双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM18810BA-S ■概要 ■特点 ELM18810BA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V) 另外，此芯片还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V) ·ESD 规格∶ 2000V HBM ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 20 V 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs ±8 V Id 7.0 5.7 A 1 Idm 30 A 2 Pd 1.5 1.0 W 1 Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 典型值 最大值 单位 64 89 53 83 120 70 ℃/W ℃/W ℃/W Rθja Rθjl ■引脚配置图 备注 1 3 ■电路图 TSSOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 2 3 DRAIN1/DRAIN2 SOURCE1 SOURCE1 4 5 6 GATE1 GATE2 SOURCE2 7 8 SOURCE2 DRAIN1/DRAIN2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 S1 S2 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM18810BA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Ta=55℃ 正向跨导 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Gfs Vsd Is 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 Coss Crss Rg μA Vds=0V, Vgs=±4.5V 5 ±1 Vds=0V, Vgs=±8V ±10 μA 0.6 1.0 V A 16.5 20.0 Vgs=2.5V, Id=5.5A Vgs=1.8V, Id=5A 23.0 20.0 24.0 28.0 24.0 32.0 Vds=5V, Id=7A Is=1A, Vgs=0V 29 0.76 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 1 Vds=16V，Vgs=0V Vgs=4.5V，Id=7A 漏极 - 源极导通电阻 20 0.4 30 Ta=125℃ 1.00 2.5 μA mΩ S V A 1160 pF Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 187 146 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 1.5 Ω 16.0 nC 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A Qgd td(on) 0.8 3.8 6.2 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 tr Vgs=5V, Vds=10V td(off) RL=1.35Ω, Rgen=3Ω 12.7 51.7 ns ns 16.0 17.7 6.7 ns ns nC 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Qg tf trr Qrr If=7A, dlf/dt=100A/μs If=7A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM18810BA-S ■标准特性和热特性曲线 30 20 8V Vgs=5V Vgs =2V 15 20 Id(A) Id(A) Vgs =1.5V 10 10 Vgs =1V 25°C 0 0 1 2 3 125°C 5 4 0 5 0.0 Vds(Volts) 50 1.5 2.0 2.5 1.6 Normalize ON-Resistance Rds(on)(m� ) 1.0 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Figure 1: On-Regions Characteristi cs 40 Vgs =1.8V 30 Vgs =2.5V 20 Vgs =4.5V 10 0 5 10 15 Id=6.5A 1.4 Vgs=1.8V Vgs=2.5V Vgs=4.5V 1.2 1.0 0.8 20 0 Id(A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 60 1E+01 Id=6.5A 1E+00 50 125°C 1E-01 40 Is(A) Rds(on)(m� ) 0.5 125°C 30 1E-02 1E-03 20 1E-04 25°C 25°C 1E-05 10 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd(Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs(Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 双 N 沟道共漏极 MOSFET ELM18810BA-S 2000 5 Vds=10V Id=7A 1600 Capacitance (pF) Vgs(Volts) 4 Ciss 1200 3 2 800 Crss 400 1 0 0 0 5 10 15 0 20 100.0 100�s 10�s 1ms 0.1s 10ms 20 20 10 1s 10s DC 0.1 0.1 15 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 Power (W) Rds(on) limited 1.0 10 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.0 5 Vds(Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Coss 1 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 1 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=83°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000