单 P 沟道 MOSFET ELM33407CA-S ■概要 ■特点 ELM33407CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=-20V ·Id=-3A ·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） -3.0 -1.4 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -20 V ±12 V A -10 1.25 A W 0.80 Tj, Tstg 3 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 稳定状态 ■引脚配置图 典型值 最大值 166 备注 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 引脚名称 1 2 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM33407CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -20 V Vds=-16V, Vgs=0V -1 Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃ -10 Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) -0.5 -6 Vgs=-4.5V, Id=-2A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-2A -0.9 100 180 16 μA ±100 nA -1.2 V A 1 mΩ 1 S 1 -1.2 -1.6 V A 1 -3 A 3 150 250 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 二极管脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-6V, f=1MHz 410 220 pF pF Crss 85 pF Qg 5.80 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 Qgs Qgd Is=-1A, Vgs=0V Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-2A td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf 备注： 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 4. 占空比≤1%。 4- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 10.00 nC 2 0.85 1.70 nC nC 2 2 13 36 42 ns ns ns 2 2 2 34 ns 2 NIKO-SEM PA502FMG P-Channel Level Enhancement 单 Logic P 沟道 MOSFET Mode Field Effect Transistor SOT-23 ELM33407CA-S Lead-Free ■标准特性和热特性曲线 Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature -Is - Reverse Drain Current(A) 10 V GS = 0V 1 T A = 125° C 0.1 25° C 0.01 -55° C 0.001 0.0001 0 0.2 0.4 0.8 1.0 0.6 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 4- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Mar-22-2006 NIKO-SEM P-Channel Logic Level Enhancement 单Mode P 沟道 MOSFET Field Effect Transistor ELM33407CA-S 4- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 PA502FMG SOT-23 Lead-Free