 1 1.2 V 300 mA 1 36 10 pF pF 6 pF 1.6 nC 2 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgs Id=200mA Qgd td(on) Vds=30V, Vgs=10V 0.2 1.0 30 nC nC ns 2 2 2 ターン ・ オフ遅延時間 td(off) Id=200mA, Rgen=10Ω 125 ns 2 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 シングル N チャンネル MOSFET N-ChannelELM33414CA-S Logic Level Enhancement ■標準特性と熱特性曲線 Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM Output Characteristics VGS=10V VGS=9 V VGS=8 V VGS=7 V VGS=6 V VGS=5 V 6.0E-01 VGS =3.5V 4.0E-01 2.0E-01 0.0E+00 0 1 2 3 4 0.6 0.4 25� 0.2 0 5 1 1.5 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 2.0 45 RDS(ON) � 1.8 40 RDS(ON) � 1.6 RDS(ON) � 1.4 RDS(ON) � 1.2 RDS(ON) � 1.0 RDS(ON) � 0.8 RDS(ON) � 0.6 RDS(ON) � 0.4 V GS=10V ID=200m A 0 25 50 75 100 TJ , Junction Temperature(C) 125 150 4 CISS 30 25 20 15 COSS 10 CRSS 0 5 10 15 20 25 30 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Source-Drain Diode Forward Voltage 1.0E+03 VDS=30V ID =0.2A 1.0E+02 8 IS , Source Current(A) VGS , Gate-To-Source Voltage(V) 3.5 5 Gate charge Characteristics 10 3 35 0 -25 2.5 Capacitance Characteristic On-Resistance VS Temperature -50 2 VGS, Gate-To-Source Voltage(V) C , Capacitance(pF) RDS(ON)ON-Resistance(OHM) RDS(ON) � SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free Transfer Characteristics 0.8 ID, Drain-To-Source Current(A) ID, Drain-To-Source Current(A) 8.0E-01 PZ2N7002M 1.0E+01 6 1.0E+00 4 T J =150° C 1.0E-01 T J =25° C 1.0E-02 2 0 1.0E-03 1.0E-04 0 0.4 0.8 1.2 1.6 0.1 Qg , Total Gate Charge(nC) 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 VSD, Source-To-Drain Voltage(V) C-40-4 REV 0.93 3 4-3 1.3 シングル N チャンネル MOSFET ELM33414CA-S N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NIKO-SEM Safe Operating Area 10 PZ2N7002M SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free Single Pulse Maximum Power Dissipation 20 Operation in This Area is Lim ited by RDS(ON) 1m s 0.1 10m s 5 1S 10S DC 0 0.001 1 10 0.001 100 VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Transient Thermal Resistance 0.01 0.1 1 10 Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve 1.00E+01 r(t) , Normalized Effective 10 100m s NOTE : 1.V GS= 10V 2.TA=25� C 3.R�JA = 350� C/W 4.Single Pulse 0.01 SINGLE PULSE R�JA = 350� C/W TA=25� C 15 � Power(W) ID , Drain Current(A) 1 1.00E+00 Duty Cycle=0.5 Note 0.2 1.00E-01 0.1 0.05 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA =350 oC/W 3.TJ-TA = P*RthJC(t) 4.RthJC(t) = r(t)*RthJA 0.02 0.01 single Pluse 1.00E-02 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] C-40-4 REV 0.93 4 4-4